一种Ag-In-Ga-S量子点的水相制备方法

    公开(公告)号:CN118460206A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410051055.9

    申请日:2024-01-15

    Abstract: 本发明公开一种Ag‑In‑Ga‑S量子点的水相制备方法,称量硝酸银、硝酸铟和硝酸镓,将其溶解于水中搅拌使其混合均匀,得到金属阳离子前驱体溶液;加入谷胱甘肽和柠檬酸钠的混合物,得到配体‑金属阳离子前驱体溶液;加入硫化钠,充分搅拌均匀,得到前驱体溶液;将前驱体溶液放入反应釜中,反应得到AIGS量子点原液;在AIGS量子点原液中加入提纯剂,混合均匀后放入离心机离心,得到AIGS量子点。本发明简单可控,可重复性高,有利于大批量制备。谷胱甘肽的引入进一步增加了量子点的辐射复合比例,提高荧光量子产率,柠檬酸钠的极性基团保护了量子点在水中的生长与分散,进一步提升了结晶性,且量子点粒径均一、稳定性较高。

    一种由废旧锂离子电池重构RGO/Co3O4复合电磁波吸收材料的方法

    公开(公告)号:CN117945393A

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202211346836.8

    申请日:2022-10-31

    Abstract: 本发明提供了一种由废旧锂离子电池重构RGO/Co3O4复合电磁波吸收材料的方法。将废旧钴酸锂离子电池拆解,其中得到的石墨负极通过改进的Hummers法制备成氧化石墨烯粉末,得到的钴酸锂正极通过清洗、研磨得到钴酸锂粉体;将氧化石墨烯分散液中加入钴酸锂,再超声搅拌均匀后,再在水热200℃下水热反应15 h,最后冷冻干燥得到成品。该方法制备下,钴酸锂脱锂形成四氧化三钴后均匀地分布到欢迎氧化石墨烯的片层中,两者相互协调形成的强烈的界面极化、优秀的电导损失和多重散射对于电磁波的吸收损耗起到了极大的促进作用。该产品最大的反射损耗达到‑47.7 dB,最大吸收带宽6.84 GHz,能够完全覆盖Ku波段。

    硒化镍钽/硒化钨异质结光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN115360259A

    公开(公告)日:2022-11-18

    申请号:CN202211121131.6

    申请日:2022-09-15

    Abstract: 本发明公开了一种硒化镍钽/硒化钨异质结光电探测器及其制备方法。所述的异质结光电探测器自下而上依次为衬底、Ta2NiSe5薄片、WSe2薄片和金属源、漏电极,通过先在衬底上制备Ta2NiSe5薄片,在此基础上转移WSe2薄片至Ta2NiSe5表面,两种半导体通过范德华力结合,形成范德华异质结,再制备金属源漏电极,形成范德华异质结光电探测器。本发明通过构建异质结,使得其在光照条件下产生的电子与空穴在异质结处迅速分离,能够有效降低暗电流,显著提高所制备的光电探测器的响应度和探测率。

    仿生近红外响应增强的光电探测器及制备方法

    公开(公告)号:CN111048669B

    公开(公告)日:2022-09-06

    申请号:CN201911193443.6

    申请日:2019-11-28

    Abstract: 本发明公开了一种仿生近红外响应增强的光电探测器。探测器由两部分组成,模拟蝴蝶复眼的微腔结构,设置为探测器顶层,且为介电介质层组成的微腔,底层采用由薄膜工程制备的无机卤化物钙钛矿作为光活性层的器件,实现了近红外生物窗口中的选择性光响应。本发明通过模拟蝴蝶的复眼,搭建了LiF/NPB人工光学微腔,具有半峰宽小于50nm的窄带响应和覆盖近红外波段的可调谐性的优点。通过选用无机卤化物钙钛矿CsPb0.5Sn0.5I3作为底部器件的光活性层,具有综合的带隙和薄膜工程特性,相比于普通光电探测器,在实时成像应用中,具有响应速度快、分辨率高、检测限低等良好的综合性能。

    高(010)晶面暴露比钒酸铋的制备方法

    公开(公告)号:CN112777634A

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN202110141863.0

    申请日:2021-02-02

    Inventor: 陆源 曾海波 张侃

    Abstract: 本发明公开了一种高(010)晶面暴露比钒酸铋的制备方法。所述方法先将五水硝酸铋、偏钒酸铵和柠檬酸溶解于硝酸溶液中,加入乙醇和聚乙烯醇,形成的混合溶液旋涂在FTO表面,在450℃下煅烧得到种子层;将五水硝酸铋和偏钒酸铵溶解于浓硝酸中,加入氯化钛溶液,并用氨水调节pH至0.9,得到前驱体溶液;然后将种子层浸没在前驱体溶液中,在180℃下水热反应;最后将水热反应的产物升温至450℃退火,得到高(010)晶面暴露比钒酸铋。本发明通过在前驱体溶液中添加形貌调节剂氯化钛,并调控其pH,合成了具有高(010)晶面暴露比的多孔钒酸铋,提高其在光电催化产双氧水的选择性,选择性可达66.5%。

    钙钛矿纳米晶墨水、电致发光器件及制备方法

    公开(公告)号:CN110041758B

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN201910323360.8

    申请日:2019-04-22

    Abstract: 本发明公开了钙钛矿纳米晶墨水、电致发光器件及制备方法,属于印刷显示领域。该钙钛矿纳米晶墨水包括:钙钛矿纳米晶材料、用于分散钙钛矿纳米晶材料的溶剂体系,溶剂体系包括:沸点为115℃‑175℃的低沸点溶剂;沸点为230℃‑260℃的高沸点溶剂;低沸点溶剂的表面张力和粘度分别小于高沸点溶剂的表面张力和粘度。通过调节低沸点溶剂和高沸点溶剂的体积比,可调节溶剂体系的沸点至期望范围,使该墨水适于分散钙钛矿纳米晶,且能够获得期望的挥发性,确保喷墨可行性,避免堵塞喷头,且还可有效避免咖啡环现象出现。通过调节溶剂体系的表面张力和粘度至期望范围,确保钙钛矿纳米晶墨水的铺展能力以及喷墨后的印刷性,提高印刷效果。

    混相α/δ-CsPbI3发光层及其制备方法

    公开(公告)号:CN110416438A

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201910604845.4

    申请日:2019-07-05

    Abstract: 本发明公开了一种混相α/δ-CsPbI3发光层及其制备方法,通过旋涂的方法得到α-CsPbI3发光层,再对其进行热处理从而调控其相结构组成,制得了α/δ-CsPbI3混相发光层。相比于纯α-CsPbI3相发光层,利用δ-CsPbI3的电子自捕获效应实现了宽光谱的发光,从而得到低色温、显色性高的白光,解决了钙钛矿多个发光层混合实现白光过程中的稳定性问题,并且,通过发光层中α-CsPbI3和δ-CsPbI3能带结构排列的设计,有效实现了电子的注入和传输,相比于利用电子自捕获,效应的白色荧光材料,基于该发光层制备的白光发光二极管具有很高的发光效率。

    一种可用于深紫外极弱光探测高纯纳米结构ZnGa2O4的制备方法

    公开(公告)号:CN107758726B

    公开(公告)日:2019-10-18

    申请号:CN201710913178.9

    申请日:2017-09-30

    Abstract: 本发明公开了一种可用于深紫外极弱光探测的高纯纳米结构ZnGa2O4的制备方法。ZnGa2O4带隙宽度为4.4‑4.7eV,具有优异的热学和化学稳定性、较高的电子迁移率,能承受较高电流冲击,可用于深紫外光电探测器、发光二极管、低电压发光。本发明采用液相激光烧蚀和溶剂热法相结合的方式,通过在液体介质中激光烧蚀高纯锌靶和氧化镓靶,获得高活性溶剂热前驱体,经过溶剂热法合成高纯纳米结构ZnGa2O4。本发明所采用方法与现有ZnGa2O4纳米材料制备方法相比,具有产物高纯度、单一相结构、结晶性良好、尺寸均一、形貌可控、制备简单、实验环境温和、反应时间短等优点;制备的ZnGa2O4纳米材料可用于组装成深紫外光电探测器,并可实现对极弱光高灵敏、快响应、耐高压探测。

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