公开(公告)号：CN112230709A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN202011112962.8

申请日：2020-10-16

Applicant: 南京大学

Inventor： 潘红兵 ,  李张南 ,  顾郅扬 ,  柴智 ,  胡心怡 ,  王子豪 ,  沈凡翔 ,  王凯 ,  王宇宣

IPC: G06E3/00 ,  G02B5/20 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明公开了一种可实现高精度光输入的光电计算装置及校准方法。其装置包括发光阵列、光电计算阵列和光学调制机构，发光阵列由多个发光单元周期性排列组成，光电计算阵列由多个光电计算单元周期性排列组成，光学调制机构用于对发光单元发出的光子进行调制；光电计算装置还包括辅助对准机构，辅助对准机构使得发光单元发出的光子经过光学调制机构后能够入射在计算关系上与发光单元相对应的光电计算单元中；辅助对准机构包括至少一个可成像阵列，可成像阵列与发光阵列或光电计算阵列二者之一在整个装置的光路中相对于另一者具有对易性。本发明不仅可以提高光输入的精度，而且可以方便地进行现场校准或调焦。

公开(公告)号：CN111969983A

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN202010697791.3

申请日：2020-07-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  任势达 ,  王凯 ,  沈凡翔 ,  李张南 ,  柴智

IPC: H03K5/22

Abstract: 本发明公开了一种电流减法电路。该电路包括9个晶体管，其中，晶体管M1的漏端和晶体管M5的漏端分别连接输入电流信号I1、I2；晶体管M1的源端、晶体管M3的栅端和漏端分别与晶体管M4的栅端相连；晶体管M2的源端和晶体管M4的漏端相连；晶体管M5的源端、晶体管M7的栅端和漏端分别与晶体管M8的栅端相连；晶体管M6的源端和晶体管M8的漏端相连；晶体管M2的漏端、晶体管M6的漏端、晶体管M9的栅端分别和晶体管M9的源端相连。本发明具有面积小，功耗低，成本低，集成度高等优点，能够很好地抑制微纳米工艺下晶体管的沟道长度调制效应，从而提高电流减法电路的线性度和精确度。