公开(公告)号：CN102517576A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110436093.9

申请日：2011-12-22

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王波 ,  刘云辉 ,  宋雪梅 ,  王如志 ,  张铭 ,  朱满康 ,  侯育冬 ,  刘晶冰 ,  汪浩 ,  严辉

IPC: C23C22/54 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种简易的长效超亲水钼表面的制备方法，属于功能材料技术领域。对金属钼分别用甲苯、丙酮、酒精超声清洗，保存酒精中；用质量分数50-60％的HNO3溶液在40-50℃的环境下保持5分钟祛除表面污物与氧化物；然后放入反应溶液中，在150-180℃条件下进行5-24小时水热反应，用去离子水冲洗干净，在100-200℃条件下空气中热处理0.5-1.0小时即可，反应溶液为质量浓度60-68％的HNO3溶液和0.05-0.5M的十二烷基苯磺酸钠溶液按体积比(5-15)∶(40-100)组成的溶液。本发明可以很大程度用来改善其在表面润湿性能，广泛提高钼材料的应用，制备方法工艺简单、易操作、工艺重复性好。

公开(公告)号：CN101264449B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200810106142.0

申请日：2008-05-09

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 汪浩 ,  吴晓 ,  李坤威 ,  严辉 ,  朱满康 ,  侯育冬 ,  王如志 ,  王波 ,  宋雪梅 ,  张铭

IPC: B01J23/80 ,  B01J21/06

Abstract: TiO2/ZnFe2O4磁性复合光催化剂的制备方法属于纳米光催化剂材料制备技术领域。本发明采用磁性材料ZnFe2O4作载体，不需要添加任何有机物质或中间层，通过溶胶凝胶的方法，组装成复合纳米颗粒的磁性光催化剂，既可以保持较好的悬浮性而且具有较高的光催化活性，又可利用磁分离技术方便迅速的回收磁性光催化剂，达到多次再生利用的目的。

公开(公告)号：CN101717251A

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200910242211.5

申请日：2009-12-04

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱满康 ,  欧阳明智 ,  侯育冬 ,  雷娜 ,  汪浩 ,  严辉

IPC: C04B35/472 ,  C04B35/622 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明公开了一种改性钛酸铅压电陶瓷材料，以Pb0.88(La0.6Nd0.4)0.08(Mn1/3Sb2/3)0.02Ti0.98O3体系为基体，Co2O3为掺杂氧化物，Co2O3掺杂量为基体的0.15-0.85％质量比；本发明还公开了一种改性钛酸铅压电陶瓷材料的制备方法，包括按Pb0.88(La0.6Nd0.4)0.08(Mn1/3Sb2/3)0.02Ti0.98O3和Co2O3配料、混料、轧膜、排塑、烧结步骤。利用本发明提供的方法获得的压电陶瓷材料，具有高的居里温度，能满足无铅焊接工艺(如回流焊)的要求，同时，压电系数d33可达到72～78pC/N，机械品质因子Qm可达到2000～2200，厚度模式机电耦合系数kt可达到42～49％，符合高频频率器件，如谐振器、滤波器等引线元件应用要求。

公开(公告)号：CN101476121A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200910077832.2

申请日：2009-01-23

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王波 ,  裴明德 ,  孙宏达 ,  张雪红 ,  宋雪梅 ,  严辉 ,  朱满康 ,  汪浩 ,  王如志 ,  侯育冬 ,  张铭

IPC: C23C22/63 ,  C23C22/82

Abstract: 本发明公开了一种利用低压氧化法在铜表面制备超疏水薄膜的方法，可应用于需要防水附着的各种铜表面。属于材料的表面物理化学领域。现有技术主要是利用低表面能的有机化学试剂修饰，达到超疏水的目的。然而，这种用有机化学试剂进行表面处理的方法成本较高，工艺复杂，对环境也有影响。本发明提供了一种简单的低压氧化法，在铜表面生成具有双层微纳结构的氧化铜薄膜，从而达到超疏水状态。这就免去了低表面能有机化学试剂修饰的过程，节省了制作成本，简化了工艺，且减少了有机废物的排放。

公开(公告)号：CN101285168A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200810056012.0

申请日：2008-01-11

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王波 ,  李国星 ,  刘毅 ,  宋雪梅 ,  李耳 ,  严辉 ,  朱满康 ,  汪浩 ,  王如志 ,  侯育冬 ,  张铭

IPC: C23C14/34

Abstract: 具有超疏水性能的多孔导电纳米铜薄膜材料的制备方法属于表面技术领域。目前还没有具有超疏水性能的同时并具备导电性能的多孔纳米铜膜的报道。所采用的技术方案是在固体表面先用高功率沉积一层金属铜薄膜，然后采用小功率溅射法对金属铜薄膜表面进行小功率溅射沉积。我们的研究表明，直接先沉积的一层金属铜表面接触角在90度左右，在经过稳定的小功率溅射沉积后，接触角在155℃左右，达到超疏水性，并同时保持良好的导电性能。本发明的纳米多孔薄膜材料不但具有超疏水性，并且比其它超疏水薄膜材料拥有较好的机械性能，优良的热传导性和良好的导电性能。该薄膜材料主要应用于微流器件、生物芯片、半导体芯片表面技术等领域。

公开(公告)号：CN100347343C

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200510114853.9

申请日：2005-11-18

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王波 ,  李国星 ,  宋雪梅 ,  严辉 ,  汪浩 ,  朱满康 ,  侯育冬 ,  王如志 ,  张铭

IPC: C23C28/00 ,  C23C14/00 ,  C23C16/34 ,  C23F4/04

Abstract: 本发明属材料的表面物理化学领域。现有无机材料疏水性的研究，主要是用非晶碳薄膜，但难实现良好的透明性，且化学稳定性不如氮化硼薄膜。一种透明疏水的氮化硼薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：用常规气相沉积方法在作为基底的固体表面上沉积一层氮化硼薄膜，厚度在0.2微米到2.5微米的范围；然后将真空室中充入氩气，并控制工作气压在0.2～4.0Pa，施加射频电磁场，射频功率在50～200W，利用气体分子电离所产生的离子的对薄膜表面进行刻蚀，刻蚀时间控制在5～30分钟。为了提高刻蚀效果，可充入体积百分比为15%～80%的含氟气体。本发明的氮化硼薄膜表面不仅具有良好的疏水性能，并保持良好的透明性，适用于在需要透明、防雾、防水及易清洁的固体表面处理。

公开(公告)号：CN1321901C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610057988.0

申请日：2006-03-03

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱满康 ,  唐剑兰 ,  侯育冬 ,  钟涛 ,  宋雪梅 ,  王波 ,  汪浩 ,  严辉

IPC: C01G33/00 ,  C04B35/495

Abstract: 本发明属电介质陶瓷材料领域。现有液相化学法缺点：产物中残留氯化物杂质，产生有毒气体；铌醇盐价格昂贵，易水解。本发明步骤：将摩尔比为1∶8的Nb2O5-KOH混合物经340-380℃煅烧1-2h，溶于去离子水，硝酸滴定pH值至2-3得到沉淀，分离并溶于草酸溶液，搅拌后得到含铌草酸溶液A；氨水滴定溶液A至pH值为10-11，经分离和洗涤获得沉淀物B；将沉淀物B溶于硝酸溶液，并按最终化合物Pb(M，Nb)O3化学计量比，加入Pb(NO3)2及与M的硝酸盐；滴加铌摩尔量1-10倍的双氧水，搅拌10-30min得到前驱体溶液C；用氨水或二乙胺作为沉淀剂，调节溶液CpH值至10-13，得到共沉淀产物D；将产物D离心，洗涤，80-100℃干燥后在800-900℃煅烧1-4h，得到Pb(M，Nb)O3粉末。本发明过程简单无害，产物具纯钙钛矿相和均一粒径，成本降低。

公开(公告)号：CN1311902C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200510123977.3

申请日：2005-11-25

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱满康 ,  钟涛 ,  侯育冬 ,  唐剑兰 ,  汪浩 ,  王波 ,  严辉

IPC: B01J23/20 ,  B01J37/04 ,  C04B35/495 ,  C01G33/00 ,  C01B3/02

Abstract: 本发明属功能陶瓷领域。目前制备铌酸盐薄膜用铌的醇盐作原料，要求控制精确，时间长，成本高。本方法步骤：按Nb2O5∶柠檬酸＝1∶10～20称水合氧化铌和柠檬酸，加入到乙二醇单甲醚中，再加过氧水，70～90℃下回流4～8h形成含铌溶液；醋酸钾溶于乙酸溶液得含钾溶液；将含钾溶液和含铌溶液按K∶Nb＝4.0～4.2∶6混合，浓度0.10～0.15M，70～90℃下混合30～45分钟形成前驱液，陈化24～48h；旋涂成膜，甩胶速度3000～4000转/分，时间为30～45s，干燥，350℃～400℃预处理10～15分钟，经3～4次成膜-干燥-预处理，获得80～100nm的薄膜后，再以10～15℃/分升至600～700℃，退火10～15min。本发明不需用昂贵的铌醇盐，前驱液稳定性好，薄膜具良好(040)择优取向结构、光催化分解水制氢能力。

公开(公告)号：CN1562872A

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN200410033901.7

申请日：2004-04-19

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 汪浩 ,  刘晶冰 ,  侯育冬 ,  朱满康 ,  严辉

IPC: C04B35/36 ,  C04B35/622 ,  C04B35/632 ,  H01L41/187

Abstract: 无铅压电陶瓷Na0.5Bi0.5TiO3纳米线的制备方法属于压电陶瓷材料领域。传统制备NBT粉体的方法是固相烧结法，得到的粉体由于高温处理很容易团聚并且尺寸分布不均匀。该方法特征在于包括以下步骤：按摩尔比1∶1∶2称量的硝酸铋、硝酸钠和钛酸四丁酯，分别依次溶解于醋酸、去离子水及乙醇中，然后将三种溶液混合并搅拌均匀，制成溶胶；烘干，获得凝胶粉；凝胶粉加入到8～10M氢氧化钠的水溶液中，搅拌均匀后，装入密闭的反应釜中140℃～180℃下晶化12～24h；晶化后抽滤，用去离子水洗涤，干燥，即得所需产物。目的是提供一种原材料便宜及生产工艺简单、能耗小、具有纯相的钙钛矿结构、均一粒径的无铅压电陶瓷Na0.5Bi0.5TiO3纳米线的制备方法。

公开(公告)号：CN118405924A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410502564.9

申请日：2024-04-25

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 侯育冬 ,  席凯彪 ,  黄圣宸 ,  朱满康 ,  郑木鹏

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  H10N30/853 ,  H10N30/097

Abstract: 一种具有优异能量收集温度稳定性的无铅高熵压电陶瓷材料及制备，属于压电陶瓷材料领域。该陶瓷材料的基体化学组成为(1‑x)[0.96(K0.48Na0.52)(Nb0.96Sb0.04)O3‑0.04(Bi0.5Na0.5)ZrO3]+x[0.70BiFeO3‑0.30BaTiO3+0.1mol％MnO2]，其中x的数值为0，0.05和1，对应构型熵△S为0.93R，1.46R和1.22R，优选其中x数值为0.05的高熵材料体系。按相应计量比配料，采用湿磨、烘干、造粒、压制成型、烧结步骤制备样品。本发明实现了无铅压电能量收集器在宽温区稳定发电，对压电能量收集技术工业具有重大的推进作用。