公开(公告)号：CN101410549A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200780011115.9

申请日：2007-01-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 植田晓彦 ,  目黑贵一 ,  山本喜之 ,  西林良树 ,  今井贵浩

IPC: C23C16/511 ,  C30B29/04 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/105 ,  C23C16/24 ,  C23C16/511 ,  C30B29/04 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 一种微波等离子体CVD系统，其在可沉积大面积高品质金刚石薄膜的条件下可以令人满意地进行等离子体的位置控制。该微波等离子体CVD系统包括：真空腔(1)，其上部中心具有导入微波(20)的开口部(2)；基材支持台(11)，用于支持真空腔内基材；波导，用于将微波导入至开口部；介电窗(22)，用于将微波导入至真空腔；以及天线部(25)，用于将微波导入至真空腔，该天线部由圆棒部(23)和电极部(24)构成，该圆棒部(23)位于波导、开口部和介电窗的中心，该电极部(24)与该真空腔的上部结合以夹持介电窗从而保持真空。该电极部(24)的端面形成为宽于介电窗以遮蔽该介电窗，并且在真空腔中心侧的电极部(24)的表面上形成预定尺寸的凹部(26)。

公开(公告)号：CN101400833A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200780008725.3

申请日：2007-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 植田晓彦 ,  目黑贵一 ,  山本喜之 ,  西林良树 ,  今井贵浩

IPC: C30B29/04

Abstract: 本发明提供一种在磷原子/碳原子比为3％以上的条件下，在{111}单晶衬底的主表面上生长在300K下具有300Ωcm以下的电阻率的低电阻掺磷外延薄膜的方法，其特征在于主表面具有0.50°以上的倾斜角。根据本发明的具有低电阻掺磷金刚石外延薄膜的金刚石单晶的特征在于，薄膜表面相对于{111}面具有0.50°以上的倾斜角，以及在300K下低电阻掺磷金刚石外延薄膜的电阻率是300Ωcm以下。

公开(公告)号：CN100456490C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200480033959.X

申请日：2004-11-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 难波晓彦 ,  西林良树 ,  今井贵浩

IPC: H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  H01J1/30

CPC classification number: H01L29/1602

Abstract: 本发明涉及在较大的温度范围中充分降低载流子浓度的变化量的金刚石n型半导体等。该金刚石n型半导体，具备金刚石基板和在其主面上形成的被判定为n型的金刚石半导体。该金刚石半导体，在被判定为n型的温度区域内的一部分温度中，载流子浓度(电子浓度)的温度依存性显示负的相互关系的同时，霍尔系数的温度依存性显示正的相互关系。具有这种特性的金刚石n型半导体，例如可以通过一边将施主元素以外的杂质元素导入金刚石基板，一边形成大量掺入施主元素的金刚石半导体后获得。

公开(公告)号：CN1813329A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200480018499.3

申请日：2004-09-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 辰巳夏生 ,  西林良树 ,  今井贵浩

IPC: H01J1/304 ,  H01J1/308

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J1/308 ,  H01J2237/06325 ,  H01J2237/3175

Abstract: 提供了一种比传统器件更小的、能够在更低电压下、更有效地进行操作的电子发射器件。该器件包括用于向阴极照射光线的光发射器件，其中至少阴极的电子发射面是由金刚石做成的。通过按照这种方式组成器件，可以使抽出电子的电压比传统器件降低很大余量，并因此获得能够以低电压进行操作的小器件。优选地，将光发射器件与阴极形成一个单元，同样优选地，光发射器件和电极是由金刚石做成的。此外，优选地，阴极的电子发射面是n－或p－型金刚石半导体。