公开(公告)号：CN114729469B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202080081826.9

申请日：2020-08-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西林良树 ,  寺本三记 ,  小林豊 ,  角谷均 ,  佐藤一成 ,  豊岛辽

IPC: C30B29/04 ,  C30B9/10 ,  B23B27/20 ,  B23B27/14

Abstract: 一种包含氮的合成单晶金刚石，在X射线吸收精细结构光谱中，3/4值全宽为3eV以上的能量405±1eV处的峰的强度I405与能量412±2eV处的峰的强度I412的比I405/I412低于1.5。

公开(公告)号：CN114655953B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202210130434.8

申请日：2015-08-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西林良树 ,  辰巳夏生 ,  角谷均 ,  仲前一男

IPC: C01B32/26 ,  C01B32/28

Abstract: 本发明提供：一种制造金刚石的方法，所述方法能够在短时间内将所述金刚石与基板分离并且使得所述基板和所述金刚石各自的分离表面平坦；一种通过所述制造金刚石的方法获得的金刚石；和使用所述金刚石的金刚石复合基板、金刚石接合基板和工具。本发明的通过气相合成法制造金刚石的方法包括如下步骤：准备包含金刚石籽晶的基板；通过气相合成法在所述基板的主表面上形成光吸收层；通过气相合成法在所述光吸收层的主表面上生长金刚石层；和通过从所述金刚石层和所述基板中的至少一者的主表面施加光以使所述光吸收层吸收光并造成所述光吸收层破碎，从而将所述金刚石层与所述基板分离。

公开(公告)号：CN117480284A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202280042116.4

申请日：2022-05-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 角谷均 ,  李真和 ,  寺本三记

IPC: C30B29/04

Abstract: 一种合成单晶金刚石，所述合成单晶金刚石是以原子数基准计包含50ppm以上且1200ppm以下的浓度的氮原子的合成单晶金刚石，其中，所述合成单晶金刚石的红外吸收光谱在波数1460cm‑1以上且1470cm‑1以下的范围内具有吸收信号。

公开(公告)号：CN116997688A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202280019664.5

申请日：2022-02-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 角谷均 ,  西林良树 ,  左亦康 ,  李真和 ,  寺本三记 ,  小林丰

IPC: C30B29/04

Abstract: 一种单晶金刚石，其中，所述单晶金刚石的每单位厚度的相位差的平均为10nm/mm以下，所述相位差的标准偏差为5nm/mm以下。

公开(公告)号：CN115698393A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180040021.4

申请日：2021-05-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 角谷均 ,  李真和 ,  寺本三记

IPC: C30B29/04 ,  C01B32/26 ,  C30B9/10 ,  C30B33/04

Abstract: 一种合成单晶金刚石，其是按原子数基准计以100ppm以上且1500ppm以下的浓度包含氮原子的合成单晶金刚石，其中，所述合成单晶金刚石包含聚集体，所述聚集体由一个空穴和与所述空穴相邻地存在的三个取代型氮原子构成，所述合成单晶金刚石的一阶拉曼散射光谱中的峰的拉曼位移λ’cm‑1与按原子数基准计以1ppm以下的浓度包含氮原子的合成IIa型单晶金刚石的一阶拉曼散射光谱中的峰的拉曼位移λcm‑1示出下述式1的关系，λ’‑λ≥0式1。

公开(公告)号：CN114729469A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202080081826.9

申请日：2020-08-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西林良树 ,  寺本三记 ,  小林豊 ,  角谷均 ,  佐藤一成 ,  豊岛辽

IPC: C30B29/04

Abstract: 一种包含氮的合成单晶金刚石，在X射线吸收精细结构光谱中，3/4值全宽为3eV以上的能量405±1eV处的峰的强度I405与能量412±2eV处的峰的强度I412的比I405/I412低于1.5。

公开(公告)号：CN110933945B

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN201880003675.8

申请日：2018-07-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 角谷均 ,  山本佳津子

IPC: C30B29/04 ,  C04B35/52 ,  B23B27/14 ,  B23B27/20 ,  B23C5/16

Abstract: 一种金刚石多晶体，其中在JIS Z 2251:2009定义的条件下进行的努普硬度试验中a'与a之比(a'/a)的值为0.99以下，其中a表示当试验负荷为4.9N的努普压头压到所述金刚石多晶体的表面上时，在所述金刚石多晶体的表面形成的第一努普压痕的较长对角线的长度，a'表示在解除试验负荷后，在所述金刚石多晶体的表面留有的第二努普压痕的较长对角线的长度。

公开(公告)号：CN114514213A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202080066747.0

申请日：2020-07-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 角谷均 ,  石田雄

IPC: C04B35/5831 ,  B23B27/14 ,  B23B27/20 ,  B23C5/16 ,  C30B29/40

Abstract: 多晶立方晶氮化硼包含立方晶氮化硼颗粒组。第二长度与第一长度之比为0.99以下。其中，第一长度以及第二长度分别是通过ISO4545‑1以及ISO4545‑4所规定的条件的努氏硬度试验，在形成有凹陷的多晶立方晶氮化硼的表面测定的值。第二长度表示凹陷的较长的对角线的长度。第一长度表示第二长度与条纹状压痕的长度的合计。条纹状压痕的长度通过利用场发射型扫描型电子显微镜以5000倍以上且10000倍以下的倍率对多晶立方晶氮化硼的表面进行观察来测定。第二长度通过利用光学显微镜以500倍以上且1000倍以下的倍率对多晶立方晶氮化硼的表面进行观察来测定。

公开(公告)号：CN107108229B

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN201680004607.4

申请日：2016-10-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 角谷均 ,  佐藤武

IPC: C01B32/25 ,  C04B35/52

Abstract: 复合多晶体包含：由相互直接结合的金刚石粒子形成的多晶金刚石，以及分散在所述多晶金刚石中的非金刚石碳，该复合多晶体中所含的氢的浓度为1000ppm以下。

公开(公告)号：CN107108230B

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201680004553.1

申请日：2016-10-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 角谷均 ,  佐藤武

IPC: C01B32/26 ,  B23B27/14 ,  B23B27/20

Abstract: 一种复合多晶体,包含：由相互直接结合的金刚石粒子形成的多晶金刚石，以及分散在所述多晶金刚石中的非金刚石碳，该复合多晶体中所含的氢的浓度大于1000ppm且小于等于20000ppm。