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公开(公告)号：CN100456490C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200480033959.X
申请日：2004-11-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/1602
Abstract: 本发明涉及在较大的温度范围中充分降低载流子浓度的变化量的金刚石n型半导体等。该金刚石n型半导体，具备金刚石基板和在其主面上形成的被判定为n型的金刚石半导体。该金刚石半导体，在被判定为n型的温度区域内的一部分温度中，载流子浓度(电子浓度)的温度依存性显示负的相互关系的同时，霍尔系数的温度依存性显示正的相互关系。具有这种特性的金刚石n型半导体，例如可以通过一边将施主元素以外的杂质元素导入金刚石基板，一边形成大量掺入施主元素的金刚石半导体后获得。
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公开(公告)号：CN100395898C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN03158713.5
申请日：2003-09-22
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 财团法人精细陶瓷中心
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/34 , Y10T428/30
Abstract: 一种金钢石电子发射元件，其设置有一个基片以及许多由金钢石构成且侧面为平面的四棱柱(微型突起)，这些四棱柱等间隔地排列在基片上。顶端面(水平截面)为四边形形状，其长边边长为a[nm]，短边边长为ka[nm]，且在短边一侧的一个侧面上形成有一层二氧化硅(SiO2)薄膜。长边的边长a[nm]和短边的边长ka[nm]满足下列公式(1)和(2)的关系表达式：见右下式；nλ＝C1...(2)，其中：C1：每个四棱柱内部生成的光在该四棱柱侧面上反射时，环绕某一特定环路，一圈的距离为[nm]；n：一个任意正整数；以及λ：构成四棱柱的金钢石的发射峰值波长λ[nm]。
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公开(公告)号：CN1813329A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200480018499.3
申请日：2004-09-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , H01J1/308 , H01J2237/06325 , H01J2237/3175
Abstract: 提供了一种比传统器件更小的、能够在更低电压下、更有效地进行操作的电子发射器件。该器件包括用于向阴极照射光线的光发射器件，其中至少阴极的电子发射面是由金刚石做成的。通过按照这种方式组成器件，可以使抽出电子的电压比传统器件降低很大余量，并因此获得能够以低电压进行操作的小器件。优选地，将光发射器件与阴极形成一个单元，同样优选地，光发射器件和电极是由金刚石做成的。此外，优选地，阴极的电子发射面是n－或p－型金刚石半导体。
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公开(公告)号：CN1503381A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN03158713.5
申请日：2003-09-22
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 财团法人精细陶瓷中心
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/34 , Y10T428/30
Abstract: 一种金钢石电子发射元件，其设置有一个基片以及许多由金钢石构成且侧面为平面的四棱柱(微型突起)，这些四棱柱等间隔地排列在基片上。顶端面(水平截面)为四边形形状，其长边边长为a[nm]，短边边长为ka[nm]，且在短边一侧的一个侧面上形成有一层二氧化硅(SiO2)薄膜。长边的边长a[nm]和短边的边长ka[nm]满足下列公式(1)和(2)的关系表达式：(2)。C1：每个四棱柱内部生成的光在该四棱柱侧面上反射时，环绕某一特定环路，一圈的距离为[nm]；n：一个任意正整数；以及λ：构成四棱柱的金钢石的发射峰值波长λ[nm]。
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