公开(公告)号：CN102418149A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201010299350.4

申请日：2010-09-25

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 何永根 ,  禹国宾 ,  吴兵 ,  林静

IPC: C30B33/02 ,  H01L21/66 ,  H01L21/00

Abstract: 一种低温快速热处理的温度监控方法，包括：提供P型掺杂的半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有非晶区；对所述半导体衬底进行离子激活处理；对所述半导体衬底进行低温快速热处理；检测所述半导体衬底表面的衬底参数；基于衬底参数与反应温度的对应关系，确定所述低温快速热处理的实际反应温度。本发明基于半导体衬底中掺杂离子的失活效应来监测低温快速热处理的反应温度，提高了在低温快速热处理温度范围内所述监测的准确性。

公开(公告)号：CN101399190A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200710046799.8

申请日：2007-09-30

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 宋化龙 ,  冯永刚 ,  张复雄 ,  林静

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  B82B3/00

Abstract: 一种制作硅纳米点的方法，包括下列步骤，提供无定形硅；在所述无定形硅上形成籽晶；对所述无定形硅和籽晶退火形成硅纳米点；氧化所述硅纳米点形成氧化硅，以隔离相邻硅纳米点。本发明还公开了一种制作非易失性存储器的方法。所述制作硅纳米点的方法以及制作非易失性存储器的方法能够使得所形成的非易失性存储器中的硅纳米点的尺寸较小，并且隔离度较好，从而提高了非易失性存储器的存储性能。

公开(公告)号：CN101330013A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200710042350.4

申请日：2007-06-21

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 代培刚 ,  虞肖鹏 ,  林静 ,  宋化龙

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/28273 ,  H01L29/66825

Abstract: 一种隧穿氧化层的制作方法，包括下列步骤：用原位蒸汽产生氧化法在半导体衬底上形成隧穿氧化层；对隧穿氧化层进行退火。还提供一种快闪存储器的制作方法。本发明对隧穿氧化层进行退火，使隧穿氧化层中的氧化硅与半导体衬底界面附近的硅的悬挂键终结，进而达到提高隧穿氧化层擦除速率。