公开(公告)号：CN104576388B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201310479778.0

申请日：2013-10-14

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 三重野文健

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请公开了一种鳍式场效应管及其制作方法。其中，鳍式场效应管包括形成在半导体衬底上的介质层和鳍片、栅极结构及设置在鳍片上的外延层，外延层包括在鳍片的源漏区沟槽内依次沉积的第一外延层和第二外延层，其中，第一外延层为碳掺杂浓度小于第二外延层为碳掺杂浓度。外延层在生长的过程中不会形成矩形的轮廓，外延层横向衍生的距离比较短，相邻的外延层就不会粘在一起，克服了现有技术中生长在鳍片上外延层的外表面会产生矩形（或近似矩形）的轮廓而造成的相邻鳍片上所生长的外延层之间距离过缩减的技术问题。

公开(公告)号：CN104425275B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201310398623.4

申请日：2013-09-04

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 三重野文健

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66795

Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域；在半导体衬底的第一区域表面形成第一伪鳍部，在半导体衬底的第二区域表面形成第二伪鳍部；在所述半导体衬底表面形成绝缘材料层，所述绝缘材料层的表面与第一伪鳍部、第二伪鳍部的顶面齐平；去除所述第一伪鳍部，形成第一凹槽；在所述第一凹槽内填充第一半导体材料，形成第一鳍部，所述第一鳍部的顶面与绝缘材料层顶面齐平；去除所述第二伪鳍部，形成第二凹槽；在所述第二凹槽内填充第二半导体材料层，形成第二鳍部，所述第二鳍部的顶面与绝缘材料层顶面齐平。上述方法可以形成具有不同鳍部材料的鳍式场效应晶体管，从而提高鳍式场效应晶体管的性能。

公开(公告)号：CN104979173B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201410131364.3

申请日：2014-04-02

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 三重野文健

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有：相邻的第一栅极和第二栅极，第一栅极和第二栅极之间的半导体衬底内具有第一源漏区；在半导体衬底上形成第一介质层，所述第一介质层的表面与第一栅极、第二栅极的表面齐平；对第二栅极进行第一刻蚀，去除部分厚度的第二栅极，使第二栅极的顶部表面低于第一栅极的顶部表面；在刻蚀后的第二栅极顶部表面形成表面与第一介质层的表面齐平的第二介质层；在第一介质层、第一栅极和第二介质层表面形成第三介质层；在第三介质层和第一介质层内形成第一接触孔，第一接触孔暴露出第一栅极表面及第一源漏区表面。上述方法可以提高接触孔的可靠性。

公开(公告)号：CN104952716B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201410113838.1

申请日：2014-03-25

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 三重野文健

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域，所述第一区域上形成有若干凸起的第一栅极结构，相邻第一栅极结构之间具有第一凹槽；对第一凹槽侧壁表面进行疏水处理，使第一凹槽具有疏水性侧壁；采用流动性化学气相沉积工艺在所述第一凹槽内形成第一介质层，所述流动性化学气相沉积工艺采用的反应物为亲水性物质，在所述疏水性侧壁的作用下，使所述第一介质层内具有空气隙。所述方法可以降低第一介质层的介电系数，降低相邻第一栅极结构之间的寄生电容。

公开(公告)号：CN103943502B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201310024103.7

申请日：2013-01-22

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 三重野文健 ,  殷华湘

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中所述鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域内具有凸起的鳍部、位于所述鳍部上的栅极结构；在所述第一区域的栅极结构两侧形成第一侧墙，所述第一侧墙覆盖的部分鳍部构成第一负遮盖区；在所述第二区域的栅极结构两侧形成第二侧墙，所述第二侧墙的宽度小于所述第一侧墙的宽度，所述第二侧墙覆盖的部分鳍部构成第二负遮盖区；对所述第一区域和第二区域的栅极结构两侧的鳍部进行离子注入，形成源区和漏区。本发明的鳍式场效应晶体管的形成方法可以形成具有不同阈值电压的鳍式场效应晶体管，且工艺简单。

公开(公告)号：CN104576663B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201310505156.0

申请日：2013-10-23

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 三重野文健

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感单元及其形成方法，所述图像传感单元的形成方法包括：提供基底，所述基底内形成有金属插塞，所述金属插塞的表面与基底表面齐平；形成覆盖所述基底表面和金属插塞表面的介质层；在所述介质层表面形成具有开口的掩膜层，所述开口位于金属插塞表面正上方；沿所述开口，刻蚀所述介质层，形成凹槽，所述凹槽底部暴露出金属插塞的顶部表面；去除所述掩膜层；在所述凹槽内壁表面形成像素电极层；在所述像素电极层表面形成填充满所述凹槽并覆盖所述介质层的有机光电转换层。上述方法可以提高图像传感单元的性能。

公开(公告)号：CN103855022B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201210514550.6

申请日：2012-12-04

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 三重野文健

IPC: H01L21/336

Abstract: 一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成鳍部，所述鳍部包括位于鳍部的两端的源漏区域和源漏区域之间的沟道区域；刻蚀所述鳍部的源漏区域，使所述源漏区域的高度下降；在所述被刻蚀过的源漏区域表面形成非晶硅层；对所述非晶硅层进行退火，形成多晶硅层，所述多晶硅层对鳍部的沟道区域产生拉应力。所述方法，能够提高鳍式场效应晶体管的沟道内电子的迁移率，提高N型鳍式场效应晶体管的性能。

公开(公告)号：CN103915386B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201310006455.X

申请日：2013-01-08

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 三重野文健

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 一种CMOS晶体管及其形成方法，所述CMOS晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有伪栅极，位于所述伪栅极两侧的半导体衬底内的源区和漏区，覆盖所述侧墙以及所述源区和漏区的第一介质层；去除所述NMOS区域和PMOS区域内的伪栅极，形成第一开口；在所述第一开口内形成功函数层和金属栅极；去除部分所述功函数层和金属栅极，形成第二开口；在所述第二开口内形成盖帽金属层；在所述盖帽金属层上形成第二介质层，所述第二介质层的表面与所述第一介质层的表面齐平。本发明的CMOS晶体管的形成方法可以防止栅极结构与源区和漏区上的插塞之间产生漏电流。

公开(公告)号：CN103928328B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310009285.0

申请日：2013-01-10

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 三重野文健

IPC: H01L21/336

Abstract: 一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有凸起的鳍部，位于所述鳍部上的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分所述鳍部的顶部和侧壁，位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源区和漏区；在所述源区和漏区上形成半导体外延层，所述半导体外延层表面具有棱角和凸出的尖端；氧化所述棱角和凸出的尖端，形成氧化层；去除所述氧化层。本发明的相邻两个鳍式场效应晶体管的嵌入式源/漏区之间不会接触，不会产生漏电流。

公开(公告)号：CN103426765B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201210165855.0

申请日：2012-05-24

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 三重野文健

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/785

Abstract: 一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行掺杂工艺，形成位于所述半导体衬底表面的掺杂层；形成位于所述掺杂层表面的硬掩膜层，以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀部分所述掺杂层，形成第一子鳍部；在所述半导体衬底表面形成绝缘层，所述绝缘层表面与所述第一子鳍部顶部齐平；形成绝缘层后，去除部分厚度的第一子鳍部，形成开口；在所述开口内形成第二子鳍部，所述第二子鳍部顶部与所述绝缘层表面齐平。同时还提供了一种鳍式场效应管的形成方法，形成的半导体器件、鳍式场效应管的沟道区应力大，载流子迁移率高，阈值电压低，且栅极漏电流小，性能稳定。