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公开(公告)号：CN105474791B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201218007106.6
申请日：2012-12-14
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明提出一种纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，包括以下步骤：采用化学气相渗透在纤维预制体的纤维上沉积一层或多层连续界面相；利用陶瓷有机前驱体溶液浸渍沉积了界面相的纤维预制体；将浸渍后的纤维预制体在真空炉中进行裂解，形成碳化硅基复合材料基体；将上述步骤获得的具有稳定形状的纤维预制体去除工装，获得成形体；将成形体浸渍有机前驱体溶液干燥后在真空炉中裂解，转化为陶瓷基体；重复上述步骤6～8次，获得相对致密的成形体；利用化学气相渗透将所获得材料进一步致密化。上述方法有利于制备复杂形状的纤维增强陶瓷基复合材料或部件，所获得的材料具有良好的抗热震性，同时陶瓷基体具有结合强度高的特点。
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公开(公告)号：CN106342035B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201218000408.0
申请日：2012-03-14
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明提出了一种耐烧蚀、抗热震纤维增强陶瓷基复合材料上的高温抗氧化涂层，其特征在于，该涂层是在纤维增强陶瓷基复合材料基底表面通过CVI工艺形成CVI-SiC增强层后再采用CVD工艺形成的SiC涂层；或在采用前述SiC涂层作为过渡层的基础上采用CVD工艺交替沉积MC或MB2中的一种或两种超高温陶瓷层和SiC层所形成的(MC/SiC)n或(MB2/SiC)n或(MC/MB2/SiC)n多层超高温抗氧化涂层，1≤n≤100，多层超高温抗氧化涂层中SiC层表面通过CVD工艺原位生长形成SiC纳米线和/或SiC晶须。此外，本发明还提出了该高温抗氧化涂层的制备方法。本发明可广泛应用于热结构件表面耐烧蚀、抗热震高温抗氧化涂层制备。
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公开(公告)号：CN102515765A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110402855.3
申请日：2011-12-07
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种耐超高温的复相陶瓷材料及其制备方法。所述的复相陶瓷材料是一种含有ZrC和SiC两种物相的陶瓷粉体，其中ZrC的含量为20～80wt％，余下为SiC。所述的复相陶瓷材料的制备方法是一种先驱体转化法。本发明所述的耐超高温的复相陶瓷材料的陶瓷产率，以碳化锆为计算基准，为49％；以聚碳硅烷为计算基准，为55％；不仅明显克服了目前采用先驱体转化法制备耐超高温陶瓷材料所存在的2个主要问题：①所制备的耐超高温陶瓷材料中的耐超高温组分含量太少；②所制备的耐超高温陶瓷产率太低；而且既具有ZrC又具有SiC的双重性能优点，可望在超高温领域得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN1850730A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200610026998.8
申请日：2006-05-26
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种气相渗硅工艺制备高致密纤维增强SiC基复合材料的制备方法。首先采用气相或液相途径在纤维表面形成保护层界面，然后通过在纳米SiC浆料浸渍、裂解，制备成具有一定致密度的纤维增强SiC基的预制体。再通过浸渍裂解方式向预制体中引入碳，形成具有一定孔隙的基体，经高温处理后，以气相硅的方式渗透多孔体内部，与碳反应并填充孔隙，得到致密基体。通过该工艺制成碳纤维增强SiC陶瓷基复合材料密度达到2.25－2.30g/cm3，开口空隙率在3－6％，大大高于传统化学气相渗透法或有机前驱物浸渍裂解解法得到Cf/SiC材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118834081A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202310444415.7
申请日：2023-04-24
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B41/87
Abstract: 本发明涉及一种环境障碍涂层‑SiCf/SiC陶瓷基复合材料的一体化制备方法，包括：将至少一层含稀土化合物的陶瓷素坯薄膜贴附在部分致密化的SiCf/SiC多孔复合材料的表面，再经过固化、裂解和液相渗硅后实现致密化，得到所述环境障碍涂层‑SiCf/SiC陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN117945782A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202211347326.2
申请日：2022-10-31
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B38/06 , C04B35/565 , C04B35/622 , C09K3/00 , H05K9/00 , B33Y10/00 , B33Y70/10
Abstract: 本发明涉及一种微观多孔的碳化硅基电磁屏蔽材料及其制备方法。所述微观多孔的碳化硅基电磁屏蔽材料的制备方法包括：(1)将石墨烯、碳纳米管和聚乙烯吡咯烷酮PVP超声分散至溶剂中，得到悬浮液后，再蒸发溶剂得到打印浆料；(2)采用3D打印技术，按3D打印模型将打印浆料构建成微观网络互连、宏观结构致密的三维石墨烯/碳纳米管结构；(3)将三维石墨烯/碳纳米管结构进行热处理移除聚合物PVP后，得到三维石墨烯/碳纳米管骨架；(4)利用化学气相沉积在石墨烯/碳纳米管骨架中石墨烯和碳纳米管表面原位包裹SiC基体，最终得到微观多孔的碳化硅基电磁屏蔽材料。
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公开(公告)号：CN117655950A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311614803.1
申请日：2023-11-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: B25B11/00
Abstract: 本发明涉及纤维增强陶瓷基复合材料制备技术领域，具体涉及一种制备纤维增强陶瓷基复合材料的夹具及制备方法。一种制备纤维增强陶瓷基复合材料的夹具，用于固定纤维束以避免纤维束在界面相沉积和基体相沉积过程中发生变形，其特征在于，包括压条，紧固装置和中空的石墨架，所述纤维束的两端分别放置在在石墨架的两边，所述压条设置在所述纤维束的两端的上方，所述紧固装置用于紧固所述压条和石墨架，以实现对于所述纤维束的紧固，其中所述紧固装置对所述纤维束在界面相沉积中的抵接力小于所述紧固装置对所述纤维束在基体相沉积中的抵接力。
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公开(公告)号：CN115784749A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202111056523.4
申请日：2021-09-09
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/577 , C04B35/80 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种耐高温水氧侵蚀的碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法。所述耐高温水氧侵蚀的碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法包括：（1）将SiC粉体、Re2O3粉体、粘结剂和溶剂混合，得到混合浆料；（2）将碳化硅纤维布或碳纤维布浸入混合浆料中，得到纤维预浸片后，再经裁剪、叠层、干燥、固化、一次热解，得到预制体；（3）将所得预制体浸渍树脂，再经二次热解和反应熔渗处理，得到耐高温水氧侵蚀的碳化硅陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN115774126A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202111057804.1
申请日：2021-09-09
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: G01Q60/24
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅陶瓷基复合材料微区弹性模量的测试方法，包括：（1）启动AFM接触式工作模式扫描碳化硅陶瓷基复合材料样品的抛光表面形貌，得到样品高分辨率形貌图像，然后启动AFM力/曲线工作模式对碳化硅陶瓷基复合材料样品进行力/曲线测定；（2）依据碳化硅陶瓷基复合材料样品的微区结构特征和弹性变形机制，建立探针/测试表面数学接触模型，通过Image Analysis软件计算单元对挠度‑位移曲线进行拟合，得到微区结构的弹性变形过程力‑位移曲线；所述微区结构包括纤维、基相体和界面相；（3）根据微区结构的弹性变形过程力‑位移曲线的曲线斜率计算出弹性模量。
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