公开(公告)号：CN101949844A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN201010262401.6

申请日：2010-08-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张永刚 ,  顾溢

IPC: G01N21/63

Abstract: 本发明涉及一种改善半导体材料光致发光测试效果的测试系统，包括激光器、光谱测量系统和光路部件，光路部件包括反射镜、透镜和抛物面镜，并构成测试光路。激光器激发的激光经过反射镜转换方向后由透镜聚焦直接照射在被测样品上，被测样品反射的激光通过抛物面镜收集转向准直后以宽光束形式送达光谱测量系统。本发明中的激光器根据半导体材料的特性选择合适的发射波长，从而获得较高的光致发光强度，提升光致发光测试能力及改善测试的灵敏度，并且本发明对光谱测量系统也没有限制和特殊要求，实现方式相当灵活。

公开(公告)号：CN101698962A

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200910198255.2

申请日：2009-11-03

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 顾溢 ,  张永刚

IPC: C30B29/40 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B25/16

Abstract: 本发明涉及一种精确控制四元系半导体直接带隙材料组分的生长与表征方法，包括采用常规分子束外延方法在衬底上生长四元系半导体材料；分别测试四元系半导体材料的室温晶格常数和室温禁带宽度；根据半导体材料室温晶格常数和禁带宽度与材料组分的关系进行计算得出材料组分；通过调节生长条件，重复操作直到材料组分与目标组分相符，即完成四元系半导体直接带隙材料的生长。该方法无需预先生长相应的三元系半导体材料，可以直接在衬底上生长四元系半导体直接带隙材料，在节约成本的同时，对所需材料的组分进行了准确有效地指导生长。

公开(公告)号：CN1731637A

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200510029274.4

申请日：2005-08-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李爱珍 ,  林春 ,  李华 ,  李存才 ,  胡建 ,  顾溢 ,  张永刚 ,  徐刚毅

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明涉及用气态源分子束外延技术生长含砷含磷量子级联激光器结构原子层尺度外延材料质量控制方法。包括：(1)外延层原子层界面砷/磷原子混凝控制方法；(2)外延层的组份均匀性的控制；(3)外延层厚度的控制以及(4)外延层施主掺杂的控制方法。上述四方面质量控制已成功地用气态源分子束外延一步生长方法制备出一系列25级至100级含400－2200层的中红外波段InP基含砷含磷InP/InAlAs/InGaAs量子级联激光器结构材料。所制备的400－2200层的QCL结构都能做出优质器件，表明本发明的QCL原子层尺度外延材料质量控制方法是成功的。其思路也适合于其它III－V族化合物半导体材料与器件。