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公开(公告)号：CN106299015B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201610847176.X
申请日：2016-09-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352
Abstract: 本发明涉及一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器，在半导体雪崩光电探测器的倍增层中包含有若干层量子点层，所述量子点层具有比倍增层更窄的禁带宽度，且与倍增层材料形成I型能带结构。本发明增益系数显著提升、过剩噪声得到抑制，可广泛应用于增强Si‑Ge、GaAs‑InAs、InP‑InGaAs、InAlAs‑InGaAs、GaAs‑AlSb等不同波段的雪崩探测器性能，提升高速光通讯、单光子计数、激光雷达、量子信息等雪崩探测器系统的应用水平。
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公开(公告)号：CN105609585B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510952593.6
申请日：2015-12-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法，包括：采用气态源分子束外延生长方法生长异质结一侧或双侧材料中含有两种或以上V族元素的组分递变过渡层，用两个或以上气态源进行生长，III族束源为固态，束流由快门切换实现控制；V族束源为气态，由压力或流量调节V族束流强度或V‑III比，获得组分递变过渡层。用本发明的材料生长方法获得的过渡层可以有效地缓解异质结器件中异质界面处的能带尖峰或晶格和组分突变对器件性能带来的负面效应，从而有利于提高器件性能或发展新型器件。
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公开(公告)号：CN103830847B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410088380.9
申请日：2014-03-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61N5/067
Abstract: 本发明提供了一种可以用于光感基因技术的微型遥控激光器，其内部集成了中央处理单元，通过无线射频模块接收外部指令，控制激光器的输出功率、脉冲频率和占空比等参数。同时，采用金属外壳封装，保证了其良好的散热特性，有效的延长了激光器的使用寿命。加入自动功率控制电路，使得激光器可以在较宽的温度范围内，实现稳定的功率输出。无线射频模块采用蓝牙技术，具有非常强的通用性和兼容性，可以用于连接多种设备，并很有效的控制了成本。内部的中央处理单元具有多路接口，可以外接多种传感器，也可以进行多路控制，具有很强的扩展能力，可实现智能监控。该装置具有功耗低、体积小、稳定性高、控制方便、应用面广、调节迅速的优点，非常适用于光感基因实验。
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公开(公告)号：CN106847952A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611155285.1
申请日：2016-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/105
CPC classification number: H01L31/028 , H01L31/035218 , H01L31/1055
Abstract: 本发明涉及一种Si基三维Ge量子点晶体光伏型近中红外双色探测器，所述探测器结构为PIN或NIP结构的光伏型光电二极管结构，其中以三维Ge量子点晶体作为光吸收区。本发明利用三维Ge量子点晶体内的高效基态微带带间跃迁和价带微带子带间跃迁形成强的近红外和中红外波段光吸收，从而同时实现对近中红外波段的高效双色探测，在红外传感技术领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN104073876B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410246865.6
申请日：2014-06-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C30B25/18
Abstract: 本发明涉及一种提高异质材料界面质量的分子束外延生长方法，在分子束外延生长异质材料时，先关闭生长前一层材料所需的所有快门，经过t秒后再打开生长后一层材料所需的所有快门，即可；其中，0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103066157B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310005426.1
申请日：2013-01-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种降低InP基InGaAs异变材料表面粗糙度的方法，通过在InP基普通InGaAs半导体异变缓冲层上外延一层反向失配超薄外延层来实现降低异变材料表面粗糙度，其厚度不超过异变缓冲层上反向失配外延层的临界厚度，一般为0.5-5nm。本发明不需要在过低的生长温度下生长材料，避免引入多余背景杂质，工艺简单，成本低，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103077995A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310013398.8
申请日：2013-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种利用电子阻挡层降低暗电流的InGaAs探测器及其制备方法。在InkGa1-kAs吸收层中加入应变补偿超晶格电子阻挡层，利用超晶格导带势垒阻挡电子降低暗电流。其制备方法包括：先在衬底上生长高掺杂P型InkAl1-kAs缓冲层，所述缓冲层同时作为下接触层；生长低掺杂N型InkGa1-kAs吸收层；生长应变补偿超晶格电子阻挡插入层，掺杂情况与吸收层相同为低掺杂N型；继续生长低掺杂N型InkGa1-kAs吸收层；生长高掺杂N型InkAl1-kAs上接触层，完成此探测器结构材料的生长。本发明能够利用电子阻挡层降低探测器暗电流。
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公开(公告)号：CN103066157A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310005426.1
申请日：2013-01-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种降低InP基InGaAs异变材料表面粗糙度的方法，通过在InP基普通InGaAs半导体异变缓冲层上外延一层反向失配超薄外延层来实现降低异变材料表面粗糙度，其厚度不超过异变缓冲层上反向失配外延层的临界厚度，一般为0.5-5nm。本发明不需要在过低的生长温度下生长材料，避免引入多余背景杂质，工艺简单，成本低，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101814429B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200910198257.1
申请日：2009-11-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/203
Abstract: 本发明涉及一种包含超晶格隔离层的大晶格失配外延材料缓冲层结构及其制备，在组分渐变缓冲层中插入n层无应变的超晶格隔离层材料，n为自然数，1≤n≤5；其制备过程为：首先确定生长温度、束源炉温度等参数；然后采用分子束外延方法依次在衬底上交替生长应变量逐渐增大的缓冲层和无应变超晶格隔离层材料，直至完成达到预期应变量的缓冲层的生长。本发明的材料包含了超晶格隔离层，能使大晶格失配外延材料在缓冲层中快速有效地发生弛豫而释放应力，从而减少缓冲层上外延材料的位错密度；并且采用常规的分子束外延方法进行材料的不间断生长，具有操作易控制，成本低，对环境友好等优点。
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公开(公告)号：CN101949844A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010262401.6
申请日：2010-08-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/63
Abstract: 本发明涉及一种改善半导体材料光致发光测试效果的测试系统，包括激光器、光谱测量系统和光路部件，光路部件包括反射镜、透镜和抛物面镜，并构成测试光路。激光器激发的激光经过反射镜转换方向后由透镜聚焦直接照射在被测样品上，被测样品反射的激光通过抛物面镜收集转向准直后以宽光束形式送达光谱测量系统。本发明中的激光器根据半导体材料的特性选择合适的发射波长，从而获得较高的光致发光强度，提升光致发光测试能力及改善测试的灵敏度，并且本发明对光谱测量系统也没有限制和特殊要求，实现方式相当灵活。
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