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公开(公告)号：CN102945924A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210537556.5
申请日：2012-12-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种TiSbTe相变存储材料、制备方法及其应用，按照化学通式Ti1-x-ySbxTey中Sb和Te的配比采用SbxTey合金靶以及Ti靶共溅射，其中，共溅射时，通入惰性气体和掺杂源，获得经掺杂的TiSbTe相变存储材料；所述Ti1-x-ySbxTey中，0
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公开(公告)号：CN102832340A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210335211.1
申请日：2012-09-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器单元及其制备方法，用于提升相变存储器中相变单元的操作速度；采用在相变存储单元的相变存储材料层中植入一层或几层锑Sb薄膜，以加快相变材料在可逆相变过程中的结晶速率。其中相变材料可以是二元的材料体系，如Ge-Te、Sb-Te等相变材料；也可以是三元的材料体系，如Ge-Sb-Te、Si-Sb-Te、Al-Sb-Te、Ti-Sb-Te等相变材料；诱导结晶层锑薄膜的厚度控制在1-5nm。由于锑原子能够促进相变材料结晶过程中晶粒的生长，因此植入的锑薄膜层能与周围的相变材料形成富锑的相变材料体系，以加快相变材料在结晶过程中的晶化速率，从而有助于提高相变存储器存储单元的操作速度。
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公开(公告)号：CN102544362A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010619500.5
申请日：2010-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明揭示了一种用于相变存储的相变材料及调节其结晶温度和熔点的方法，所述相变材料为锗、锡、碲三种元素组成的存储材料，或者为硅、锡、碲三种元素组成的存储材料。所述相变材料中，锗/硅的原子百分比含量为0.5–80，所述相变材料中，碲的原子百分比含量为0.5–80。所述相变材料为在外部能量作用下具有可逆变化的材料；在相变存储中，相变存储器的低阻态对应所述相变材料全部或部分结晶，相变存储器的高阻态对应所述相变材料的非晶态。本发明具有高阻和低阻两种不同阻值的状态，且高阻态与低阻态之间可以通过施加脉冲电信号实现可逆转换，满足相变存储器存储材料的基本要求。
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公开(公告)号：CN101818294B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201010163476.9
申请日：2010-04-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种纳米复合相变材料，就是在相变材料中掺入Si元素，使具有可逆相变能力的相变材料被非晶的Si元素均匀隔离成纳米尺度的区域，从而形成二元的纳米复合结构。此外本发明还提供一种纳米复合相变材料和一种优选纳米复合相变材料作为相变存储器材料的方法。由Si元素形成的纳米结构一方面可提高相变材料的结晶温度，从而相应提高数据的保持力，有助于与CMOS工艺的集成；另一方面其纳米结构限定了相变材料的可逆相变过程中的活动范围，有助于抑制相变材料的成分偏析，提高相变材料的稳定性，从而提高相变存储器件的性能；此外，Si元素的加入还可提高相变材料的黏附力，增强可加工性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1832050B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200610023827.X
申请日：2006-02-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种电学测量过程中实现探针针尖与相变存储器器件单元纳米电极可靠接触的方法，其特征在于将测试探针和待测样品串联到一外围直流电路中，缓慢调节探针升降旋钮，先粗调后细调，当探针针尖和样品表面接触时，外围直流电路导通，串接在直流回路中的报警器报警，表明针尖与样品已经接触上，可以进行样品的电学性能测量；具有有效地保护样品，避免纳米电极和相变材料被针尖划伤甚至扎穿，造成上、下电极短路；可以保护针尖本身，避免压力过大使针尖翘曲、变形，甚至断裂；可以实现低温、高温或其它环境下探针与电极的可靠接触。
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公开(公告)号：CN101976675A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010252343.9
申请日：2010-08-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L29/861 , H01L29/12 , H01L21/77
Abstract: 本发明涉及一种利用宽带隙半导体二极管作为相变存储器的选通管及方法，其特征在于所述的相变存储器器件单元是由一个宽带隙半导体二极管和一个可逆相变存储介质构成。宽带隙半导体材料具有禁带宽度大、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、击穿电场强度高以及良好的化学稳定性等特点，非常适合于制作高速、高密度、抗辐射的电子器件，宽带隙半导体材料与具有高速、高缩微能力、具有天然抗辐射等性能的相变材料结合，集成出高速、高密度、低功耗、耐压、抗辐照等优异性能的相变存储单元，进而制备出高速、高密度、低功耗、抗辐射等优异性能的相变存储器。
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公开(公告)号：CN101572292A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910053040.1
申请日：2009-06-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提出一种相变和阻变合二为一实现多态存储的存储器单元及方法，即由相变材料和具有阻变特性的金属氧化物(简称阻变材料)组成叠层存储单元结构实现多态存储。相变材料在电脉冲作用下可以发生非晶(高阻)、多晶(低阻)可逆转变，阻变材料在电脉冲作用下也可以发生高阻态、低阻态的可逆变化。二者结合可以产生三个及三个以上的阻态，从而实现多态存储。器件单元结构由上电极、存储介质(由相变材料和阻变材料形成的两层及两层以上叠层结构)、导电塞、底电极、衬底等组成。本发明的目的是提出一种实现多态存储的方法及器件结构和相应的制作方法，利用相变材料的相变和阻变材料的阻变来达到多态存储。
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公开(公告)号：CN101110464A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710044476.5
申请日：2007-08-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种降低相变存储器器件单元功耗的加热层及器件的制作方法，属微电子领域。其特征在于：在底加热W电极与硫系化合物薄膜层之间加入一加热层，加热层厚度控制在2～3nm，可选择的加热层用的材料包括ZrO2、HfO2或Ta2O5等。单元结构改进的实现是通过在衬底上沉积各种所需薄膜后，通过微纳加工技术得到微米量级的相变操作单元，并引出可供测试性能用上下电极。由于氧化物加热层的良好热稳定性和提高器件单元热效应的显著效应，达到了有效降低单元功耗的目的。
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公开(公告)号：CN101071843A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710040829.4
申请日：2007-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种电阻存储器的器件单元结构及制作方法，其特征在于所述的器件单元结构由顶电极、存储介质层、底电极接触，底电极、绝缘介质薄膜、金属导电层和衬底组成，其中：①制作在绝缘介质薄膜上的底电极接触是采用空心或实心的管状结构；②底电极接触与存储介质间有TiN薄膜钝化层作阻挡层；③顶电极通过钝化层上的顶电极引出孔与存储介质相连；④底电极与采用空心或实心管状的底电极接触的底部通过金属导电层相连；⑤金属导电层沉积在衬底上。本发明针对目前RRAM的发展现状，以减少电极接触面积降低功耗，提高可靠的电阻存储器器件单元结构。
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