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公开(公告)号：CN107390767A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710650676.9
申请日：2017-08-02
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G05F3/26
CPC classification number: G05F3/26
Abstract: 一种具有温度补偿的宽温度全MOS电压基准源，设有启动电路、基准核心电路、由温度检测电路、温度逻辑开启电路和高低温温度补偿电路构成的温度补偿电路。启动电路向基准核心电路注入电流使其正常工作，基准核心电路基于阈值电压和热电压的一阶温度补偿原理，采用CMOS型自偏置电流产生电路产生电流并经过有源负载产生基准电压VREF，温度检测电路提取MOS器件的阈值电压进行温度检测，经温度补偿逻辑开启电路进行逻辑处理后输出给高低温温度补偿电路，高低温温度补偿电路针对对不同的工作温度范围进行补偿并将补偿结果反馈耦合到基准核心电路输出的基准电压中，实现宽温度工作条件下低温度系数和高电源抑制比的全MOS电压基准源。
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公开(公告)号：CN107204755A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710432878.6
申请日：2017-06-09
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H03K3/0231 , H03K3/012 , H03K3/011
Abstract: 一种高精度的自适应张弛振荡器，利用电容预充电原理抵消设于振荡电路中的充放电控制电路产生的延时，包括振荡电路、第一电容预充电电路和第二电容预充电电路，电容预充电电路用于给振荡器充放电电容预充电，振荡电路在电容预充电电路预充电电平的基础上进行充放电，电容两次充电产生的误差延时抵消，使振荡器工作在预设的频率上，实现显著提高频率‑控制电流线性度，且本发明不是直接通过提升比较器或者RS触发器的速度来减小延时，而是通过两次充电过程抵消控制电路产生的延时以及随外界环境变化的失调的影响，显著地提高了振荡器的精度，并且具有很强的温度稳定性和电源电压抑制即自适应性。
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公开(公告)号：CN107085132A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710351208.1
申请日：2017-05-18
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G01R19/00 , H03K19/0185
Abstract: 一种正电压供电下的高精度负压检测电路，包括采样电压生成电路、带隙基准电压源、高精度电压比较器和输出驱动器，采样电压生成电路包括低压线性稳压管LDO和电阻分压网络，低压线性稳压管LDO稳定输出固定2.5V电压Vo与输入的负电压信号IN通过电阻分压得到正采样电压Vn，将Vn与带隙基准电压源产生的正基准电压Vref通过高精度电压比较器进行比较，Vn、Vref分别连接高精度电压比较器的负、正向输入端，比较结果通过输出驱动器输出对应的逻辑控制信号OUT，当输入信号IN为要检测的负电压信号时，输出驱动器输出逻辑高电平“1”，否则输出逻辑低电平“0”，实现了正电压供电下输入负电压信号的检测。
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公开(公告)号：CN105827223A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610098736.6
申请日：2016-02-23
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H03K17/687 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78 , H03K17/687 , H01L29/7818
Abstract: 本发明公开了一种集成自举的高压驱动芯片及其工艺结构，巧妙地利用高压电平移位电路中通过集成工艺实现的寄生的高压二极管对自举电容进行充电，高压电平移位电路的电源端为高侧浮动电源VB，参考地为浮动电压PGD。PGD由自举控制电路进行控制，VB和PGD之间设有第一寄生二极管和第二寄生二极管，自举控制电路由高侧信号和低侧信号控制，当低侧输出信号LO为高电平且高侧输出信号HO为低电平，或者当低侧输出信号LO为低电平且高侧输出信号HO为低电平时，自举控制电路的输出PGD为高电平VCC，VCC通过第一寄生二极管和第二寄生二极管对外部自举电容进行单向充电。本发明充电速度快、充电效率高、电路结构简单、成本低。
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