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公开(公告)号：CN102158208B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110083812.3
申请日：2011-04-02
Applicant: 东南大学
IPC: H03K7/08
Abstract: 基于振荡环电路的全程可调数字脉宽调制器，包括振荡环-计数比较电路和输出逻辑电路。振荡环电路由k级D触发器首尾相连构成，它与多路选通器，计数比较电路一起，根据外部输入的数字占空比控制信号，产生输出逻辑电路中输出D触发器所需的复位信号，从而将输出D触发器的输出信号复位到低电平，而输出D触发器的时钟端则控制将输入端高电平传递到输出端，复位信号和时钟信号共同作用最终在输出端产生一个占空比信号。本发明在保持常规振荡环结构数字脉宽调制器的优点的同时，增大了输出占空比的可调范围，非常适合用于集成在小型手持设备的电源管理系统中的高频DC-DC开关电源(SMPS)中。
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公开(公告)号：CN101917119B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201010260406.5
申请日：2010-08-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种开关式电源的高瞬态响应数字控制系统与方法，控制系统设有采样模块、AD转换模块、数据处理模块、模糊PID模块及DPWM模块，与受控的开关电源连接起来，构成一个闭环系统，采样模块对开关电源的输出进行采样，采样输出经过A/D转换为数字信号，连续的数字信号进入数据处理模块被数字滤波处理并与设定的电压值进入比较，产生的偏差和偏差变化率供给模糊PID模块，在模糊PID模块中执行控制算法，递交给DPWM输出模块合适的占空比，生成开关控制管的PWM信号并输出，从而更好的控制数字电源的开关管用于稳压。同时对输出电压的数字信号进行欠压检测，如果出现电压出现异常，则立即送出关断PWM信号，终止系统。
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公开(公告)号：CN103050940A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210545358.3
申请日：2012-12-14
Applicant: 东南大学
IPC: H02H5/04
Abstract: 一种基于亚阈值MOS管的过温保护电路，设有温度检测电路、电压比较器及输出整形电路，温度检测电路输出连接到电压比较器，电压比较器输出连接到输出整形电路，输出整形电路反馈输出连接到温度检测电路，输出整形电路产生控制后续电路的输出电压。温度检测电路由亚阈值区的MOS镜像电流源和电阻网络组成，电压比较器采用推挽式两级电压比较器。电路中不使用三极管，提高了温度保护电路的精度，并且适用于普通CMOS工艺。
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公开(公告)号：CN102006036B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010602270.1
申请日：2010-12-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公布了一种扩频时钟抖动信号的产生方法，所述方法包括如下步骤：将低频信号的控制电压VL通过第一振荡器调制，产生一个低频三角波VSAW1，高频信号的控制电压VH通过第二振荡器调制，产生一个高频三角波VSAW2；将所述低频三角波VSAW1和高频信号的控制电压VH共同经过振荡器产生抖频CLK信号，也可以将所述低频三角波VSAW1和高频三角波VSAW2通过调制模块产生抖频CLK信号。本发明两个振荡器可以相同，电路简单节约成本。
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公开(公告)号：CN102710907A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201110285910.5
申请日：2011-09-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种工作于线性模式APD阵列的主动成像读出电路，设有探测器、高压保护电路、注入电路、比较器及电压保持电路，探测器输出与高压保护电路的输入连接，高压保护电路的输出与注入电路的输入连接，注入电路的输出与比较器电路的输入连接，比较器电路的输出与电压保持电路的输入连接，电压保持电路的输出连接注入电路及后续处理缓冲器电路，注入电路的输出还连接后续处理缓冲器电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102622982A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210083928.1
申请日：2012-03-27
Applicant: 东南大学
IPC: G09G3/36
Abstract: 一种LCoS显示芯片的驱动方法，芯片外部控制器将包含图像信息的数据按照芯片分辨率需求传输到芯片移位寄存器中，移位寄存器将数据暂存在锁存器中，通过比较器模块将这些数据与外部DA输出模拟电压的同步数据信号比较，通过比较相同的，则将相对应的DA模拟电压存储到像素阵列中相应的像素单元中，显示时按照帧刷新方式从像素单元中读出，用以刷新LCoS屏幕，在屏幕上得到稳定的图像，一帧显示结束时，通过行扫描模块控制将液晶屏上残余电荷清空。
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公开(公告)号：CN102411391A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110122679.8
申请日：2011-05-11
Applicant: 东南大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种CMOS分段高阶温度补偿的亚阈值基准电压源，包括启动电路、基准核心电路、数字式温度检测电路和分段高阶温度补偿电路，利用亚阈值NMOS栅源电压VGS偏置产生的CTAT电流与亚阈PMOS栅源电压差产生的PTAT补偿电流叠加得到电流模基准电压，并将该电压通过分段高阶温度补偿电路耦合到最终的输出基准电压之中，从而得到高阶温度补偿的基准电压。本发明具有较低的温度系数和较高的电源电压抑制比，采用SMIC 65nm标准工艺库仿真得到温度系数为5.2ppm/℃。
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公开(公告)号：CN102394643A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110361832.2
申请日：2011-11-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于数字延迟锁相环的数字脉宽调制器，包括分频电路、DLL振荡环电路、清零信号产生电路和PWM输出逻辑电路，DLL振荡环利用输入高频时钟信号fs触发振荡环震荡输出2(m-n)路信号送入清零信号产生电路，清零信号产生电路结合输入的fs和mbits的占空比命令信号产生脉冲信号PWM_clr，在后级的PWM输出逻辑电路作用下产生PWM信号作为系统的输出。其中DLL振荡环电路利用可编程延迟单元对输入信号进行实时的追踪，达到在不同工艺角、不同工作环境下都能输出非常好的脉宽调制波形的效果，本发明在很大程度上减少了芯片所需的面积，节省了芯片开发的成本。
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公开(公告)号：CN101777581B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200910263299.9
申请日：2009-12-18
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种P型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有超结结构及N型体区，超结结构由连接源漏区方向相间分布的P型区和N型区构成，在N型体区上方设有P型源区、N型体接触区及栅氧化层，在超结结构的上方设有P型漏区，在超结结构上方，且位于P型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在P型源区、N型体接触区、P型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，P型源区、P型漏区、N型体接触区及多晶硅栅均接有穿通第二型场氧化层的金属引线，其特征在于在N型衬底内设有P型缓冲区，P型缓冲区位于超结结构中N型区的下方，且与超结结构中N型区底部相接。
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公开(公告)号：CN101917118A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010260343.3
申请日：2010-08-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种开关式DC-DC变换器的数字预测控制系统与方法，该系统包括：采样和A/D转换模块、预测模块、控制算法模块、DPWM模块和DC-DC主功率电路。采样和A/D转换模块从DC-DC变换器的主功率电路中采样输出电压的模拟信号并转化为数字信号作为实测值；预测模块根据该实测值产生下一个开关周期输出电压的预估值；控制算法模块利用实测值和预估值确定下一个开关周期功率管的控制占空比；DPWM模块通过该占空比生成PWM信号控制DC-DC主功率电路结构中功率管的通断。本发明能有效补偿数字控制电源系统的环路时延，提高系统的动态性能。
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