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公开(公告)号：CN101408514B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200810042478.5
申请日：2008-09-04
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N21/67
Abstract: 本发明公开一种基于气体放电光谱分析的气体传感器及其检测气体的方法，传感器包括极化电极、栅格电极、带通滤光片和光敏装置，栅格电极、带通滤光片处于极化电极和光敏装置之间，栅格电极与极化电极之间的气体间隙构成放电区域，栅格电极具有镂空的结构，能够使放电区域内外的气体连通；带通滤光片能够选择性地使得放电区域由目标气体产生的特征光辐射通过；光敏装置仅能够接收由目标气体产生的特征辐射，并且能够将其转换为电信号；通过检测光敏装置的电信号输出，可定性或者定量地对目标气体的成分与浓度进行分析。该传感器能够集成化地片上制造，能够形成片上化、阵列化、微型化的气体放电光谱分析装置。
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公开(公告)号：CN101236871B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200810033994.1
申请日：2008-02-28
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种硅基介质阻挡型一维纳米电极结构，属于微型电子器件领域。本发明由上部和下部两个硅基片键合而成，下部硅基片局部有凹坑结构，凹坑中布置有图形化的一维纳米材料膜，一维纳米材料膜的下部布置有图形化的金属导电层。本发明应用于基于气体放电的电子器件，有利于器件的微型化，有利于器件的集成化、批量制造。由于可以避免热平衡等离子体对电极的热损伤，有利于器件稳定性和寿命的提高。由于介质阻挡层可以大大降低局部发生短路的几率，因此利于电极间隙的减小，使器件可以在更低的操作电压下工作。
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公开(公告)号：CN100543583C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200610023238.1
申请日：2006-01-12
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种微细加工技术领域的在感光材料表面覆盖并图形化碳基纳米结构的方法，首先制备碳纳米管薄膜，然后制备感光材料图形，最后进行反应离子辅助等离子体增强气相沉积，即使用反应离子辅助等离子体刻蚀技术刻蚀碳纳米管薄膜，同时利用形成的复合等离子体在感光材料层表面形成新的碳基纳米结构，所使用的刻蚀气体，必须能够依靠物理轰击、化学反应或者两者的综合作用刻蚀碳纳米管，即能够将碳纳米管分解成为碳基纳米颗粒，从而形成复合等离子体。本发明形成的碳基纳米结构与基体可以有很好的结合力，很好的垂直取向性和密度、高度的一致性，同时，其密度、长度可以被控制，并适于加工实现阵列化设计和批量生产，因此有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN100511749C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710109364.3
申请日：2005-08-11
Abstract: 一种微电子技术领域的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，Si元素部分取代TeaGebSb100-(a+b)合金中的Ge元素形成的TeaGeb-cSicSb100-(a+b)合金薄膜，其中：48≤a≤60，8≤b≤40，Si取代量c的范围从1到40原子百分比。本发明具有比常用的Ge2Sb2Te5相变薄膜较高的晶态电阻，同时具有更高的非晶态/晶态电阻变化率，更低的非晶态/晶态薄膜厚度变化率和更低的熔点。这些特征使得采用含Si系列硫族化物相变薄膜的存储器可以具有更高的开/关比和器件稳定性，有助于降低存储器的写操作电流，同时有利于实现更高密度的多值存储。
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公开(公告)号：CN101408514A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810042478.5
申请日：2008-09-04
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N21/67
Abstract: 本发明公开一种基于气体放电光谱分析的气体传感器及其检测气体的方法，传感器包括极化电极、栅格电极、带通滤光片和光敏装置，栅格电极、带通滤光片处于极化电极和光敏装置之间，栅格电极与极化电极之间的气体间隙构成放电区域，栅格电极具有镂空的结构，能够使放电区域内外的气体连通；带通滤光片能够选择性地使得放电区域由目标气体产生的特征光辐射通过；光敏装置仅能够接收由目标气体产生的特征辐射，并且能够将其转换为电信号；通过检测光敏装置的电信号输出，可定性或者定量地对目标气体的成分与浓度进行分析。该传感器能够集成化地片上制造，能够形成片上化、阵列化、微型化的气体放电光谱分析装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101381005A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810201599.X
申请日：2008-10-23
Applicant: 上海交通大学
IPC: B64G1/40
Abstract: 本发明公开一种航空航天技术领域和微电子技术领域的多级式离子射流装置与方法。所述装置包括第一、第二加速电极和末端镂空电极，第一和第二加速电极交替排列，构成多级电极结构，每两个相邻的第一和第二加速电极之间设置有绝缘层使得两者相互绝缘，末端镂空电极位于多级电极结构的末端，末端镂空电极和与其相邻的第一加速电极或第二加速电极之间设置有绝缘层使得两者相互绝缘。所述方法利用极化电极阵列尖端部分的电场收敛效应，使得电极邻近区域的电场强度增强，从而电离邻近区域的气体分子，采用多级式离子射流装置结构，施加电压，形成离子射流。本发明能够提高电离效率，降低工作电压，在多种气体－等离子体环境下工作。
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公开(公告)号：CN101349665A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810042479.X
申请日：2008-09-04
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明公开一种微电子器件技术领域的吸附与电离互补增强的气体传感器，包括极化电极、栅格电极和吸附式气敏装置，栅格电极位于极化电极和吸附式气敏装置之间，栅格电极与极化电极之间的气体间隙构成放电区域，栅格电极与吸附式气敏装置之间的气体间隙构成离子漂移区域；极化电极面向栅格电极一侧表面布置有极化电极电极材料；栅格电极具有镂空的几何特征，使得中性分子、带电粒子或者光量子在放电区域与离子漂移区域之间能够实现物质交换；吸附式气敏装置面向栅格电极一侧的表面布置有叉指式电极，在叉指式电极表面布置有吸附性气敏材料。本发明提高标定和识别气体成分的精度，大幅提高选择性；扩大敏感范围；解决中毒问题。
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公开(公告)号：CN100414651C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200510025939.4
申请日：2005-05-19
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种属于精密机械技术领域集成永磁双稳态微电磁驱动器，本发明包括：衬底、定子、动子，所述的定子包括：微驱动线圈绕组、永磁体、软磁磁轭，永磁体位于微驱动线圈绕组中央，软磁磁轭位于微驱动线圈绕组的下方和四周，软磁磁轭位于永磁体下方，定子和动子固定在衬底上。本发明满足微型光开关等器件对微驱动器在行程、驱动力、响应时间、功耗、集成制造等方面的综合要求。
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公开(公告)号：CN100399080C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200510025940.7
申请日：2005-05-19
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种属于光学技术领域的金属基微机械光纤定位夹的制备方法，本发明在单晶硅片上开出光纤定位槽的湿法刻蚀掩膜窗口后，采用平面掩膜微电铸工艺，在光纤定位槽掩膜窗口及光纤定位槽掩膜窗口两侧的上方制备金属基微机械光纤定位夹，定位夹的底面紧贴光纤定位槽掩膜窗口和光纤定位槽掩膜所在平面，然后再采用单晶硅湿法各向异性刻蚀工艺加工出光纤定位槽，构成光纤定位夹的金属层在湿法刻蚀后保留下来，光纤定位夹下方的单晶硅被掏蚀掉，使光纤定位夹悬空，在光纤定位夹下方形成光滑、连续的光纤定位槽表面。本发明制备成本低，高性能，降低光纤耦合过程的难度，为集成光学器件的大批量生产、应用提供可行的技术途径。
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公开(公告)号：CN101101965A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710109363.9
申请日：2005-08-11
Abstract: 一种微电子技术领域的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，为硫族化物合金TeaSibSb100-(a+b)，其中48≤a≤60，8≤b≤40。本发明具有比常用的Ge2Sb2Te5相变薄膜较高的晶态电阻，同时具有更高的非晶态/晶态电阻变化率，更低的非晶态/晶态薄膜厚度变化率和更低的熔点。这些特征使得采用含Si系列硫族化物相变薄膜的存储器可以具有更高的开/关比和器件稳定性，有助于降低存储器的写操作电流，同时有利于实现更高密度的多值存储。
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