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公开(公告)号：CN112992942A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011175490.0
申请日：2020-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器包括：半导体衬底，具有第一表面和第二表面，并具有像素区域，该像素区域具有光电转换区域；栅电极，设置在像素区域上并与第一表面相邻；第一隔离结构，从第一表朝向第二表面延伸，第一隔离结构包括：第一像素隔离图案，包围像素区域；以及第一内部隔离图案，与第一像素隔离图案间隔开并且位于光电转换区域之间；以及第二隔离结构，从第二表朝向第一表面延伸，具有与第一隔离结构的底表面的至少一部分竖直地间隔开的顶表面。与半导体衬底的第一表面相比，第一隔离结构的底表面更靠近半导体衬底的第二表面。
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公开(公告)号：CN112929585A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202011036929.1
申请日：2020-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369 , H04N5/232 , H04N5/357 , H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器，其包括：第一光电二极管组；第二光电二极管组；第一转移晶体管组；第二转移晶体管组；其中存储有第一光电二极管组中产生的电荷的衬底的浮置扩散区；以及用于向第二光电二极管组施加电源电压的电源节点。将势垒电压施加到第二转移晶体管组的至少一个转移晶体管。电源电压使第二光电二极管组中产生的电荷迁移到电源节点，势垒电压在第二光电二极管组与浮置扩散区之间形成势垒。
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公开(公告)号：CN112911173A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110151280.6
申请日：2017-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器包含像素阵列，该像素阵列包含沿着多个行和多个列排列的多个单元像素。多个单元像素中的每个包含：光电转换元件，该光电转换元件生成并且积累光电荷；电荷检测节点，该电荷检测节点接收在光电转换元件中积累的光电荷；读出电路，该读出电路将积累的并且从电荷检测节点输出的光电荷转换为电像素信号，该读出电路输出该电像素信号；电容元件；以及开关元件，该开关元件控制电荷检测节点与电容元件之间的连接。所述像素阵列中的所述行中的每个包含连接到第一转换增益控制线的第一像素和连接到第二转换增益控制线的第二像素。
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公开(公告)号：CN112786631A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011034938.7
申请日：2020-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括具有第一像素和第二像素的像素阵列，所述第一像素和所述第二像素中的每个像素包括：光电二极管、从所述第一像素和所述第二像素检测复位电压和像素电压并产生模拟信号的采样电路、从所述模拟信号获得图像数据的模数转换器、以及使用所述图像数据产生图像的信号处理电路。每个所述第一像素包括将所述光电二极管分隔开并具有第一导电类型的杂质的第一导电类型的阱。所述光电二极管具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的杂质。每个所述第二像素包括将所述光电二极管分隔开并具有与所述第一导电类型不同的所述第二导电类型的杂质的第二导电类型的阱。所述第二导电类型的阱的电势高于所述第一导电类型的阱的电势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112289818A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010724657.8
申请日：2020-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 提供了一种像素阵列和包括该像素阵列的自动聚焦图像传感器。所述像素阵列包括衬底、多个像素、深器件隔离区域和多个第一接地区域。衬底包括其上设置有栅电极的第一表面以及与第一表面相对的第二表面。多个像素设置在衬底中，并且包括被配置为检测相位差的多个第一像素以及被配置为检测图像的多个第二像素。深器件隔离区域设置在衬底中，从衬底的第二表面基本上竖直地延伸，以将多个像素彼此隔离。多个第一接地区域被设置为在衬底中与第一表面相邻，并且仅与多个第一像素中的至少一些相邻。
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公开(公告)号：CN111508979A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201911098958.8
申请日：2019-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器可以包括：像素隔离结构，设置在半导体衬底中，用于限定第一像素区域；第一光电转换区域和第二光电转换区域，设置在第一像素区域中；以及分离结构，设置在第一像素区域中，在第一光电转换区域与第二光电转换区域之间。像素隔离结构可以包括：第一像素隔离部分，在第二方向上彼此间隔开并在第一方向上纵向延伸；以及第二像素隔离部分，在第一方向上彼此间隔开并在第二方向上纵向延伸以连接到第一像素隔离部分。分离结构可以在第一方向和第二方向上与像素隔离结构间隔开，并且在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上至少部分地与第一光电转换区域和第二光电转换区域处于相同的水平。
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公开(公告)号：CN110753193A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910526394.7
申请日：2019-06-18
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李景镐
IPC: H04N5/369 , H04N5/378 , H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括像素阵列，所述像素阵列包括沿第一方向和第二方向布置的多个像素。多个像素中的每个像素包括沿第一方向和第二方向中的至少一个彼此相邻设置的多个光电二极管。所述图像传感器还包括：控制逻辑，被配置为通过从所述多个像素获得像素信号来生成图像数据，并且在基本同一时间读取与由所述多个像素之一中包括的所述多个光电二极管中的两个或更多个光电二极管生成的电荷相对应的像素电压。
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公开(公告)号：CN110164890A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910413886.5
申请日：2017-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，其中该图像传感器包括：包括第一感测区域的基板，第一感测区域在其中具有光电器件；分隔第一感测区域的边界隔离膜；在第一感测区域中在基板内的内反射图案膜；在基板上的红外滤光器；以及在红外滤光器上的微透镜。
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公开(公告)号：CN110112165A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910413887.X
申请日：2017-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/0203 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/062 , H01L31/113
Abstract: 提供了一种图像传感器，其中该图像传感器包括：包括第一感测区域的基板，第一感测区域在其中具有光电器件；分隔第一感测区域的边界隔离膜；在第一感测区域中在基板内的内反射图案膜；在基板上的红外滤光器；以及在红外滤光器上的微透镜。
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