公开(公告)号：CN118235535A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202280075718.X

申请日：2022-11-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 马场晴之 ,  国武宽司

IPC: H10B51/30 ,  G11C11/22 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种具有新颖的结构的存储元件。存储元件层叠有第一电极、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层及第二电极，并且第一电极、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层及第二电极各自具有彼此重叠的区域。作为半导体层使用金属氧化物之一的氧化物半导体。作为第一绝缘层使用具有反铁电性的材料。

公开(公告)号：CN111615744B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN201980009057.9

申请日：2019-01-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中泽安孝 ,  羽持贵士 ,  大出贵之 ,  冈崎健一

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。提供一种可靠性高的显示装置。半导体装置通过如下工序制造：形成含有金属氧化物的半导体层的第一工序；在半导体层上形成导电膜的第二工序；将导电膜以在半导体层上分开的方式进行蚀刻来露出半导体层的一部分的第三工序；以及对导电膜及半导体层的一部分进行第一处理的第四工序。其中，导电膜包含铜、银、金或铝。第一处理是在包括含有氧元素的第一气体及含有氢元素的第二气体的混合气体的气氛下进行的等离子体处理。

公开(公告)号：CN118173450A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410270490.0

申请日：2019-02-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈崎健一 ,  岛行德

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/44 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置的制造方法。半导体装置通过如下工序制造：形成包含金属氧化物的半导体层的第一工序；形成第一绝缘层的第二工序；在第一绝缘层上形成第一导电膜的第三工序；通过对第一导电膜的一部分进行蚀刻来形成第一导电层，形成第一导电层重叠于半导体层上的第一区域以及第一导电层不重叠与半导体层上的第二区域的第四工序；以及对导电层进行第一处理的第五工序。第一处理是在包括含有氧元素而不含有氢元素的第一气体与含有氢元素而不含有氧元素的第二气体的混合气体的气氛下进行的等离子体处理。

公开(公告)号：CN118160094A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202280071806.2

申请日：2022-10-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  国武宽司 ,  和田理人 ,  加藤清 ,  大贯达也

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H10B12/00

Abstract: 提供一种实现小型化的半导体装置。该半导体装置包括第一层以及第一层上的第二层。第一层包括在沟道形成区域中含有硅的p沟道型第一晶体管。第二层包括在沟道形成区域中含有金属氧化物的n沟道型第二晶体管。由第一晶体管和第二晶体管构成CMOS电路。第一晶体管的沟道长度比第二晶体管的沟道长度长。

公开(公告)号：CN118160027A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202280067164.9

申请日：2022-10-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 木村肇 ,  井上达则

IPC: G09G3/3233 ,  G09F9/30 ,  G09G3/20

Abstract: 提供一种显示质量高的显示装置。本发明的一个方式是一种包括像素及电路的显示装置。像素包括发光器件、驱动晶体管、第一至第四开关以及第一电容器。另外，电路包括第五开关、第六开关及第二电容器。驱动晶体管的栅极与第一开关的第一端子、第二开关的第一端子及第一电容器的第一端子电连接，驱动晶体管的源极和漏极中的一个与第一电容器的第二端子、第四开关的第一端子及发光器件的阳极电连接，驱动晶体管的源极和漏极中的另一个与第二开关的第二端子及第三开关的第一端子电连接。另外，第一开关的第二端子与第二电容器的第一端子电连接，第五开关的第一端子与第六开关的第一端子及第二电容器的第二端子电连接。

公开(公告)号：CN118159088A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410266723.X

申请日：2018-02-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山冈谅平 ,  濑尾哲史 ,  中村太纪

IPC: H10K59/35 ,  H10K59/12 ,  H10K59/80 ,  H10K50/805

Abstract: 本发明提供一种视角宽的显示装置。提供一种实现广色域的显示的显示装置。一种包括第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件的显示装置。各发光元件包括一对电极及发光层。一对电极的一个包括反射电极，另一个包括半透射·半反射电极。各发光元件的发光层互不相同。第一发光元件的发射光谱的第一峰值波长是400nm以上且480nm以下。第二发光元件的发射光谱的第二峰值波长是580nm以上且700nm以下。第三发光元件的发射光谱的第三峰值波长是第一峰值波长和第二峰值波长之间的波长。关于一对电极间的距离，第一发光元件最长，第二发光元件第二长。

公开(公告)号：CN111372917B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN201880075855.7

申请日：2018-11-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 门间裕史 ,  铃木恒德 ,  桥本直明 ,  泷田悠介 ,  濑尾哲史

IPC: C07D209/80 ,  C09K11/06 ,  F21K9/20 ,  H10K85/60 ,  H10K59/10 ,  H10K50/11

Abstract: 本发明的目的是提供一种新颖的有机化合物。另外，本发明的目的是提供一种新颖的发光元件。另外，本发明的目的是提供一种发光效率良好的发光元件。另外，本发明的目的是提供一种寿命良好的发光元件。另外，本发明的目的是提供一种驱动电压低的发光元件。提供一种由下述通式(G1)表示的二苯并[c,g]咔唑衍生物、以及使用该衍生物的发光元件。注意，R11至R22中的至少一个表示具有三环以上且六环以下的稠合芳香烃骨架的总碳原子数为14至60的取代基，其余的分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为3至6的环烷基以及碳原子数为6至25的取代或未取代的芳基中的任一个。

公开(公告)号：CN118119255A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311599761.9

申请日：2023-11-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 吉安唯 ,  大泽信晴 ,  木户裕允 ,  高畑正利 ,  濑尾哲史

IPC: H10K85/60 ,  H10K85/40 ,  H10K50/11 ,  C07D209/86 ,  C07F7/08

Abstract: 提供一种效率高且可靠性高的发光器件。另外，提供一种有机化合物。本发明是一种发光器件，该发光器件在一对电极间包括有机化合物层，所述有机化合物层包括发光层，所述发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物及发光物质，所述第一有机化合物包含氘，在所述第一有机化合物和所述第二有机化合物的混合膜的PL测量中，在室温下观测到激基复合物的光谱，在4K以上且80K以下的温度范围内的任一温度下观测不到激基复合物的光谱。

公开(公告)号：CN118119203A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311615049.3

申请日：2023-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 渡部刚吉 ,  大泽信晴

IPC: H10K50/16 ,  H10K50/11 ,  H10K50/125 ,  H10K85/60 ,  H10K101/40

Abstract: 提供一种具有高效率及良好的可靠性的发光器件。发光器件包括第一电极、第二电极及有机化合物层，有机化合物层位于第一电极与第二电极之间，有机化合物层包括第一发光单元、第二发光单元及中间层，在第一发光单元与第二发光单元之间包括中间层，中间层包括含有第一有机化合物及第二有机化合物的混合层，第一有机化合物是强碱性，第二有机化合物具有电子传输性，第一有机化合物的LUMO能级比第二有机化合物高。

公开(公告)号：CN111742408B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201980008397.X

申请日：2019-01-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 国武宽司 ,  长塚修平

IPC: H01L27/06 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H10B12/00 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H10B41/70 ,  H01L29/786 ,  H10K59/10 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H05B33/14

Abstract: 提供一种抑制导致特性变动、元件劣化或绝缘破坏的带电现象的半导体装置。该半导体装置包括：衬底上的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及第四晶体管，其中，第四晶体管包括第一导电体、第二导电体、第三导电体及氧化物半导体，第一导电体通过第一晶体管与半导体衬底电连接，第二导电体通过第一晶体管与半导体衬底电连接，第三导电体通过第一晶体管与半导体衬底电连接，并且，第四导电体通过第一晶体管与半导体衬底电连接。