公开(公告)号：CN120076347A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202411581469.9

申请日：2024-11-07

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 野濑幸则

IPC: H10D1/60 ,  H10D1/68

Abstract: 本公开提供能抑制电容器的耐压的降低并且能实现小型化的半导体装置和半导体装置的制造方法。半导体装置具有：基板，具有第一主面和与所述第一主面相对的第二主面；有机阻挡层，设于所述第一主面的上方；第一电极，设于所述有机阻挡层的上方；绝缘膜，设于所述第一电极之上；第二电极，设于所述绝缘膜之上；第一贯通孔，贯通所述基板和所述有机阻挡层，并到达所述第一电极；以及金属层，被覆所述第二主面和所述第一贯通孔的第一内壁面，并电连接于所述第一电极。

公开(公告)号：CN119630054A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411208862.3

申请日：2024-08-30

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 木元雄资 ,  丸山裕晃

IPC: H10D84/83 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H10D84/03

Abstract: 一种半导体装置，具备：基板，具有主面和与主面对置的背面；第一晶体管，具备第一源电极、第一漏电极以及在第一方向上配置于第一源电极与第一漏电极之间的第一栅电极；第二晶体管，具备：从与第一方向交叉的第二方向观察时设于第一源电极内的第二源电极、与第一漏电极电连接的第二漏电极以及在第一方向上配置于第二源电极与第二漏电极之间的第二栅电极；第一栅极布线，使第二源电极配置于第一栅极布线与第二栅电极之间，从第二方向观察时设于第一源电极内，与第一栅电极电连接；以及背面金属层，分别经由第一过孔和第二过孔电连接于第一源电极和第二源电极，第一过孔和第二过孔从基板的厚度方向观察时分别与第一源电极和第二源电极重叠。

公开(公告)号：CN119604022A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411238269.3

申请日：2024-09-05

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 志村大 ,  由村典宏

IPC: H10D84/82 ,  H10D64/00 ,  H10D30/47 ,  H10D64/23

Abstract: 本公开提供半导体装置。半导体装置具备：基板；化合物半导体层，设于基板上；以及多个单位FET，各自具备：源电极、漏电极及栅电极，均设于化合物半导体层上并在第一方向上延伸，栅电极配置于源电极与漏电极之间；以及场板电极，隔着绝缘膜设于栅电极与漏电极之间的化合物半导体层的上方，多个单位FET在与第一方向交叉的第二方向上排列，多个单位FET具有：第一单位FET；以及第二单位FET，比第一单位FET离第二方向上的多个单位FET的端近，第一单位FET中的、栅电极的离漏电极更近的端与场板电极的离漏电极更近的端之间的第二方向上的第一距离，比第二单位FET中的、栅电极的离漏电极更近的端与场板电极的离漏电极更近的端之间的第二方向上的第二距离短。

公开(公告)号：CN109698191B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN201811236434.6

申请日：2018-10-23

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 宫泽直行

IPC: H10D80/30 ,  H10D80/20 ,  H01L23/49 ,  H03F1/14 ,  H03F3/19 ,  H03F3/21

Abstract: 公开了实施串联连接的两个或更多放大单元的放大器模块。所述放大器模块包括封装、输入和输出端子、包括第一单元和最终单元的两个或更多放大单元、用于向放大单元中除了最终单元之外的一个放大单元供应输出偏压的输出偏压端子、以及用于向放大单元中除了第一单元之外的另一放大单元供应输入偏压的输入偏压端子。所述放大器模块的特征在于，输出偏压端子和输入偏压端子关于将输入端子与输出端子连接的基准轴轴对称地布置在封装的一侧。

公开(公告)号：CN119447975A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411010148.3

申请日：2024-07-26

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 河村浩充

IPC: H01S5/0239 ,  H01S5/00 ,  H01S5/0233 ,  H01S5/02345 ,  H01S5/0225

Abstract: 本发明提供一种光调制器集成型激光器、光调制器以及光半导体装置，其能够减小反射引起的调制信号的损耗。光调制器集成型激光器具备：衬底；激光器部，设置在衬底上，输出激光；光调制部，设置在衬底上，对激光进行调制；以及第一终端部，设置在衬底上，具有第一电阻膜。光调制部具有：调制电极，提供调制信号；信号用焊盘，与调制电极连接，用于与第一导线连接，所述第一导线用于向光调制部输入调制信号；以及第一焊盘，用于与具有接地电位的第二导线连接。调制电极与第一电阻膜的一端相互连接。第一电阻膜的另一端与第一焊盘相互连接。

公开(公告)号：CN119275191A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202410723233.8

申请日：2024-06-05

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 中岛郁夫

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/64 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供电阻的寿命不易缩短的电子部件、半导体装置以及半导体装置的制造方法。电子部件具备：绝缘体；第一电阻，设于绝缘体上；第一绝缘膜，设于第一电阻上，与第一电阻接触；以及第一金属粘接材料，设于第一绝缘膜上，与第一绝缘膜接触，并且与散热器接触。

公开(公告)号：CN119230548A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202410812668.X

申请日：2024-06-22

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 堤优也

IPC: H01L27/085 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：基板；第一单位FET，设于基板上，具备第一源电极、第一漏电极以及第一栅电极；第二单位FET，相对于第一单位FET设于第一方向上的基板上，具备第二源电极、第二漏电极以及第二栅电极；第一源极布线，在第一方向延伸并且设于第一源电极上，与第一源电极电接触；栅极母线，以在第一方向上使第一栅电极配置于栅极母线与第二栅电极之间的方式设置，并且栅极母线与第一栅电极电连接；以及栅极布线，以与第一源电极非接触的方式设于第一源电极的上方，在第二方向上使第一源极布线配置于栅极布线与第一漏电极之间，栅极布线在第一方向延伸，将栅极母线与第二栅电极电连接。

公开(公告)号：CN110600433B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN201910504548.2

申请日：2019-06-12

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社 ,  住友电气工业株式会社

Inventor： 儿玉晃忠 ,  古川将人

IPC: H01L23/043 ,  H01L23/10 ,  H01L25/07 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括金属基体、金属框架、半导体元件、馈通件和金属侧板。所述半导体元件在由所述金属基体和所述金属框架限定的空间中被安装在所述金属基体上。所述馈通件被插入到所述金属框架的切口中，并且包括布线、将所述布线安装在其上的下部块以及安装在所述下部块上的上部块。所述下部块和所述上部块的组合截面形状是突出形状。所述上部块的一部分位于所述空间的内部。所述金属侧板设置在所述馈通件的侧表面与所述金属框架的所述切口之间。所述金属侧板具有突出形状并且覆盖所述馈通件的整个侧表面。

公开(公告)号：CN118971807A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410575370.1

申请日：2024-05-10

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 森拓磨

IPC: H03F1/02 ,  H03F1/56

Abstract: 本发明提供高频放大电路和高频放大器件。高频放大电路具备多赫蒂放大器，该多赫蒂放大器具有主放大器和峰值放大器。主放大器包括第一输入端、第一输出端以及第一晶体管。主放大器仅包括第一高次谐波处理电路和第一基波匹配电路中的第一高次谐波处理电路，其中，该第一高次谐波处理电路用于抑制输入至第一晶体管的高次谐波，该第一基波匹配电路用于与第一晶体管的输入阻抗获得匹配。峰值放大器包括第二输入端、第二输出端以及第二晶体管。峰值放大器仅包括第二高次谐波处理电路和第二基波匹配电路中的第二基波匹配电路，其中，该第二高次谐波处理电路用于抑制输入至第二晶体管的高次谐波，该第二基波匹配电路用于与第二晶体管的输入阻抗获得匹配。

公开(公告)号：CN118712155A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410349816.9

申请日：2024-03-26

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 堤优也

IPC: H01L23/48 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/768

Abstract: 提供一种能小型化的半导体装置和半导体装置的制造方法。半导体装置具有：基板；第一氮化物半导体层，设于基板之上；第一金属层，设于第一氮化物半导体层之上；第二金属层，设于第一金属层之上；以及第三金属层，设于第二金属层之上，在基板、第一氮化物半导体层以及第一金属层形成有贯通孔，贯通孔贯通基板、第一氮化物半导体层以及第一金属层，供第二金属层露出，第一金属层与第一氮化物半导体层欧姆接触，第二金属层对使用反应性气体的刻蚀的耐性比第一金属层对使用反应性气体的刻蚀的耐性高，第三金属层的电阻率比第一金属层的电阻率和第二金属层的电阻率低，半导体装置具有第四金属层，第四金属层设于贯通孔的内侧，与第二金属层直接接触。