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公开(公告)号:CN109698191B
公开(公告)日:2025-03-07
申请号:CN201811236434.6
申请日:2018-10-23
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
Inventor: 宫泽直行
Abstract: 公开了实施串联连接的两个或更多放大单元的放大器模块。所述放大器模块包括封装、输入和输出端子、包括第一单元和最终单元的两个或更多放大单元、用于向放大单元中除了最终单元之外的一个放大单元供应输出偏压的输出偏压端子、以及用于向放大单元中除了第一单元之外的另一放大单元供应输入偏压的输入偏压端子。所述放大器模块的特征在于,输出偏压端子和输入偏压端子关于将输入端子与输出端子连接的基准轴轴对称地布置在封装的一侧。
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公开(公告)号:CN113874996A
公开(公告)日:2021-12-31
申请号:CN202080037406.0
申请日:2020-05-25
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
Inventor: 宫泽直行
IPC: H01L21/822 , H01L27/04 , H03F1/42 , H03F3/193 , H03F3/60
Abstract: 放大装置具备半导体芯片、封装体、第一反馈电路、第二反馈电路。封装体具有金属制的基座、绝缘性的侧壁、输入引线及输出引线。输入引线与半导体芯片的栅极焊盘组连接。输出引线与半导体芯片的漏极焊盘组连接。各反馈电路具有设置在金属制的基座上的电介质基板、配置在电介质基板上的反馈电阻、与反馈电阻串联连接的电容器。各反馈电路连接在栅极焊盘组与漏极焊盘组之间。反馈电路分别配置在第一端边及第二端边的延伸方向上的半导体芯片的一侧及另一侧的基座上。
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公开(公告)号:CN108091645B
公开(公告)日:2023-04-18
申请号:CN201711166506.X
申请日:2017-11-21
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/367
Abstract: 公开了一种输出射频信号的半导体装置以及放大器设备。该半导体装置包括壳体、半导体芯片、阻抗变换器、电容器和接合线。壳体包括散热器、输出导线端子和与输出导线端子电隔离的偏压端子。半导体芯片安装在壳体的散热器上。阻抗变换器提供输入端口、输出端口和在其输入端口与输出端口之间的中间端口。电容器安装在散热器上并且在阻抗变换器与输出导线端子之间。接合线将偏压导线端子与中间端口连接。
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公开(公告)号:CN110719076A
公开(公告)日:2020-01-21
申请号:CN201910620156.2
申请日:2019-07-10
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
Inventor: 宫泽直行
Abstract: 一种半导体放大器。所述半导体放大器(1)包括晶体管(21a)和(21b),其被并排装载在封装体(6)中的空间中的底板(2)上;匹配电路(22a),其被装载在底板(2)上的晶体管(21a、21b)之间;匹配电路(22b),其被装载在晶体管(21b)的与底板(2)上的晶体管(21a)相对的一侧上;输入端子(TIN),其被安装在布线衬底(3)的一侧上;输出端子(TOUT),其被安装在布线衬底(3)的另一侧上;以及栅极偏置端子(T1G)和(T2G)和漏极偏置端子(T1D)和(T2D),在该位置处安装有布线衬底(3)的输入端子(TIN)和输出端子(TOUT),并且晶体管(21a)、匹配电路(22a)、晶体管(21b)和匹配电路(22b)被线性地放置在输入端子(TIN)和输出端子(TOUT)之间。
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公开(公告)号:CN109698191A
公开(公告)日:2019-04-30
申请号:CN201811236434.6
申请日:2018-10-23
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
Inventor: 宫泽直行
Abstract: 公开了实施串联连接的两个或更多放大单元的放大器模块。所述放大器模块包括封装、输入和输出端子、包括第一单元和最终单元的两个或更多放大单元、用于向放大单元中除了最终单元之外的一个放大单元供应输出偏压的输出偏压端子、以及用于向放大单元中除了第一单元之外的另一放大单元供应输入偏压的输入偏压端子。所述放大器模块的特征在于,输出偏压端子和输入偏压端子关于将输入端子与输出端子连接的基准轴轴对称地布置在封装的一侧。
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公开(公告)号:CN110719076B
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN201910620156.2
申请日:2019-07-10
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
Inventor: 宫泽直行
Abstract: 一种半导体放大器。所述半导体放大器(1)包括晶体管(21a)和(21b),其被并排装载在封装体(6)中的空间中的底板(2)上;匹配电路(22a),其被装载在底板(2)上的晶体管(21a、21b)之间;匹配电路(22b),其被装载在晶体管(21b)的与底板(2)上的晶体管(21a)相对的一侧上;输入端子(TIN),其被安装在布线衬底(3)的一侧上;输出端子(TOUT),其被安装在布线衬底(3)的另一侧上;以及栅极偏置端子(T1G)和(T2G)和漏极偏置端子(T1D)和(T2D),在该位置处安装有布线衬底(3)的输入端子(TIN)和输出端子(TOUT),并且晶体管(21a)、匹配电路(22a)、晶体管(21b)和匹配电路(22b)被线性地放置在输入端子(TIN)和输出端子(TOUT)之间。
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公开(公告)号:CN108091645A
公开(公告)日:2018-05-29
申请号:CN201711166506.X
申请日:2017-11-21
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/367
Abstract: 公开了一种输出射频信号的半导体装置以及放大器设备。该半导体装置包括壳体、半导体芯片、阻抗变换器、电容器和接合线。壳体包括散热器、输出导线端子和与输出导线端子电隔离的偏压端子。半导体芯片安装在壳体的散热器上。阻抗变换器提供输入端口、输出端口和在其输入端口与输出端口之间的中间端口。电容器安装在散热器上并且在阻抗变换器与输出导线端子之间。接合线将偏压导线端子与中间端口连接。