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公开(公告)号：CN113463194B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202110616214.1
申请日：2021-06-02
申请人： 湖北大学
摘要： 本发明提供了一种无机单晶的制备方法、复合膜的制备方法及应用。该无机单晶的制备方法为：将钠盐溶于水中，得到第一溶液；将六氯三聚磷腈加入至有机溶剂中，溶解后得到六氯三聚磷腈溶液；将第一溶液加入至六氯三聚磷腈溶液中，静置后得到单晶；或，将钠盐与钾盐均溶于水中，得到第二溶液；将六氯三聚磷腈加入至有机溶剂中，溶解后得到六氯三聚磷腈溶液；将第二溶液加入至六氯三聚磷腈溶液中，静置后得到单晶。本发明采用含有钠盐的第一溶液或含有钾盐或钠盐的第二溶液，与六氯三聚磷腈溶液反应，最终制备得到单晶，制备得到的单晶均不含重金属元素，制备过程环保，工艺简单。利用该单晶制备得到的复合膜制成的压电器件具有较好的压电输出性能。
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公开(公告)号：CN114057207A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111504276.X
申请日：2021-12-10
申请人： 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC分类号： C01B35/06 , C01B35/10 , C30B7/04 , C30B7/10 , C30B9/12 , C30B11/00 , C30B15/00 , C30B17/00 , C30B29/10
摘要： 本发明提供一种化合物十氟化八硼酸钠和十氟化八硼酸钠非线性光学晶体及制备方法和用途，所述化合物的化学式为Na4B8O9F10，分子量为512.44，采用水热法或真空封装法制成，属于正交晶系，空间群为Pna21，晶胞参数为a=18.680(18)Å，b=15.852(16)Å，c=4.816(4)Å，α=90°，β=90°，γ=90°，单胞体积为1425.9(7)Å3，晶体的倍频效应为0.7×KH2PO4（@1064 nm）和0.1×β‑BaB2O4（@532 nm），紫外吸收边短于200 nm，采用熔体法，高温熔液法，真空封装法，水热法或室温溶液法生长晶体，该晶体的化学稳定性好，具有较小的折射率色散，可作为深紫外透过非线性光学晶体在全固态激光器中获得应用。
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公开(公告)号：CN114032615A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111192661.5
申请日：2021-10-13
申请人： 四川大学
摘要： 本发明涉及非线性光学晶体材料技术领域，尤其涉及一种非线性光学晶体钼酸碘酸铯的制备方法和应用，其制备方法以下具体步骤：S1、按照比例称取Cs2CO3、HIO3以及MoO3；S2、将称取的Cs2CO3、HIO3以及MoO3加入聚四氟乙烯反应内衬中，再向聚四氟乙烯反应内衬中添加乙基咪唑四氟硼酸盐，搅拌均匀后，得到混合物A；S3、将装有混合物A的聚四氟乙烯反应内衬放入不锈钢外套中，拧紧钢套再加热保温；S4、取出聚四氟乙烯反应内衬，冷却至室温后打开聚四氟乙烯反应内衬，得到CsMo2O5(IO4)化合物。本发明能高效且准确的合成聚合碘酸盐非线性光学晶体材料，且操作简单。
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公开(公告)号：CN114032614A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111191779.6
申请日：2021-10-13
申请人： 四川大学
摘要： 本发明涉及非线性光学晶体材料技术领域，尤其涉及一种非线性光学晶体亚磷酸亚锗的制备方法和应用，其制备方法包括以下具体步骤：S1、按摩尔比为1：4～6：2的比例称取GeO2、H3PO2以及HF；S2、将称取的GeO2、H3PO2以及HF加入聚四氟乙烯反应内衬中，充分搅拌均匀；S3、将聚四氟乙烯反应内衬放入不锈钢外套中，拧紧钢套，并加热保温；S4、取出聚四氟乙烯反应内衬，冷却至室温后打开聚四氟乙烯反应内衬，得到GeHPO3化合物。本发明还提出了非线性光学晶体亚磷酸亚锗的应用。本发明能合成具有平衡性能的磷酸盐非线性光学晶体。
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公开(公告)号：CN113725066A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110576091.3
申请日：2021-05-26
申请人： ASM IP私人控股有限公司
发明人： L.彼得森巴博萨利马 , J.玛格蒂斯 , J.托尔 , R.卡扎卡 , 谢琦
摘要： 本发明涉及外延生长掺杂硼和镓的硅锗层的方法和器件。这些层可以用作例如场效应晶体管中的p型源极和/或漏极区域。
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公开(公告)号：CN113718227A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202010446362.9
申请日：2020-05-25
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 本发明涉及二维层状三元化合物材料及其化学气相沉积(CVD)制备领域，具体为一类二维层状三元化合物及其制备方法。二维层状三元化合物中，每层由Y‑X‑Y‑M‑Y‑X‑Y这7个原子层构成，层间为范德华力结合。采用铜/过渡族金属双金属层基底，引入第四主族元素和第五主族元素，在不高于铜熔点的高温下通过CVD生长出单层或少层MX2Y4三元化合物，后续刻蚀铜基底将其转移到任意基体上。本发明具有制备工艺简单，产物成分、厚度和尺寸易于调控，以及适于大面积高质量薄膜制备等特点，为二维MX2Y4在电子器件、光电子器件、谷电子学器件、高强度薄膜、高透光薄膜、质子/离子交换膜、分离膜等领域的研究和应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN113564688A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110777248.9
申请日：2021-07-09
申请人： 沈阳化工大学
摘要： 本发明公开了一种碳酸钙晶须的制备方法，涉及一种无机产品制备方法，该方法先将原料方解石矿或方解石尾矿或石灰石工业废料煅烧分解为氧化钙，再将氧化钙和氯化镁加入到去离子水中并在一定温度下进行消化，过滤得到滤饼打浆通入过量的CO2中进行碳酸化反应制得重镁水，最后将消化转化过滤后的滤液均匀滴加到碳酸化反应过滤后的滤液中，并在一定温度和搅拌速率下进行反应，直至无沉淀产生反应结束，得到碳酸钙晶须。这种方法解决了传统碳酸化法制备碳酸钙晶须长度小、长径比低、纯度不高、母液无法多次回收利用、原料来源受限、生产成本高等问题，本发明不仅可以制得更高纯度、更大长径比的碳酸钙晶须，也可以使母液以及CO2气体循环利用，节约成本，易于实现工业化生产。
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公开(公告)号：CN113502546A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110760633.2
申请日：2021-07-06
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种磁场下合成及连续生长磷化物的方法，属于半导体材料制备领域，特别是在静态磁场作用下，采用磷浸入金属熔体的方式进行半导体磷化物合成及生长的方法。方法包括A、加热坩埚，使坩埚内的金属和覆盖物氧化硼融化；B、将红磷浸入坩埚；C、在坩埚外围施加静磁场，调节温度梯度，开始合成；D、合成完毕后，进行晶体生长。采用本发明提供的方法，红磷以固体的形式沉入熔体，气化后从坩埚底部上浮，克服了采用磷泡产生的倒吸等问题；横向静磁场抑制气泡上浮速率，同时抑制温度梯度方向的熔体对流，使合成过程更加平稳、迅速。
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公开(公告)号：CN113481598A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110768899.1
申请日：2021-07-07
申请人： 中南大学
IPC分类号： C30B29/10 , C30B1/10 , C30B1/02 , B22F9/04 , H01L31/032 , H01L31/036
摘要： 本发明公开了一种Zn‑P‑As晶体材料及其制备方法和应用，所述Zn‑P‑As晶体材料中Zn、P、As的原子比为3：5：2.6，正交晶系，空间群为Cmcm，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，保护性气氛或真空环境下，将单质As、单质P以及单质Zn球磨混合，升温至620℃～820℃下保温反应不低于6h即得。本发明所载的Zn‑P‑As晶体材料，其光学带隙约为1.2eV，与单晶Si(Eg:1.1～1.3eV)的带隙接近，作为半导体材料，在新型电子器件领域以及光伏领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN113463194A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110616214.1
申请日：2021-06-02
申请人： 湖北大学
摘要： 本发明提供了一种无机单晶的制备方法、复合膜的制备方法及应用。该无机单晶的制备方法为：将钠盐溶于水中，得到第一溶液；将六氯三聚磷腈加入至有机溶剂中，溶解后得到六氯三聚磷腈溶液；将第一溶液加入至六氯三聚磷腈溶液中，静置后得到单晶；或，将钠盐与钾盐均溶于水中，得到第二溶液；将六氯三聚磷腈加入至有机溶剂中，溶解后得到六氯三聚磷腈溶液；将第二溶液加入至六氯三聚磷腈溶液中，静置后得到单晶。本发明采用含有钠盐的第一溶液或含有钾盐或钠盐的第二溶液，与六氯三聚磷腈溶液反应，最终制备得到单晶，制备得到的单晶均不含重金属元素，制备过程环保，工艺简单。利用该单晶制备得到的复合膜制成的压电器件具有较好的压电输出性能。
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