公开(公告)号：CN1503001A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN200310119837.X

申请日：2003-10-23

Applicant: 雅马哈株式会社

Inventor： 大桥俊幸 ,  涌井幸夫

IPC: G01R33/09 ,  G11B5/39

CPC classification number: G01D5/145 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  H01F10/324 ,  H01F10/3295 ,  H01F13/00 ,  H01F17/0006 ,  H01F41/302 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49034

Abstract: 一种具有可以稳定维持自由层磁区的磁化方向的磁阻效应元件的磁传感器。该磁传感器包括具有包括钉扎层和自由层的窄带形部(11a、11a)的磁阻效应元件。在自由层的两端部下方形成了偏磁膜(11b、11b)和初始化用线圈(31)，所述偏磁膜(11b、11b)由使该自由层上产生规定方向的偏磁场的永久磁铁构成，所述初始化用线圈(31)与所述自由层邻近而设，通过在规定条件下通电来对自由层施加与所述偏磁场同一方向的磁场。此外，偏磁膜的起磁和钉扎层的磁化方向的固定用由磁铁阵列形成的磁场完成，使在多个永久磁铁设置在正方格的格点上的同时各永久磁铁的磁极的极性与间隔最短距离邻接的其他磁极的极性不同。

公开(公告)号：CN1353414A

公开(公告)日：2002-06-12

申请号：CN01137453.5

申请日：2001-11-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平本雅祥 ,  松川望 ,  小田川明弘 ,  足立秀明 ,  饭岛贤二 ,  榊间博 ,  杉田康成

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/52

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3916 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/324 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295

Abstract: 一种磁致电阻元件,包括磁性衬底;磁性层;和位于磁性衬底和磁性层之间的非磁性层。

公开(公告)号：CN1230744A

公开(公告)日：1999-10-06

申请号：CN99100206.7

申请日：1999-01-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 榊间博 ,  广田荣一 ,  川分康博 ,  里见三男 ,  杉田康成

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/31

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/3948 ,  G11B5/3954 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/32 ,  H01F10/3218 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3295 ,  H01F41/302 ,  H01L43/10 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/1107 ,  Y10T428/1121

Abstract: 本发明涉及一种交换耦联薄膜,其包括铁磁层和锁定层,所述锁定层与铁磁层相接触以锁定铁磁层的磁化方向,该锁定层包括(AB)2Ox层,其中O代表氧原子;2.8

公开(公告)号：CN1194430A

公开(公告)日：1998-09-30

申请号：CN98105893.0

申请日：1998-03-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 佐藤雅重 ,  小林和雄 ,  菊地英幸

IPC: G11B5/127

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G11B5/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/332 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3295 ,  H01F41/307 ,  H01L43/08 ,  Y10S148/118

Abstract: 一种铁磁性隧道结磁传感器,它包括一个第一铁磁性层,一个形成于前述第一铁磁性层之上的并在其中包括一层隧道氧化膜的绝缘阻挡层和一个形成于前述绝缘阻挡层之上的第二铁磁性层,其中,前述绝缘阻挡层包括一个带前述隧道氧化膜的金属层,前述隧道氧化膜由构成前述金属层的金属元素的氧化物组成,并且,该绝缘阻挡层的厚度约为1.7nm或更小,但大于组成前述隧道氧化膜的前述氧化物的一个分子层的厚度。

公开(公告)号：CN2657206Y

公开(公告)日：2004-11-17

申请号：CN200320116792.6

申请日：2003-10-16

Applicant: 雅马哈株式会社

Inventor： 佐藤秀树 ,  相曾功吉 ,  涌井幸夫

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: G01R33/093 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/0005 ,  G01R33/09 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3295 ,  H01F41/304 ,  Y10T29/49034 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49044 ,  Y10T29/49052 ,  Y10T29/49067

Abstract: 磁感应器包括结合在一起以形成正方形石英衬底(2)上的GMR元件(11－14，21－24)的磁阻元件(31)和永久磁铁膜(32)，其中所述永久磁铁膜成对并连接到所述磁阻元件的两端，以便通过相对于石英衬底的四条边适当排列GMR元件来实现X轴磁感应器和Y轴磁感应器，这里，磁阻元件的被钉扎层(PD)的磁化方向与磁阻元件的纵向方向或永久磁铁膜的磁化方向成45°的规定角。因此，即使当强磁场作用时，可以可靠抑制GMR元件的桥连接的偏移变化；并且因此可以显著提高对强磁场的阻抗特性。