全密度Co-W磁性溅射靶
    69.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101220453A

    公开(公告)日:2008-07-16

    申请号:CN200710104884.5

    申请日:2007-05-24

    Abstract: 提供了溅射靶,其具有:第一材料的第一元素相,所述第一材料是钴或钨;包括所述第一材料和第二材料的第一金属间相,所述第二材料是钴或钨并且不同于所述第一材料,所述第一材料比所述第二材料具有更大的原子百分比;和包括所述第二材料和所述第一材料的第二金属间相,所述第二材料比所述第一材料具有更大的原子百分比。该溅射靶包括20-80at.%的钴,并且具有其最大理论密度的99%以上的密度。该溅射靶通过以下步骤制造:选择具有相同粒径分布的钴粉末和钨粉末;将所述钴粉末和钨粉末掺和在一起,形成掺和粉末;罐装所述掺和粉末;热压所述掺和粉末,形成固体;以及机械加工所述固体,形成溅射靶。

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