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公开(公告)号：CN102842027A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210076879.9
申请日：2012-03-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/14623 , H01L27/14627
Abstract: 本发明提供摄像装置，防止光串扰并将摄像装置的结构简化。摄像装置具备：光透过性的基板(32)、与基板的第一表面(321)对置的多个透镜(44)、形成于基板的第二表面(322)并具有供各透镜的光轴通过的开口部(36)的遮光层(34)、以及以透镜的光轴通过与第二表面隔开间隔对置的受光面(56)的方式配置的多个受光元件(54)。透镜的有效直径(D)、开口部的直径(a)、受光面与遮光层之间的距离(h)、受光面的直径(d)、受光面与透镜的中心的距离(s)、各受光元件的间距(p)以及基板的折射率(n)满足：a＜(h·D+h·d-s·d)/s以及tan-1{(p-a/2-d/2)/h}＞sin-1(1/n)。
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公开(公告)号：CN101281313B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200810091164.4
申请日：2008-04-07
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 石黑英人
CPC classification number: G06F3/042 , G02F1/13318 , G06F3/0412 , G09G3/3648
Abstract: 本发明提供的液晶装置中，光量调节部(82)作为对从显示面(302s)向开口部(83)入射的入射光(L2)的光量进行调节的调整机构而发挥功能。由于光量调节部(82)能够控制液晶元件(50b)所具有的液晶部分的取向状态，所以，可按每个光量调节部(82)独立地调节入射光(L2)的光量。因此，根据液晶装置(1)，与在各像素中通过控制液晶层的取向状态来控制显示光的光强度的情况相同，可独立调节向各光传感器部(150)的受光元件(151)入射的入射光(L2)的光量。由此，例如在具有触摸屏功能的显示装置中，可正确地确定指示机构的位置。
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公开(公告)号：CN101038932B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200710088512.8
申请日：2007-03-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L51/5218 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L51/5265 , H01L51/5271 , H01L2251/5315
Abstract: 提供一种即使在由有机平坦化膜对开关元件形成的凹凸进行平坦化后的情况下也能防止从有机平坦化膜向有机发光功能层的水分的扩散的EL装置、电子设备及其制造方法。为了制造EL装置，而将对由薄膜晶体管(7)所产生的凹凸进行平坦化处理的有机平坦化层(25)从发光区域(110)一体形成至非发光区域(120)为止。因此即使在发光区域(110)形成保护层(14)的情况下，在非发光区域(120)中，有机平坦化层(25)的上面从保护层(14)露出。从而该状态下进行烘培处理，则发光区域(120)上形成的有机平坦化膜(25)含有的水分在有机平坦化膜(25)内从发光区域(110)向非发光区域(120)扩散之后从上面放出。
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公开(公告)号：CN101197380B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200710196457.4
申请日：2007-12-05
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 石黑英人
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L29/786 , H01L29/423 , H01L27/32 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L29/78645 , H01L29/78648 , Y10T428/10 , Y10T428/1014 , Y10T428/1068
Abstract: 本发明公开一种半导体装置和电光学装置，其中薄膜晶体管10将多晶硅膜1a作为能动层而具有，并具有漏极侧的第1薄膜晶体管部10a和源极侧的第2薄膜晶体管部10b串联连接的多栅极构造。第1薄膜晶体管10a备有：第1前部栅极电极3a和与该第1前部栅极电极3b电连接的漏极侧后部栅极电极8a，第2薄膜晶体管10b备有第2前部栅极电极3b和施加有源极电位的源极侧后部栅极电极8b。从而即使在因弯折效应而使得在薄膜晶体管的饱和动作区域中存在源极·漏极电流的变动的情况下，也能够得到稳定的输出。
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公开(公告)号：CN101714330A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910171924.7
申请日：2009-09-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G09G3/32
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0814 , G09G2300/0819 , G09G2300/0852 , G09G2300/0866 , G09G2310/066
Abstract: 本发明涉及像素电路的驱动方法、发光装置及电子设备。用于针对多个灰度抑制驱动电流的误差。像素电路(U)包含相互串联连接的发光元件E及驱动晶体管(TDR)、夹设在驱动晶体管(TDR)的栅极和源极之间的保持电容(CST)。驱动电路(30)向驱动晶体管(TDR)的栅极供给驱动信号(X[j])，按照停止驱动信号(X[j])的供给的时刻的驱动信号(X[j])的电位(VX)的时间变化率(RX)，成为与该像素电路(U)的指定灰度(D)对应的时间变化率(RX)的方式，使驱动信号(X[j])的电位(VX)随着时间的经过而变化。
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公开(公告)号：CN100471353C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200610128090.8
申请日：2006-09-01
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H05B33/10
Abstract: 一种发光装置的制造方法及发光装置。该发光装置具有密封在基板(10)与密封体(32)之间的发光体(16)。该发光装置的制造方法包括：在基板(10)的表面上形成由发光材料构成的发光层(L)的工序；形成局部覆盖发光层(L)的密封体(32)的工序；和通过将密封体(32)作为掩模的等离子体处理除去发光层(L)中未被该密封体(32)覆盖的部分，来形成发光体(16)的工序。这样，能够有效地除去发光层的不要部分。
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公开(公告)号：CN100392867C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN97190654.8
申请日：1997-06-04
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/314
CPC classification number: H01L29/66757 , G02F1/13454 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 本发明为了提供一种可提高可靠性的非单晶硅薄膜晶体管的制造方法，故在已在玻璃基板14上形成了基底SiO2膜15之后，在其上形成多晶硅层17。其次，在完成多晶硅层17的刻制成图形以后，用ECR-PECVD法或TEOS-PECVD法形成栅SiO2膜18。然后，形成栅电极19，以及借助于离子搀杂法形成源、漏区域20、20。而且，形成SiO2层间绝缘膜21，使接触孔22开口后，形成由Al-Si-Cu膜构成的电极23。而最后，进行温度350℃，退火时间3小时的湿退火。
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公开(公告)号：CN101047123A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710087841.0
申请日：2007-03-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/20
Abstract: 在半导体薄膜的制造方法中，将设置有排列于表面的多个突起部(10)的单晶半导体基板(单晶硅基板2)、与表面堆积有半导体薄膜的透光性基板(4)，使相互的表面相对进行结合。对半导体薄膜实施热处理，使半导体薄膜熔融晶体化，在透光性基板(4)上以多个突起部(10)的每一个为起点，形成由多个近似单晶粒(晶体硅16)构成的类似单晶半导体薄膜(类似单晶硅薄膜20)。将包括类似单晶半导体薄膜(类似单晶硅薄膜20)的透光性基板(4)与单晶半导体基板(单晶硅基板2)分离。由此，提供可获得在透明的绝缘基板上控制了结晶方位的类似单晶半导体薄膜的半导体膜、半导体元件、半导体装置及其制造方法。
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