公开(公告)号：CN100392867C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN97190654.8

申请日：1997-06-04

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 石黑英人 ,  中泽尊史

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L29/66757 ,  G02F1/13454 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明为了提供一种可提高可靠性的非单晶硅薄膜晶体管的制造方法，故在已在玻璃基板14上形成了基底SiO2膜15之后，在其上形成多晶硅层17。其次，在完成多晶硅层17的刻制成图形以后，用ECR-PECVD法或TEOS-PECVD法形成栅SiO2膜18。然后，形成栅电极19，以及借助于离子搀杂法形成源、漏区域20、20。而且，形成SiO2层间绝缘膜21，使接触孔22开口后，形成由Al-Si-Cu膜构成的电极23。而最后，进行温度350℃，退火时间3小时的湿退火。

公开(公告)号：CN1194726A

公开(公告)日：1998-09-30

申请号：CN97190654.8

申请日：1997-06-04

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 石黑英人 ,  中泽尊史

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L29/66757 ,  G02F1/13454 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明为了提供一种可提高可靠性的非单晶硅薄膜晶体管的制造方法,故在已在玻璃基板14上形成了基底SiO2膜15之后,在其上形成多晶硅层17。其次,在完成多晶硅层17的刻制成图形以后,用ECR－PECVD法或TEOS－PECVD法形成栅SiO2膜18。然后,形成栅电极19,以及借助于离子搀杂法形成源、漏区域20、20。而且,形成SiO2层间绝缘膜21,使接触孔22开口后,形成由Al－Si－Cu膜构成的电极23。而最后,进行温度350℃,退火时间3小时的湿退火。