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公开(公告)号：CN115725297A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211580457.5
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米板异质结构的CdS/CdTe/CdS量子阱材料及其制备方法，其是以硫化镉为种子，采用核‑种子侧向壳生长的方法获得碲化镉冠区，然后再用相同的方法在碲化镉上生长硫化镉平面，从而制备出纳米板异质结构的CdS/CdTe/CdS量子阱材料。本发明运用热注入法和核‑种子侧向壳生长法制备具有纳米板异质结构CdS/CdTe/CdS量子阱材料，其方便可行，所制备的材料具有连续的PN异质结构、匹配的能带结构、良好的光学特性、结构稳定性，在量子点的照明、显示和光电探测等材料领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN115666199A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211570490.X
申请日：2022-12-08
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种QLED阵列器件的直接光刻法制备方法，包括：在透明导电衬底的ITO层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层和图案化发光层、电子传输层、金属阴极。其中，图案化发光层是通过将含光敏剂的可交联半导体聚合物和量子点共混形成墨水，经过旋涂、曝光和显影后实现。本发明不仅对量子点表面配体无损害，不限制量子点种类以及配体类型，也有利于提高空穴传输能力，以制备出高性能图案化QLED器件。
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公开(公告)号：CN115377339A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211162470.9
申请日：2022-09-23
Abstract: 本发明提出一种基于静电吸附量子点制备图案化QLED的方法，先制备P4VP（４‑乙烯基吡啶二嵌段共聚物）薄膜，再用DPN（蘸水笔纳米光刻术）法制备图案化的P4VP薄膜，最后在P4VP薄膜上旋涂配体（如羧酸、膦酸和硫醇末端的配体）修饰的量子点。在P4VP薄膜上的图案是由于局部质子化形成的，通过静电作用可以吸附由于配体电离而带负电的量子点得到图案化的量子点薄膜。以此为基础可以通过在P4VP薄膜上设计和制备不同尺寸的图案，从而获得亚微米以及纳米级别的量子点薄膜发光像素，通过转印技术把图案化的量子点薄膜转移到预制QLED基底功能层上，制备出QLED器件。
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公开(公告)号：CN112599714B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110019740.X
申请日：2021-01-07
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种转印图案化量子点制备纳米LED的方法，在透明导电衬底的ITO层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层和图案化量子点薄膜、电子传输层、金属阴极，所述图案化量子点薄膜以转印的方法制备，包括以下步骤：1）预先制备带图案化凹槽的PDMS印章；2）通过LB膜拉膜机生成量子点LB膜；3）将PDMS印章粘附量子点LB膜，使量子点填充满凹槽处，得到图案化的量子点；4）将凹槽处填充了量子点的PDMS印章贴合到空穴传输层上，依次按压、分离PDMS印章，使图案化的量子点被转印到空穴传输层上。该方法可以使QLED器件的像素尺寸缩小至纳米级别，从而获得高亮度、高PPI的显示像素单元。
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公开(公告)号：CN108898003B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201810841084.X
申请日：2018-07-27
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于量子点发光器件的息屏指纹解锁方法，在电子设备处于息屏的状态下，通过手指按压嵌设于电子设备屏幕内量子点发光器件，点亮解锁区域，照射手指，并触发指纹解锁指令；启动嵌设于电子设备屏幕内且位于量子点发光器件下方的摄像单元，透过量子点发光器件进行拍摄，获取待测指纹图像信息；电子设备将所获取的待测指纹图像信息与所述电子设备中存储的预设指纹图像进行匹配，若指纹匹配成功，则电子设备执行解锁指令。本发明提出的方法，可以提高精确度，可以省略传感器传输的中间步骤，节约制造空间，加快指纹对比速度，提高解锁效率，增强用户体验。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112625681B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202011585748.4
申请日：2020-12-29
Abstract: 本发明公开了一种蓝光InP/ZnS量子点及其制备方法和在QLED器件中的应用，本发明将铟源、磷源、碘化锌、油胺、硬脂酸锌、1‑十二硫醇、1‑十八烯置于50ml烧瓶中，在氮气的环境下,控制不同温度和反应时间分别形成InP核和ZnS外壳，进而得到发出纯蓝光的InP/ZnS量子点。本发明利用一锅法合成InP/ZnS量子点与传统的方法相比，简单更节省时间，且合成的量子点壳与核之间的晶格失配度更低，缺陷更少，具有更高的荧光量子效率，传统的方法合成的蓝色量子点发光峰波长大都为470nm以上，而本发明的量子点发光峰波长为470nm以下为纯蓝光，制备的QLED相对比镉系量子点具有无毒的优势，更有利于商业化。
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公开(公告)号：CN112054130B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202010989572.2
申请日：2020-09-19
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于交流电场驱动半导体PN结的可拉伸发光器件，包括从上至下依次设置的第一可拉伸电极基板、第一可拉伸电极、半导体PN结发光层、第二可拉伸电极和第二可拉伸电极基板。本发明能够实现可拉伸发光器件的发光显示，且能在拉伸情况下保持良好的光输出能力。
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公开(公告)号：CN112701230A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011538453.1
申请日：2020-12-23
Abstract: 本发明属于电子传输层QLED制备技术领域，具体涉及一种干法转移ZnO纳米薄膜制备钙钛矿QLED电子传输层的方法。先在辅助衬底上制备一层ZnO纳米薄膜，然后将预先制备的粘性弹性体PDMS贴合在ZnO薄膜上，利用弹性体PDMS的粘性吸附ZnO纳米薄膜，将PDMS/ZnO与辅助衬底分离。然后进行退火使PDMS印章粘性减弱，将PDMS/ZnO贴合到钙钛矿量子点发光层上并按压，ZnO纳米颗粒被转移至钙钛矿层上，最后将PDMS印章与ZnO层分离。本发明通过PDMS印章转移ZnO纳米薄膜至钙钛矿量子点发光层上作为电子传输层，不仅可以构建完美的异质界面，还可避免溶液加法中溶剂作用或真空工艺的热效应对钙钛矿量子点发光层的破坏。
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公开(公告)号：CN112687821A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202110072380.X
申请日：2021-01-20
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种量子点智慧照明QLED器件及其制备方法，包括从下往上依次设置的透明基板，空穴注入层，电荷收集层，光敏感层，混合量子点发光层，电子传输层和金属电极。本发明使用混合单层红绿蓝量子点发光层的方法，避免了红绿蓝发光层分层制备带来的工艺复杂、器件电压高等弊端，并增加了电荷收集层和光敏层，实现了白光QLED器件智能记忆可光电调控的功能。
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公开(公告)号：CN112510163A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011427013.9
申请日：2020-12-09
Abstract: 本发明涉及一种倒置结构量子点发光二极管及其制备方法。采用平面层状多膜层结构，包括基板、阴极层、电子传输层、LB膜修饰层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极层；其中，所述LB膜修饰层是利用LB拉膜机制备的有机聚合物薄膜，以LB膜修饰层对电子传输层/量子点发光层进行界面修饰。本发明LB膜修饰层是利用LB拉膜机制备的有机聚合物薄膜，其制备方法简单，聚合物分子有序排列，膜厚精准可控等优点，可以通过重复LB拉膜步骤实现对有机聚合物LB膜层数的控制。以这种高质量LB膜作为器件的界面修饰层，不仅可以精准限制电子注入进一步提高电荷平衡，还可以钝化界面处的缺陷提高辐射复合效率，从而有效提高量子点发光二极管的性能。
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