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公开(公告)号：CN118588516A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410672163.8
申请日：2024-05-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种回旋带状电子注的平板型回旋行波管高频结构，涉及真空电子、大功率毫米波源器件领域。该高频结构包括矩形波导，所述矩形波导分为线性段和非线性段；所述线性段的两个宽边内壁加载有厚度均匀的介质层；高频结构的输入为回旋带状电子注，保持所述矩形波导窄边不变，增加宽边尺寸，能够实现大功率输出。本发明与传统圆波导结构高频互作用回路相比，器件的工作模式为矩形波导TE0n模，其工作频率仅由波导结构窄边尺寸决定，在大工作电流的条件下，通过增加长宽比能够显著提高电子通道面积、降低电子注电流密度和空间电荷效应，更容易实现器件的兆瓦级甚至更大功率的输出。
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公开(公告)号：CN118588514A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410672160.4
申请日：2024-05-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微波截止方法的回旋行波管背景气体传导结构，涉及微波、毫米波技术领域。该结构包括设置在阳极壳体处的第一通孔阵列及其外侧的环形腔体，设置在收集极外壳处的第二通孔阵列及其外侧的外套筒，第二通孔阵列与外套筒之间存在环形间隙，环形腔体与环形间隙之间通过至少两个气体传输通道连通，气体传输通道连通内设置有截止结构。本发明能够在不影响电子注状态和微波性能的情况下，高效地将电子枪区域的气体传导至收集极并被钛泵抽离，从而提高了高频率工作状态下回旋行波管的可靠性。
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公开(公告)号：CN118299705A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410414780.8
申请日：2024-04-08
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M10/54 , H01M6/52 , C01B32/198
Abstract: 本发明公开了一种基于回收氧化石墨烯/硫溶胶复合微球，以废弃石墨为原料制备回收氧化石墨烯，并通过回收氧化石墨烯与硫溶胶粒子进行复合即可制得单个复合微球的尺寸为1‑5μm，微观形貌为，氧化石墨烯完整的包覆在硫溶胶粒子的表面，形成连续的导电网络；具有自支撑的特点，经常规方法压实，辊压，切片，即可直接作为电极片使用，即得到自支撑电极。其制备方法包括以下步骤：1，石墨的常规回收；2，氧化石墨烯的制备；3，基于回收氧化石墨烯/硫溶胶复合微球的制备。作为锂硫电池正极材料的应用，在0.2C的电流密度下的初始放电比容量为1035‑1077mA h g‑1，50次充放电循环后，放电比容量为718‑755mA h g‑1，循环后容量保持率为69‑70％。
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公开(公告)号：CN118280790A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410386923.9
申请日：2024-04-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01J23/027 , H01J25/42
Abstract: 本发明公开了一种应用于回旋行波管的非对称二级降压收集极，属于真空电子、大功率毫米波源器件领域。该收集极包括：收集极外壳、收集极入口、微波输出窗口、第一平板电极、第二平板电极、一对辅助线圈、一对主线圈、腔内反射镜面、腔外反射镜面组、冷却装置。本发明通过正交组合磁场对废电子注进行分类，引入预分类和二次分类强化电子分类效果，能够在较小的体积中实现对回旋电子注中不同能量电子的分类收集，结构简单易于实现，有效提高了回旋行波管整管效率。
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公开(公告)号：CN118136480A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410160827.2
申请日：2024-02-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 发明公开了一种用于回旋行波管介质加载段的衰减结构，涉及微波、毫米波以及太赫兹波电真空器件技术领域。本发明结构将吸收电磁波的主体从衰减陶瓷转变为水，克服了其在温度升高带来衰减降低和出气问题；实现了回旋行波管在高增益，高工作比或连续波状态下的稳定工作。本发明相较于传统结构具有更优良的散热性能，电磁能量转化为的热能无法累积。因此，其在高工作比或连续波工作状态下仍可以维持较低的温度，避免了因温度变化导致的衰减降低，陶瓷放气等问题。所采用的无耗BeO陶瓷相较于传统的BeO‑TiO2陶瓷具有更高的密致性，有效避免了高温情况下的放气问题，可以提高回旋行波管的在高功率工作时的工作稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116748619A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310918042.2
申请日：2023-07-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种玻璃钎焊制备蓝宝石超表面输出窗的方法，属于真空电子器件技术领域。本发明使用玻璃钎料连接蓝宝石制备超表面输出窗，并提供了玻璃钎料的制备方法。本发明利用氧化物钎料熔化后形成玻璃体系，向蓝宝石渗透并润湿蓝宝石表面而实现可靠连接；能够有效的降低因母材热膨胀系数呈各向异性而产生的热应力，使焊缝具有良好的力学性能和长期服役稳定性；另外，采用玻璃钎料连接蓝宝石的工艺简单，成本较低，对各种结构超表面输出窗的制备提供了一种可行方法。
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公开(公告)号：CN116631827A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310414764.4
申请日：2023-04-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种新型超宽带带状注行波管慢波结构，属于微波电子学及电真空技术领域。包括壳体，所述壳体上设有两个长方体间隙，两个长方体间隙分别位于电子通道长边的两端，并与电子通道连通。通过设置的两个长方体间隙，改变了慢波结构中的电场分布，提高了高频处空间谐波的相速度，实现了空间谐波和电子注的宽带匹配。通过调整长方体间隙的高度和宽度，改变了原始的色散特性，实现宽频带内空间谐波与电子束的相速匹配，实现远超传统交错栅结构的工作带宽。同时，在同样频段该结构的横向尺寸更小，从而可以设计体积更小的电真空器件。
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公开(公告)号：CN116484154A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310136088.9
申请日：2023-02-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种回旋行波管曲线高频电路增益计算方法，属于微波技术领域。本发明方法将曲线高频结构等分成N段高频电路单元，分别计算N段等效高频电路单元的前向增长波增益，然后线性叠加得到总增益，最后绘制增益频率响应曲线。本发明利用“以直代曲”的增益率微元叠加思想计算曲线高频结构的增益，适用于任意轮廓分布的高频结构；通过前向增长波增益的频率响应情况来判断回旋行波管曲线高频电路的稳定性，相比于大信号理论或者三维粒子仿真模拟方法，在不降低计算精度的同时，可以节省计算资源，提高计算速度。
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公开(公告)号：CN116282236A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211680431.8
申请日：2022-12-27
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于PBA‑刻蚀‑煅烧硫化法的镍钴双金属硫化物，以六水合硝酸镍、钴氰化钾、二水合柠檬酸三钠为原料，首先，通过静置陈化法合成Ni‑Co‑PBA，然后，再经过氨水刻蚀处理后获得Ni‑Co‑Etch，最后，通过煅烧硫化即可。其微观形貌呈纳米立方结构，表面粗糙且中心位置向内凹陷，结构疏松，存在大量微孔，粒径尺寸为150‑250nm。其制备方法包括以下步骤：1，Ni‑Co‑PBA的制备；2，Ni‑Co‑PBA的刻蚀；3，Ni‑Co‑Etch的硫化处理。作为超级电容器电极材料的应用，在三电极体系中，比电容为1800‑1900F g‑1；在两电极体系中，功率密度为800‑850W kg‑1时，能量密度为60‑62Wh kg‑1；在10000圈循环后，循环稳定性保持为初始比电容的75‑85%。
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