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公开(公告)号：CN103632905B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310648576.4
申请日：2013-12-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01J23/24
Abstract: 本发明公开了一种梯形线结构慢波线，在矩形波导内周期性地交错排列矩形金属板，在矩形波导上下内壁相邻处开矩形槽作为电磁波耦合槽，以便电磁波能够通过，在电磁波耦合槽下方紧贴矩形金属板处两侧分别加有一块矩形金属脊，在加有矩形金属脊的矩形金属板中心开一个矩形孔作为电子注通道提供电子束必须的通道。本发明梯形线结构慢波线为脊加载矩形波导，相对于相同尺寸的矩形波导，其TE10模的截止波长更长，适用于更低的频率，有更宽的工作频带，同时，由于矩形金属脊的存在，使得在电子注通道处的纵向电场得到增强，从而可以得到更高的耦合阻抗，使行波管具有更高的增益和效率。
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公开(公告)号：CN117691437A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311704528.2
申请日：2023-12-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01S1/06
Abstract: 本发明公开了一种基于可调光栅的电子束‑等离子体系统太赫兹辐射源，在真空腔内部设置介质管，在介质管内部形成等离子体通道，电子束穿过等离子体通道激发等离子体波，在介质管外壁的可调光栅表面形成布洛赫模式，其中波数小于相同频率电磁波的波数的谐波可以转换为辐射场，从可调光栅表面向外界辐射，从而形成太赫兹辐射输出。本发明利用可调光栅作为耦合器实现等离子体波与太赫兹电磁辐射的场匹配，从而有效地提取基频等离子体波的能量；并且利用可调光栅作为控制器，通过改变可调光栅的周期和电压来控制太赫兹辐射源的工作参数。
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公开(公告)号：CN114865327B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202210437400.3
申请日：2022-04-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种谐振环阵列构成的衰减器，由多个多层堆叠谐振环结构按照阵列方式排布形成。所述多层堆叠谐振环结构为类金字塔结构，由于最下一层介质基板和金属谐振环较大，所以具有较低的工作频率，越往上的层介质基板和金属谐振环越小，工作频率越高，因此，本发明既能够工作较低频率，又能够工作较高频率，具有工作频带宽的优势。此外，本发明中的多层堆叠谐振环结构，虽然每一层都是平面结构，但是通过堆叠后构成垂直的一个阵列，该类垂直阵列对于平行入射的电磁波也具有吸收作用。也就是说，本发明谐振环阵列构成的衰减器实际上是三维阵列，对于各个方向入射的电磁波都有吸收作
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公开(公告)号：CN114724906B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202210508061.3
申请日：2022-05-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种光栅扩展互作用腔结构，在现有技术基础上，将与轴线夹角均为90度的光栅，调整为具有不同倾角的偏转光栅组合，这种偏转光栅组合可以改变能量的辐射角度，实现多周期光栅的能量在耦合腔内的有效耦合，同时将耦合腔的矩形壁改为弧面壁，耦合腔变为弧面耦合腔，使得光栅扩展互作用腔结构的光栅周期数可以进行有效扩展，从而解决了传统光栅扩展互作用腔结构的光栅数增多导致的模式竞争和腔内场隔离的问题，一方面有效降低了起振电流，解决了高频太赫兹频段难以起振的问题且提升了输出功率；另一方面有效提升了扩展互作用放大器的腔体调制能力，使光栅扩展互作用腔结构能够应该到工作频率0.65THz及以上，这样其在太赫兹源的产生和放大方面具有应用潜力。
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公开(公告)号：CN114530359B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202210163680.3
申请日：2022-02-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种同轴多通道悬置微带线慢波结构行波管，包括：管壳和同轴多通道悬置微带线慢波结构；电子注位于圆柱形管壳的轴心，并沿轴心传输；多通道的悬置微带线慢波结构位于圆柱电子注的四周，沿轴对称，故而称为同轴多通道悬置微带线慢波结构；电子注在中心通过时与每一个悬置微带线慢波结构发生互作用，实现慢波结构上传输电磁波的放大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112952532B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110109421.8
申请日：2021-01-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多电子束与等离子体相互作用的太赫兹辐射产生方法，先利用等离子体源电离中性气体，在真空腔内产生一定密度范围的等离子体；再将多个(两个或两个以上)电子束以一定的发射夹角注入等离子体中，通过预先调节电子束之间的发射夹角，使多个电子束在等离子体内部形成会聚点，当多个电子束在等离子体内部会聚到一点，将在此会聚点处激发等离子体波；最后等离子体波将引起电子束会聚点处的电子振荡，从而激发频率位于等离子体频率及其倍频的高功率太赫兹辐射。
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公开(公告)号：CN111640638B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202010467506.9
申请日：2020-05-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种大功率高频率高次模工作的交错双线平面化行波管，采用了正向交错双线高频结构来实现很高的耦合阻抗高，增强了注‑波互作用，因此可以输出大功率的电磁波；在具体使用过程中，通过合理设置工作参数，实现工作在W波段(70‑110GHz)的高次模式，因此大幅提升了该新型行波管的频带，这样很好地平衡了大功率和高频率两大关键点，从而实现了行波管大功率、高频率、高次模工作方式。
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公开(公告)号：CN112952532A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110109421.8
申请日：2021-01-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多电子束与等离子体相互作用的太赫兹辐射产生方法，先利用等离子体源电离中性气体，在真空腔内产生一定密度范围的等离子体；再将多个(两个或两个以上)电子束以一定的发射夹角注入等离子体中，通过预先调节电子束之间的发射夹角，使多个电子束在等离子体内部形成会聚点，当多个电子束在等离子体内部会聚到一点，将在此会聚点处激发等离子体波；最后等离子体波将引起电子束会聚点处的电子振荡，从而激发频率位于等离子体频率及其倍频的高功率太赫兹辐射。
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公开(公告)号：CN111640637B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202010541981.6
申请日：2020-06-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多注太赫兹同轴谐振腔反射速调管，包括参考电极和反射电极，其中，参考电极由同轴谐振腔、过渡波导和输出波导组成；电子注通过电子注通道注入同轴谐振腔，随后漂移至漂移头间的间隙内，并被间隙内的太赫兹高频场进行调制，被调制后的电子在漂移管和反射区内实现漂移群聚，然后再次返回到间隙内，群聚后的电子在间隙内与高频场相互作用，将动能转化为间隙内的电磁能，并储存在同轴谐振腔内，最后通过耦合孔、过渡波导和输出波导输出外部空间。
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公开(公告)号：CN111341631B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202010264054.4
申请日：2020-04-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种利用二次电子倍增的电磁波发生器将慢波结构或谐振腔分成两段或三段，在前后两段之间垂直插入二次电子倍增片。二次电子倍增片沿厚度方向有多个微米直径微通道，微通道内壁涂敷有二次电子倍增膜，微通道的高度或者直径远小于二次电子倍增片厚度，即微通道长度，电子会在微通道内壁发生多次碰撞，每次碰撞会产生数十个二次电子，二次电子倍增实现电子束电流倍增，即能量倍增，但是并不影响电子束已经产生的密度调制，故而能够获得更高功率，更高增益的电磁波输出。与此同时，不需要外加聚焦磁场，虽然分散后只有少量的电子能够打到二次电子倍增片上，但是由于二次电子倍增片的增益高达数万倍，所以已经足够能将电子束电流放大。
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