-
公开(公告)号：CN111341631A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010264054.4
申请日：2020-04-07
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种利用二次电子倍增的电磁波发生器将慢波结构或谐振腔分成两段或三段，在前后两段之间垂直插入二次电子倍增片。二次电子倍增片沿厚度方向有多个微米直径微通道，微通道内壁涂敷有二次电子倍增膜，微通道的高度或者直径远小于二次电子倍增片厚度，即微通道长度，电子会在微通道内壁发生多次碰撞，每次碰撞会产生数十个二次电子，二次电子倍增实现电子束电流倍增，即能量倍增，但是并不影响电子束已经产生的密度调制，故而能够获得更高功率，更高增益的电磁波输出。与此同时，不需要外加聚焦磁场，虽然分散后只有少量的电子能够打到二次电子倍增片上，但是由于二次电子倍增片的增益高达数万倍，所以已经足够能将电子束电流放大。
-
公开(公告)号：CN111341631B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202010264054.4
申请日：2020-04-07
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种利用二次电子倍增的电磁波发生器将慢波结构或谐振腔分成两段或三段，在前后两段之间垂直插入二次电子倍增片。二次电子倍增片沿厚度方向有多个微米直径微通道，微通道内壁涂敷有二次电子倍增膜，微通道的高度或者直径远小于二次电子倍增片厚度，即微通道长度，电子会在微通道内壁发生多次碰撞，每次碰撞会产生数十个二次电子，二次电子倍增实现电子束电流倍增，即能量倍增，但是并不影响电子束已经产生的密度调制，故而能够获得更高功率，更高增益的电磁波输出。与此同时，不需要外加聚焦磁场，虽然分散后只有少量的电子能够打到二次电子倍增片上，但是由于二次电子倍增片的增益高达数万倍，所以已经足够能将电子束电流放大。
-
公开(公告)号：CN109950675A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910304522.3
申请日：2019-04-16
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01P5/02
摘要： 本发明公开了一种波导—波导界面连接装置，将隔离介质片改进为纺锤形介质片。电磁波传输将会在一波导内沿着介质片一端向另一端前进，随着介质片截面积的增大，电磁波能量将会不断地向介质片中集合，而电磁波沿着介质片向另一端前进，可以实现任意随介质片弯曲的连接；而后，当电磁波经过过渡区或者是波导—波导连接区或是介质折弯区后，到达另一波导内，并向另一端继续前进，这时，随着介质片截面积不断变小，能量又开始从介质片中出来，填满介质片和另一波导之间的区域，当介质片的截面积不断变小(介质片变细、变薄)，直至为零后，电磁波又在另一波导中传输了。这样，可以实现电磁波阻抗的缓变，从而减少了反射，减少了损耗。
-
公开(公告)号：CN209496987U
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201920513512.6
申请日：2019-04-16
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01P5/02
摘要： 本实用新型公开了一种波导—波导界面连接装置，将隔离介质片改进为纺锤形介质片。电磁波传输将会在一波导内沿着介质片一端向另一端前进，随着介质片截面积的增大，电磁波能量将会不断地向介质片中集合，而电磁波沿着介质片向另一端前进，可以实现任意随介质片弯曲的连接；而后，当电磁波经过过渡区或者是波导—波导连接区或是介质折弯区后，到达另一波导内，并向另一端继续前进，这时，随着介质片截面积不断变小，能量又开始从介质片中出来，填满介质片和另一波导之间的区域，当介质片的截面积不断变小(介质片变细、变薄)，直至为零后，电磁波又在另一波导中传输了。这样，可以实现电磁波阻抗的缓变，从而减少了反射，减少了损耗。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.022 秒)
