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公开(公告)号：CN103338563A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310287963.X
申请日：2013-07-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明涉及不受电网波动影响的交流LED驱动电路，包括有相连接的LED单元和驱动恒流源，其中LED单元的输入端连接外界的交流电，还具有参考电压生成单元，在所述的参考电压生成单元中包括了顺序连接的比较器组、电流源和电容，比较器组的输入端连接所述的驱动恒流源，电容向驱动恒流源输出连接，还具有分别与所述外界交流电连接的过零比较器和峰值比较器，过零比较器和峰值比较器共同输入至触发器后通过不同的输出端口与所述的电流源与电容连接。本发明的不受电网波动影响的交流LED驱动电路，使LED驱动电流对交流电波动不敏感，能够对LED照明单元提供稳定的驱动电流，同时驱动电流波形也能够很好地跟随交流电源波形，明显提高了驱动电路的功率因数。
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公开(公告)号：CN103309392A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310216518.4
申请日：2013-06-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及模拟集成电路领域，其公开了一种新型的二阶温度补偿的无运放全CMOS基准电压源，解决传统技术中的基准电压源的结构带来的占用芯片面积大、功耗高的问题，该基准电压源包括电压基准偏置电路、CTAT电压产生电路、PTAT电压产生电路及基准电压输出级电路；所述电压基准偏置电路的输出端与所述CTAT电压产生电路及基准电压输出级电路相连；所述CTAT电压产生电路和与其满足镜像电流关系的所述基准电压输出级电路相连；所述PTAT电压产生电路的输出端与所述基准电压输出级电路相连；所述基准电压输出级的输出端作为整个CMOS基准电压源的输出端，输出恒定的基准电压；本发明适用于需求基准电压源的模拟电路中。
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公开(公告)号：CN103152053A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310106848.8
申请日：2013-03-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03M1/54
Abstract: 本发明涉及电子电路技术，具体的说是涉及一种动态模数转换器。本发明所述的动态模数转换器，包括采样保持电路、电压斜率转换电路、斜率数字码转换电路和时钟电路，所述采用保持电路与电压斜率转换电路连接，所述电压斜率转换电路与斜率数字码转换电路连接，所述时钟电路分别与采用保持电路、电压斜率转换电路和斜率数字码转换电路连接。本发明的有益效果为，整体架构简单，适合单端电路，无需内部基准和非交叠时钟，适用于极低功耗应用，并且不需要运放放大器，适合纳米级数字工艺，可通过数字单元来实现时间轴上的动态电压检测，数字单元随着工艺最小尺寸的减小，延迟越来越小，适用于高速应用。本发明尤其适用于数模转换器。
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公开(公告)号：CN102404001B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201110440477.8
申请日：2011-12-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03L7/08
Abstract: 一种多相时钟产生及传送电路，涉及半导体集成电路中的时钟技术，电路包含多相时钟产生电路和多相时钟传送电路。多相时钟产生电路包含频率倍增模块和多相时钟生成模块，多相时钟传送电路包含时钟传送模块Tj_a、时钟传送模块Tj_b、传送线La和时钟反馈线Lb。时钟生成模块产生时钟clk_j经时钟传送模块Tj_a、传送线Lj_a、时钟反馈线Lj_b和时钟传送模块Tj_b输出所需要的时钟信号CLKj。时钟传送模块Tj_a靠近时钟产生电路，时钟传送模块Tj_b靠近时钟驱动的负载电路。本发明电路产生的多相时钟具有可提供不同的驱动能力，额定相位差精确，并且抖动较小的优点。
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公开(公告)号：CN102882497A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210374511.0
申请日：2012-09-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种低功耗高可靠性上电复位电路，属于集成电路领域。该低功耗高可靠性上电复位电路由电源检测电路，延迟电路以及异或电路组成。延迟电路中采用新型的延迟单元，在不采用传统意义的大电容条件下，可以达到上百微妙的延迟，有效减少了芯片面积，同时提高了芯片的可靠性。本电路采用全MOS管结构，使用带施密特功能反相器来抵抗电源噪声，并且在电路复位后，其静态功耗基本为零。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101924107B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201010227112.2
申请日：2010-07-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/092 , H01L29/06 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L29/0653 , H01L21/823807 , H01L27/092 , H01L29/7843 , H01L29/7849
Abstract: 本发明涉及应力增强的CMOS晶体管结构，一种具有应力增强特性的互补金属氧化物半导体CMOS晶体管结构，它的特征是在沟道下方引入应力集中因子40/42，从而增强沟道区的应力。该结构应与相关的应力引入方法配合使用，如双应力层技术，嵌入式源漏锗硅/碳硅技术等等，可大幅度提高沟道区引入的应力，从而提高CMOS晶体管的驱动电流。本发明制造工艺简单，不但适用于常规的90纳米工艺以下的小尺寸应变硅器件，还可将应变硅技术上推至0.18微米以上的较大尺寸器件。
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公开(公告)号：CN101924107A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010227112.2
申请日：2010-07-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/092 , H01L29/06 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L29/0653 , H01L21/823807 , H01L27/092 , H01L29/7843 , H01L29/7849
Abstract: 本发明涉及应力增强的CMOS晶体管结构，一种具有应力增强特性的互补金属氧化物半导体CMOS晶体管结构，它的特征是在沟道下方引入应力集中因子40/42，从而增强沟道区的应力。该结构应与相关的应力引入方法配合使用，如双应力层技术，嵌入式源漏锗硅/碳硅技术等等，可大幅度提高沟道区引入的应力，从而提高CMOS晶体管的驱动电流。本发明制造工艺简单，不但适用于常规的90纳米工艺以下的小尺寸应变硅器件，还可将应变硅技术上推至0.18微米以上的较大尺寸器件。
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公开(公告)号：CN101368913A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810198791.8
申请日：2008-09-26
Applicant: 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: G01N21/78
Abstract: 本发明公开了一种农药残留毒性的检测方法，(a)将待测蔬菜捣碎成汁，加入纯净水并进行均匀搅拌后滴到药片A上；(b)将药片A、药片B预热至38～42℃，然后将两片药片重叠在一起，放置3～5分钟；(c)将两片药片展开，开启LED灯，使LED灯发出的光照射到药片A上，再经过反射到达光电传感器。本发明还公开了一种结构简单、方便携带的农药残留毒性检测装置，由LED灯、光电传感器和用来预热药片的恒温加热器组成。本发明的农药残留毒性的检测方法简单、易操作，检测农药残留毒性的装置结构简单、方便携带，能适用于非专业人员现场的快速定性检测。
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公开(公告)号：CN115857607B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202211455579.1
申请日：2022-11-21
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及一种低功耗全MOS的自偏置电流基准源，属于基准源技术领域。该基准源电路中的电路元件全部采用MOS管，其中使用了工作在深线性区的NMOS管取代了传统电流基准源电路中的电阻，同时令PMOS管的尺寸均一致。本发明具有结构简单、五启动电路、温度系数小、功耗低等优点。
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公开(公告)号：CN119443001A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411576600.2
申请日：2024-11-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F30/337 , G06F30/18
Abstract: 本发明公开一种全芯片电源网络设计方法，包括：步骤一、功耗分析，分别计算出芯片在不同应用情况下的最大瞬态功耗和平均功耗；步骤二、电源网络参数的估算，对电源网络的参数进行估算，从而为电源网络提供参考设计；步骤三、电源网络的设计，包括确定电源网络的密度，电源IO的数量以及选择电源轨的风格；步骤四、进行网络格点的分析。通过对全芯片电源网络进行优化设计，进而确保了电压降和电迁移处于理想范围内的前提下，使电源网络所占的芯片面积最小，并且不会引起不限的拥塞，提高电源网络与芯片的适配度，进而使得全芯片电源网络面积比均匀分布法要小，大大提高芯片工作寿命。
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