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公开(公告)号：CN111081671A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201811222128.7
申请日：2018-10-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种低应力半导体芯片固定结构、半导体器件及其制造方法，包括芯片、引线框架、导电结合件、陶瓷基板，所述引线框架包括芯片座，芯片座用于承载固定陶瓷基板，陶瓷基板用于固定芯片，包括陶瓷层和金属层，所述陶瓷层面通过导电结合件固定在芯片座上，所述金属层面通过导电结合件与芯片连接。本发明在引线框架上设置陶瓷基板，陶瓷基板包括陶瓷层和金属层，陶瓷层面与引线框架芯片座接触、通过导电结合件将陶瓷基板固定在芯片座上，并将金属层面与芯片连接，利用陶瓷的高机械强度、低热膨胀系数缓冲芯片应力，芯片不易出现翘曲、损坏，提高半导体器件封装良率及可靠性，提高了半导体器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN112770496A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201911002677.8
申请日：2019-10-21
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电路板器件的安装结构及具有其的电子设备，电路板器件的安装结构包括电路板和元器件；所述电路板设有卡槽，所述卡槽设有缺口部；所述元器件包括相连接的本体和引脚，所述引脚设有与所述缺口部相适配的卡接部，所述卡接部穿过所述缺口部并转动至预设位置时与所述卡槽卡合。根据本发明提供的电路板器件的安装结构，将元器件与电路板的焊接形式改进为卡槽连接形式，通过卡接部的转动至一定角度将元器件与电路板结合，在反向转动卡接部可以解除两者的结合，不仅方便更换，而且不会对元器件和PCB板造成损坏，便于元器件的回收。
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公开(公告)号：CN110469919A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910668261.3
申请日：2019-07-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: F24F1/24
Abstract: 本发明提供了一种功率器件的散热装置及空调器,涉及空调技术领域。其中，功率器件的散热装置包括：固定件及用于与所述功率器件接触的散热组件，所述控制板与所述固定件连接；通过调整所述固定件与所述控制板的距离，调整所述控制板与所述散热组件之间的距离，以使所述功率器件与所述散热组件保持接触。本发明通过设置的固定件连接控制板，固定件对控制板首先有一个加固的作用，另外固定件与控制板之间的距离可调节，从而调节控制板与所述散热组件之间的距离，保证控制板上的功率器件与散热组件能够保持接触，提升功率器件的散热性能，保证功率装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN109442707A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811285691.9
申请日：2018-10-31
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明涉及空调控制器散热技术领域，具体涉及到一种空调控制器的散热器、空调及其散热器的制作方法。所述空调上设有相对的进风口与出风口，所述散热器设置于进风口与出风口之间，所述散热器包括基座、若干翅片，所述若干翅片固定于基座上且相邻翅片间隔形成散热风道，所述散热风道的通风方向与进风口的进风方向形成倾角。本发明的空调控制器的散热器上设有多个的散热翅片并形成多个散热风道，散热风道的通风方向与进风口的进风方向形成倾角，该种倾斜角度的做法不仅能够增大散热器翅片面积，还能够将翅片处的空气流动由层流改变为紊流，加快空气与翅片撞击速率以加速散热，延长空调控制器的使用时间，本发明提供的制作方法工艺合理，便于加工。
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公开(公告)号：CN112713090B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201911019801.1
申请日：2019-10-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/78 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本发明提出了一种QFN器件制备方法及QFN器件，所述QFN器件包括芯片基底，芯片基底包括至少一个第一引脚和围绕着第一引脚的若干第二引脚，以及围绕全部第二引脚布置的且与各个第二引脚一一相接的若干第一孔；装配在芯片基底区内的芯片，其覆盖和连通第一引脚，并通过键合线连接第二引脚；塑封体，其用于将芯片塑封在芯片基底上并暴露第一引脚和第二引脚；一个平坦锡层和若干弯折锡层，平坦锡层形成在第一引脚的底面上，若干弯折锡层逐一形成在第二引脚上，每个弯折锡层都包括覆盖第二引脚的底面的底部区域及覆盖第二引脚的位于第一孔内的侧面的侧部区域。本发明的QFN器件的引脚侧面电镀有锡层，提高了器件与PCB板的焊接强度，从而提高了器件的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112992836A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911275842.7
申请日：2019-12-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种铜桥双面散热的芯片及其制备方法，该铜桥双面散热的芯片包括导线框架、芯片本体、环氧树脂胶膜和铜桥，其中，导线框架包括基岛和管脚两个部分，芯片本体设置于基岛上，芯片本体包括位于朝向基岛一侧且与基岛电性连接的第一连接端和位于背离基岛一侧、通过铜桥与管脚电性连接的第二连接端；环氧树脂胶膜设置于芯片本体上且与每个第二连接端相对的位置设有开孔，开孔内设有结合材以将第二连接端与铜桥固定。该铜桥双面散热的芯片将用于固定第二连接端与铜桥的结合材限定在环氧树脂胶膜的开孔内，可以避免结合材溢出而影响铜桥双面散热的芯片的性能，该铜桥双面散热的芯片可靠性更强、散热效果更好。
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公开(公告)号：CN112713090A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201911019801.1
申请日：2019-10-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/78 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本发明提出了一种QFN器件制备方法及QFN器件，所述QFN器件包括芯片基底，芯片基底包括至少一个第一引脚和围绕着第一引脚的若干第二引脚，以及围绕全部第二引脚布置的且与各个第二引脚一一相接的若干第一孔；装配在芯片基底区内的芯片，其覆盖和连通第一引脚，并通过键合线连接第二引脚；塑封体，其用于将芯片塑封在芯片基底上并暴露第一引脚和第二引脚；一个平坦锡层和若干弯折锡层，平坦锡层形成在第一引脚的底面上，若干弯折锡层逐一形成在第二引脚上，每个弯折锡层都包括覆盖第二引脚的底面的底部区域及覆盖第二引脚的位于第一孔内的侧面的侧部区域。本发明的QFN器件的引脚侧面电镀有锡层，提高了器件与PCB板的焊接强度，从而提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN112652583A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910959548.1
申请日：2019-10-10
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本发明涉及电子元件技术领域，具体涉及一种封装器件及其生产方法。该封装器件包括引线框架和封装部，所述引线框架包括连接部和多个安装部，任意相邻的两个所述安装部均通过所述连接部连接，所述安装部具有芯片安装面，所述连接部具有贯穿孔，所述贯穿孔沿所述引线框架的厚度方向贯穿设置；所述封装部设置于所述连接部上所述芯片安装面所在的一侧，且所述封装部与所述贯穿孔封堵配合。本发明所提供的封装器件经后续加工过程后，所形成的封装器件单体的侧面能够形成有焊锡层，从而在该封装器件与电路板连接的过程中，保证封装器件与电路板之间具有较高的连接可靠性。
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公开(公告)号：CN112447650A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910806941.7
申请日：2019-08-29
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本发明提供了一种芯片封装件，该芯片封装件包括引线框架、设置在引线框架上的芯片组件、封装芯片组件的封装层。引线框架具有相对的第一面及第二面，芯片组件设置在引线框架的第一面。封装层上设置有顶针孔。还包括设置在引线框架的第二面的散热组件。散热组件包括散热片、粘接散热片与引线框架的第二面的粘接层、设置在散热片与第二面之间且用于隔离散热片及第二面的绝缘块。绝缘块与顶针位置相对。芯片封装件的封装过程中，即使顶针通过顶针孔施加给引线框架框架较大的压力，引线框架也不会压穿粘接层，防止引线框架与散热片接触，防止导致芯片短路。且在顶针施加给引线框架较大的压力下,引线框架也能和粘接层充分接触，保证芯片的散热性能。
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公开(公告)号：CN112331622A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201910717761.1
申请日：2019-08-05
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管模块的封装方法及模块，通过在散热基板上加工容纳槽，在散热基板上构造有容纳槽的一侧添加焊料，将衬底覆盖在焊料上，衬底结合面的边线沿投影方向的投影线位于容纳槽的开口的边线沿投影方向的投影线所围成的范围内，投影方向为垂直于衬底结合面的方向，再熔化焊料以形成位于凹弧面上且至少部分地位于容纳槽内的焊层，使得在衬底结合面的边线附近，衬板与散热基板之间的焊层的厚度增加，即散热基板和衬底之间在边缘位置处的焊层的厚度增加，使散热基板与覆盖在焊层上的衬底充分结合，避免在做高低温冲击试验、温度循环等温度急剧变化的可靠性试验极易出现边缘开裂、断层的现象，改善IGBT模块的可靠性。
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