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公开(公告)号：CN104269475A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410565830.9
申请日：2014-10-22
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
发明人： 林传强
CPC分类号： H01L33/02 , H01L33/005 , H01L33/14
摘要： 本申请公开了一种发光二极管的外延片及其制作方法。该方法包括：低温缓冲层GaN；不掺杂GaN层，位于所述低温缓冲层GaN之上；掺杂Si的N型GaN层，位于所述不掺杂GaN层之上；发光层，位于所述掺杂Si的N型GaN层之上；P型GaN层，位于所述发光层之上；以及高温P型GaN层，位于所述P型GaN层之上；其中，所述发光层包括多个周期的InGaN层和GaN层，每个周期的InGaN层通过时间分段生长。本申请的发光二极管的外延片及其制作方法通过分段生长发光层的InGaN，可改变表面形貌，提高In原子的表面迁移率，从而提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN104091870A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410369108.8
申请日：2014-07-30
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
发明人： 林传强
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/325
摘要： 本发明公开了带量子阱垒层的LED外延片、生长方法及LED结构，该带量子阱垒层的LED外延片，其结构从下至上依次为：衬底，GaN缓冲层，非掺杂GaN层，n型GaN层，发光层MQW，P型AlGaN层，P型GaN层，发光层MQW包括：InxGa(1-x)N/InyGa(1-y)N量子阱层与InmGa(1-m)N/AlnGa(1-n)N量子阱层的组合，其中，x＝0.15～0.25，y＝0.05～0.10；m＝0.15～0.25，n＝0.10～0.15。本发明减少电子在量子阱的溢出，增加空穴对量子阱的注入，提高电子和空穴在量子阱中的浓度，增加器件发光效率，使得光输出提升约8％。
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公开(公告)号：CN103956413A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410165337.8
申请日：2014-04-23
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
CPC分类号： H01L33/0075 , C30B25/16 , C30B29/38 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/0066 , H01L33/14
摘要： 本发明提供了一种LED外延层生长方法及制得的LED外延层，生长方法中的生长P型GaN层步骤为：在温度930-950℃，压力200-600mbar的反应室内，重复间隔性地通入A、B两组原料，直至P型GaN层的厚度为100-300nm；A组原料为NH3、TMGa，生成1-5nm的GaN层；B组原料为NH3、TMGa、Cp2Mg，生成10-20nm的掺Mg的GaN层。本发明通过调整P型GaN层生长方式，将高温P型掺Mg的GaN层设计为GaN/GaN：Mg层超晶格，改善空穴迁移时分布，使得器件工作电流得到疏散，通入发光层的电流更加均匀，降低器件的驱动电压以及提升发光效率。
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公开(公告)号：CN103413872A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310350597.8
申请日：2013-08-13
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种LED外延的生长方法，包括衬底的预处理、生长缓冲层、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱发光层、生长电子阻挡层、生长掺Mg的高温P型GaN层以及退火的步骤；生长不掺杂GaN层步骤具体包括：A、升高反应室温度，保持恒定；B、降低反应室内的压力，生长第一不掺杂GaN层；C、依次将生长第二不掺杂GaN层和生长第三不掺杂GaN层作为一个周期，重复循环20-30个周期。应用本发明的技术方案，通过高压和低压交错生长不掺杂GaN层，使得LED晶格位错密度降低至8E+8-7E+8个/cm2，从而使得其产品具有抗静电能力高、发光效率高以及反向漏电小的效果。
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