专用于沉积大面积薄膜的平面磁控溅射源

    公开(公告)号:CN1005733B

    公开(公告)日:1989-11-08

    申请号:CN88100832

    申请日:1988-02-10

    Applicant: 浙江大学

    Inventor: 王德苗 任高潮

    Abstract: 一种专用于沉积大面积薄膜的平面磁控溅射源,其磷场由条状静止的外磁组件和能作往复运动的内磁组件产生,能对静止的大面积工件表面均匀地镀复阳光控制膜、低辐射膜、镜面膜及导电膜。适用于镀复大面积的工件,如大型建筑玻璃、汽车护栅、露天字牌、大型平面镜等。是一种靶树利用率高、耗能小、膜层均匀度高、投资少效益高的新型溅射源。

    多源型平面磁控溅射源
    62.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1003945B

    公开(公告)日:1989-04-19

    申请号:CN87106938

    申请日:1987-10-12

    Applicant: 浙江大学

    Inventor: 王德苗 任高潮

    Abstract: 一种多源型不面磁控溅射源,其磁场源由一个固定的外磁组件、一个或多个可作旋转运动的内磁组件6构成,溅射靶板8由若干个可拆换的异质扇形单元靶拼成,溅射靶板8的上方有一个开有扇形窗口、能同内磁组件6作同步运动的挡板25。该溅射源具有共溅沉积合金膜、沉积多层膜或沉积单质薄膜等功能。沉积多层膜时靶材利用率达75%以上;共溅沉积合金膜时,靶材利用率达85%以上,膜层成份配比精确度高、厚度均匀性好。

    多源型平面磁控溅射源
    63.
    发明公开

    公开(公告)号:CN87106938A

    公开(公告)日:1988-07-13

    申请号:CN87106938

    申请日:1987-10-12

    Applicant: 浙江大学

    Inventor: 王德苗 任高潮

    Abstract: 一种多源型平面磁控溅射源,其磁场源由一个静止的外磁组件、一个或多个可作旋转运动的内磁组件(6)构成,阴极靶(8)由若干个可拆换的异质扇形小靶拼成,阴极靶(8)的上方有一个开有若干个扇形孔、能同内磁组件(6)作同步运动的挡板(25)。该溅射源具有共溅沉积合金膜、沉积多层膜或沉积单质薄膜等功能。沉积多层膜时靶材利用率达75%以上;共溅沉积合金膜时,靶材利用率达85%以上,膜层成份配比精确度高、厚度均匀性好。

    溅射源用的充气器
    64.
    实用新型

    公开(公告)号:CN87212022U

    公开(公告)日:1988-05-11

    申请号:CN87212022

    申请日:1987-08-18

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 一种能向阴极靶(8)靶面和工件表面分别喷射工作气体和活性气体的磁控溅射源用的充气器,采用这种充气器能使靶面免受污染,工作气体利用率提高40%,薄膜中杂质含量降低20%,且不产生阴影。同通混合气体的方案相比,溅射速率提高80%以上。

    一种耐高温双用途晶控仪
    65.
    实用新型

    公开(公告)号:CN210657121U

    公开(公告)日:2020-06-02

    申请号:CN201921033917.6

    申请日:2019-07-04

    Inventor: 冯斌 金浩 王德苗

    Abstract: 本实用新型公开了一种耐高温双用途晶控仪,包括于真空室内与衬底支架相连的石英片载台、置于真空室内与石英片载台连接的射频接线座和置于真空室外的晶控主机,所述石英片载台包括相对的上载台和下载台,分别用于放置一片石英晶片,所述上载台石英晶片其中一面以适当面积正对镀膜方向裸露,所述下载台石英晶片置于镀膜方向的反方向,且只通过少量通气孔暴露于外面,使其在镀膜时不会被沉积上薄膜,所述上载台和所述下载台之间良好导热。本装置可在高温镀膜环境下应用,无需水冷装置,一方面消除了镀膜阴影,降低了漏气漏水概率,另一方面也便于晶片载台和射频接线座的设计和制作,且结构小巧,制作成本低,同时该晶控仪可以在镀膜时实时测量膜厚和温度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    真空室活动片架测温装置
    66.
    实用新型

    公开(公告)号:CN208060037U

    公开(公告)日:2018-11-06

    申请号:CN201820075617.3

    申请日:2018-01-17

    Abstract: 本实用新型公开了一种真空室活动片架测温装置,包括分布在片架一侧边的声表面波无线无源传感器陈列,安装于真空室内远离磁控溅射区的传输天线,以及安装在真空室外与真空室内传输天线连接的信号处理装置。本实用新型的真空室活动片架测温系统,解决了传统热电偶测量系统无法在线测量活动片架温度的问题,同时采用传感器阵列解决了大片架在不同区域温度分布不均而无法全面测量的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    旋转靶柱型磁控溅射器
    67.
    实用新型

    公开(公告)号:CN2301452Y

    公开(公告)日:1998-12-23

    申请号:CN97216822.2

    申请日:1997-04-30

    Applicant: 浙江大学

    Inventor: 王德苗 任高潮

    Abstract: 本实用新型公开了一种旋转靶柱型磁控溅射器,它包括支承架,靶组件,特征是把磁组件的极靴制成闭合回路极靴,磁钢置于极靴的闭合槽内,用薄壁不锈钢管,把上述磁组件密封成一个略短于靶管的磁组件,外表包复有溅射材料的空心铜靶管,心轴通过动密封组件,及引出驱动组件布置在底座上,心轴与靶管通过松套法兰连接。本实用新型的优点是:更换靶材方便,靶材利用率高,膜层纯洁。

    双向真空阀
    68.
    实用新型

    公开(公告)号:CN2206877Y

    公开(公告)日:1995-09-06

    申请号:CN94239971.4

    申请日:1994-12-28

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 一种双向真空阀,其特征是由升降杆3带动的滑块41,其左右两端各布置一组滚动轴承44A和44B,升降杆3上升时,滚动轴承44A推动闭合板2密封真空通道A,滚动轴承44B挤压阀座1的B侧内壁,升降杆3下降时,真空通道A畅通。同现有技术比较,本方案的突出优点是闭合板2能面向大气压反向密封,或者背向大气压正向密封,同时还可用于闭合板2的两侧皆为真空时的密封,可广泛应用于各种真空设备,特别是连续式真空设备中。

    分离磁体式平面磁控溅射源

    公开(公告)号:CN87214299U

    公开(公告)日:1988-08-10

    申请号:CN87214299

    申请日:1987-10-12

    Applicant: 浙江大学

    Inventor: 王德苗 任高潮

    Abstract: 一种分离磁体式平面磁控溅射源,它含有一个位于阴极靶[4]外侧的固定式圆环形磁体[2]和一个或若干个作圆周运动的内磁组件构成的磁场源,以及一个优先冷却阴极靶[4]的水冷器。能产生一个或多个作圆周运动的扇形等离子体闭合环,或者产生一个能旋转的∞字形等离子体闭合环。同已有的平面磁控溅射源比较,具有靶面有效溅射区域大、溅射刻蚀均匀、靶材利用率高、薄膜的等厚度沉积面积大等优点。

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