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公开(公告)号：CN114005574B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202111334443.0
申请日：2021-11-11
Applicant: 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 , 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种掺杂海藻酸铵联苯糊的高温电子浆料及其制备方法，属于电子浆料技术领域，具体公开了该电子浆料包括以下重量份数的原料：有机载体7‑12份，导电粉末78‑90份，玻璃相粉体3‑5份；所述有机载体包括有机溶剂、还原剂、分散剂、偶联剂和增稠剂；所述分散剂为海藻酸铵联苯糊。同时公开了依次经过(1)导电粉末预处理、(2)玻璃相粉体的制备、(3)有机载体的制备、(4)浆料的制备最终得到新型高温电子浆料。本发明利用海藻酸铵联苯糊做分散剂和助熔剂，使得高温电子浆料具有环保，导电相分散性能好及玻璃软化温度低的特点，且制备方法简单，便于推广使用。
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公开(公告)号：CN110590452B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201910943293.X
申请日：2019-09-30
Applicant: 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 , 桂林电子科技大学
IPC: A01N25/00
Abstract: 本发明公开了一种缓释可降解薄膜包覆药肥的多孔材料的制备方法，包括以下步骤：将草木灰粉碎，在破壁剂、增孔剂中浸泡，进行氨化、碳化，即得多孔材料；将多孔材料浸泡在农药溶液中，超声分散，得到负载农药的多孔材料；将麦皮和淀粉水浴加热，依次加入改性助剂、增塑剂、蒸馏水、成膜助剂、负载农药的多孔材料，搅拌均匀，即完成包覆缓释可降解膜；将完成包覆缓释可降解膜的粉末干燥，过筛，得到缓释可降解薄膜包覆药肥的多孔材料。本发明高效保留了药物长效性，利用可降解环保原料制成缓释薄膜来控制药物的释放以及粘结性，缓释薄膜破损后吸附载体又可作肥料发挥作用，达到药肥长久缓慢释放的效果，减少了药肥的施放次数。
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公开(公告)号：CN110679592A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910945372.4
申请日：2019-09-30
Applicant: 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 , 桂林电子科技大学
IPC: A01N25/26 , A01N57/20 , A01N37/34 , A01N51/00 , C05G3/00 , A01P13/00 , A01P7/04 , A01P3/00 , A01P1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于高性能吸附材料的缓释可降解农药颗粒，包括生物质多孔基体材料、农药及包覆材料。制备方法为：将罗汉果藤粉末进行增孔处理，炭化，再经过粉碎、球磨，过筛，得到生物质多孔基体材料；将淀粉、甘蔗水和马铃薯皮粉末混合搅拌均匀，再加氧化剂、催化剂，恒温搅拌1-2h后向溶液中加亚硫酸钾、聚乙烯醇和硼砂，恒温搅拌30-50min，冷却至室温，得到包覆材料；将生物质多孔基体材料倒入过饱和农药溶液中，经超声处理，过滤，得到的负载农药的生物质多孔基体材料与膜液混合均匀，干燥，过筛，得到包膜的缓释可降解农药颗粒。该缓释可降解农药颗粒是一种以生物质多孔材料为负载体，制备成本低，环保可降解，药效时间更长的缓释农药。
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公开(公告)号：CN110604131A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910945349.5
申请日：2019-09-30
Applicant: 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 , 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种负载农药缓释可降解薄膜包覆的多孔材料组合物的制备方法，包括以下制备步骤：将生物源秸秆粉碎通过氨气氨化后再碳化得到多孔材料，再将多孔材料浸泡于农药中，再包覆缓释可降解薄膜，然后用喷雾干燥机干燥，过筛，得到负载农药缓释可降解薄膜包覆的多孔材料组合物。本发明采用特殊工艺，增加载体存留时间，延长药物有效释放期，真正意义上做到了即刻释放与缓释相结合的效果,缓释膜外层附着的药物及时释放，后缓释膜控制多孔载体缓慢释放药物。
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公开(公告)号：CN107611277B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201710946831.1
申请日：2017-10-12
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于水溶液处理的氧化镧空穴注入层有机发光器件，所述器件的空穴注入层由水溶液处理的La2O3制备而成。另外，还公开了该器件的制备方法，所述方法至少包括如下步骤：（1）以硝酸镧六水合物和氨水为原料，采用共沉淀法制备La2O3纳米粉体颗粒；（2）将La2O3纳米粉体颗粒溶解在去离子水中，形成浓度为0.2wt％的La2O3悬浮液，然后对La2O3悬浮液过滤得到La2O3过滤液；（3）在ITO阳极玻璃基片上通过旋涂工艺旋涂La2O3过滤液形成La2O3薄膜，所述La2O3过滤液中的La浓度为0.01 mg/mL—0.03 mg/mL。本发明所述器件能有效的调节载流子的平衡，提高发光效率，同时器件的空穴注入层具有与MoOx空穴注入层几乎相当的空穴注入能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107068884A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710218783.4
申请日：2017-04-05
Applicant: 桂林电子科技大学 , 电子科技大学中山学院
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/0037 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种高效率紫外有机电致发光器件及其制备方法。所述紫外有机电致发光器件至少包括空穴注入层，所述空穴注入层所用材料是掺杂了MoOx的PEDOT:PSS，其中x＝2～3。所述制备方法包括：将MoOx粉末溶解在纯水中，按质量百分比配置成浓度为0.1％～0.2％的MoOx水溶液，将该MoOx水溶液与PEDOT:PSS按质量比(1～3):(1～4)配成PEDOT:PSS+MoOx混合溶液，在ITO阳极上旋涂上述PEDOT:PSS+MoOx混合溶液制备空穴注入层。采用掺杂MoOx的PEDOT:PSS空穴注入层能有效提高空穴注入能力，增加发光层中的空穴数量，从而改善空穴‑电子的平衡性，提高紫外OLED器件的发光效率，同时器件的制备工艺简单，稳定性好，实用性广。
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公开(公告)号：CN106129262A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610540845.9
申请日：2016-07-11
Applicant: 电子科技大学中山学院 , 桂林电子科技大学
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/0032 , H01L51/56 , H01L2251/303
Abstract: 本发明公开了一种具有双空穴注入层的紫外有机发光器件及其制备方法，所述方法包括：采用第一空穴注入层和第二空穴注入层叠接组成双空穴注入层，第一空穴注入层材料采用氧化石墨烯或PEDOT:PSS，第二空穴注入层材料采用WO3、MoO3或V2O5；在阳极层上采用旋涂工艺制备第一空穴注入层，在第一空穴注入层上采用真空热蒸镀工艺制备第二空穴注入层，在第二空穴注入层上叠接空穴传输层。本发明能有效地促进空穴的注入、增加发光层中空穴的数量，从而促进空穴‑电子的平衡性，提高紫外OLED器件的辐照度和发光效率，同时制备工艺简单。
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公开(公告)号：CN105552243A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610063484.3
申请日：2016-01-29
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: H01L51/5092 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种紫外有机发光器件及其制备方法。所述紫外有机发光器件包括电子注入层是厚度为1.5-6nm的LiF；所述制备方法包括：将衬底和阳极装入多源有机蒸镀室中，在真空度优于5×10-4Pa的条件下采用热蒸镀工艺在ITO阳极层上依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及厚度为1.5-6nm的LiF电子注入层。本发明利用厚绝缘层作为电子注入层，通过减少电子的注入，提高发光层中电子-空穴的平衡性，因而在达到同等数量的电子-空穴对数目时只需要更低的电流密度，增加了电子与空穴在发光层中复合的概率，产生高效率的近紫外光发射，提高了紫外OLED器件的发光效率和辐照度。
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公开(公告)号：CN104291792A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410507261.2
申请日：2014-09-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/10 , C04B35/04 , C04B35/48 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种氧化物陶瓷靶材及其制备方法，所述氧化物陶瓷靶材由30-70wt%的In2O3、5-40wt%的XO、10-50wt%的ZnO组成，上述三者比例之和为100%，其中XO是铝、镁、锡或铪的氧化物。所述制备方法包括如下步骤：（1）将30-70wt%的In2O3、5-40wt%的XO和10-50wt%的ZnO装入粉碎机中粉碎；（2）将球磨后得到的混合物粉体压制成型，获得平面或管状的素坯；（3）将平面或管状的素坯脱脂；（4）将脱脂后的素坯进行烧结，获得高密度的陶瓷靶材。本发明用于替代现有的含镓氧化物陶瓷靶材，在保持性能的同时，实现靶材及TFT器件成本的降低。
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公开(公告)号：CN103345997A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310262113.4
申请日：2013-06-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01C17/30 , H01C7/12 , C04B35/453 , C04B35/22 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种高电位梯度ZnO基压敏瓷料及其制备方法，该瓷料组分包括ZnO、Bi2O3、Co2O3、MnO2、Sb2O3、Cr2O3和Dy2O3。压敏瓷的化学式为:aZnO.bBi2O3.cSb2O3.dCo2O3.eMnO2.fCr2O3.gDy2O3，其中；a＋b＋c＋d+e＋f+g=1，各组分的摩尔比分别是：0.95≤a≤0.97，b=0.007，c=0.01，d=0.008，e=f=0.005，0.004≤g≤0.008。按照化学式称量配料，然后在球磨机中混匀、干燥、压片、烧结而成。本发明的高电位梯度ZnO压敏陶瓷有望应用于超高压电力系统的避雷器及电力系统的过压保护中。
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