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公开(公告)号：CN116918134A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280019042.2
申请日：2022-02-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/44
Abstract: 提供一种能量密度高的蓄电系统。提供一种安全性高的蓄电系统。提供一种能量密度高的二次电池。提供一种安全性高的二次电池。本发明的充电器具有控制二次电池充电的开始及停止的功能以及控制二次电池的充电电流的功能。二次电池包括正极，正极包含正极活性物质粒子，正极活性物质粒子是添加有镁的钴酸锂。充电器具有如下功能：通过在时间t1开始以恒流对二次电池充电的第一步骤以及在时间t2停止充电的第二步骤，控制二次电池充电。在时间t2，通过X射线粉末衍射确定的钴酸锂的晶体结构由空间群R‑3m表示。
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公开(公告)号：CN107180941B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201710273113.2
申请日：2012-12-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/04 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/36 , H01M4/62 , H01M4/66 , H01M4/70 , B82Y30/00 , H01M4/02 , H01M10/052
Abstract: 本发明的一个方式提供一种锂二次电池，在该锂二次电池中，充放电容量大，能够进行急速充放电，且充放电所导致的电池特性的劣化少。一种负极，该负极包括集电体及负极活性物质层，其中，集电体具有在实质上垂直的方向延伸的多个突起部及与多个突起部连接的基础部，突起部及基础部包括含有钛的共同材料，并且，基础部的顶面及突起部的至少侧面被负极活性物质层覆盖。另外，负极活性物质也可以被石墨烯覆盖。
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公开(公告)号：CN106099042B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201610631472.6
申请日：2012-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/587 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M10/058
CPC classification number: H01M4/364 , H01M4/134 , H01M4/386 , H01M10/0525 , Y10T29/43 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明提供蓄电装置及其制造方法。本发明的一个方式提供一种起因于伴随充放电的硅的体积变化的电池特性的劣化得到抑制的锂离子二次电池。负极包含粒子状或晶须状的硅，该硅粒子或硅晶须的表面被由通过使氧化石墨烯还原而形成的1层至50层的石墨烯构成的碳膜覆盖。至于碳膜，因为分子间键合力强的sp2键与硅表面大致平行，所以在硅膨胀时碳膜也不会破裂，而可以防止硅的破碎。另外，由此形成的碳膜具有适当的间隙，在硅膨胀时能够伸缩，并且该间隙可以透过锂离子。另外，碳膜还有防止硅与电解液起反应的效果。
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公开(公告)号：CN105174252B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201510670029.5
申请日：2012-06-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C01B32/184 , H01M4/62 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明的一个方式提供一种在垂直于平面的方向上离子能够移动的石墨烯。本发明的一个方式是一种多层石墨烯，该多层石墨烯包括重叠为层状的多个石墨烯。该多个石墨烯包括：由碳原子构成的六元环；由碳原子或由碳原子及氧原子构成的七元环以上的多元环；与构成该六元环或七元环以上的多元环的碳原子键合的氧原子。多个石墨烯之间的层间距离大于0.34nm且在0.5nm以下，优选为0.38nm以上且0.42nm以下。
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公开(公告)号：CN103151492B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201210556275.4
申请日：2012-12-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/13 , H01M4/66 , H01M4/70 , H01M4/139 , H01M10/052
CPC classification number: H01M4/70 , B82Y30/00 , H01M4/045 , H01M4/0457 , H01M4/0471 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/62 , H01M4/625 , H01M4/661 , H01M4/662 , H01M10/052 , H01M2004/027
Abstract: 本发明的一个方式提供一种锂二次电池，在该锂二次电池中，充放电容量大，能够进行急速充放电，且充放电所导致的电池特性的劣化少。一种负极，该负极包括集电体及负极活性物质层，其中，集电体具有在实质上垂直的方向延伸的多个突起部及与多个突起部连接的基础部，突起部及基础部包括含有钛的共同材料，并且，基础部的顶面及突起部的至少侧面被负极活性物质层覆盖。另外，负极活性物质也可以被石墨烯覆盖。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103022409B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210350552.6
申请日：2012-09-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/02 , H01M4/13 , H01G9/042 , H01M10/0525
CPC classification number: H01G11/30 , B82Y30/00 , H01G11/26 , H01G11/66 , H01M4/13 , H01M4/134 , H01M4/386 , H01M4/62 , H01M4/625 , H01M10/0525 , Y02E60/122 , Y02E60/13 , Y02P70/54 , Y02T10/7011 , Y02T10/7022
Abstract: 本发明提供一种充放电容量大且充放电所导致的电池特性的劣化少的蓄电装置用负极。本发明的一个方式是一种蓄电装置用负极，包括具有多个突起物的负极活性物质以及将所述多个突起物中的第一突起物和第二突起物在上方桥接的梁。梁在与集流体弯曲的方向垂直的方向设置。在第一突起物和第二突起物中，它们的轴彼此一致。此外，也能够以覆盖突起物的侧面或覆盖突起物的侧面及梁的顶面的方式设置石墨烯。
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公开(公告)号：CN103035880B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201210368578.3
申请日：2012-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/134 , H01M4/62 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/134 , H01M2/1673 , H01M2/18 , H01M4/366 , H01M4/587 , H01M4/625 , H01M10/0525 , H01M2004/025 , H01M2004/027 , Y02E60/122
Abstract: 本发明的一个方式提供一种充放电特性得到了提高的蓄电装置用电极及使用该电极的蓄电装置。在活性物质层中设置在活性物质层的表面开口的多个空间部分。另外，通过用石墨烯覆盖活性物质层，容易进行急速充放电，从而防止充放电所导致的集电体的损坏。由此，能够提供急速充放电特性得到了提高且劣化少的蓄电装置用电极及使用该电极的蓄电装置。
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公开(公告)号：CN102810672B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201210179710.6
申请日：2012-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/62 , H01M4/134 , H01M10/0525 , H01M10/058
CPC classification number: H01M4/364 , H01M4/134 , H01M4/386 , H01M10/0525 , Y10T29/43 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明提供蓄电装置及其制造方法。本发明的一个方式提供一种起因于伴随充放电的硅的体积变化的电池特性的劣化得到抑制的锂离子二次电池。负极包含粒子状或晶须状的硅，该硅粒子或硅晶须的表面被由通过使氧化石墨烯还原而形成的1层至50层的石墨烯构成的碳膜覆盖。至于碳膜，因为分子间键合力强的sp2键与硅表面大致平行，所以在硅膨胀时碳膜也不会破裂，而可以防止硅的破碎。另外，由此形成的碳膜具有适当的间隙，在硅膨胀时能够伸缩，并且该间隙可以透过锂离子。另外，碳膜还有防止硅与电解液起反应的效果。
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公开(公告)号：CN102838109B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201210203991.4
申请日：2012-06-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01M4/625 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/192 , Y10T428/249921
Abstract: 本发明的一个方式提供一种在垂直于平面的方向上离子能够移动的石墨烯。本发明的一个方式是一种多层石墨烯，该多层石墨烯包括重叠为层状的多个石墨烯。该多个石墨烯包括：由碳原子构成的六元环；由碳原子或由碳原子及氧原子构成的七元环以上的多元环；与构成该六元环或七元环以上的多元环的碳原子键合的氧原子。多个石墨烯之间的层间距离大于0.34nm且在0.5nm以下，优选为0.38nm以上且0.42nm以下。
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公开(公告)号：CN105174252A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510670029.5
申请日：2012-06-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01M4/625 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/192 , Y10T428/249921
Abstract: 本发明的一个方式提供一种在垂直于平面的方向上离子能够移动的石墨烯。本发明的一个方式是一种多层石墨烯，该多层石墨烯包括重叠为层状的多个石墨烯。该多个石墨烯包括：由碳原子构成的六元环；由碳原子或由碳原子及氧原子构成的七元环以上的多元环；与构成该六元环或七元环以上的多元环的碳原子键合的氧原子。多个石墨烯之间的层间距离大于0.34nm且在0.5nm以下，优选为0.38nm以上且0.42nm以下。
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