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公开(公告)号：CN103864837B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201310698533.7
申请日：2013-12-11
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
CPC classification number: B65D25/14 , C07F7/10 , C07F7/1804 , C23C16/00
Abstract: 本发明描述了具有下述式A或式B的烷氧基甲硅烷基胺前体：其中R1和R4独立地选自直链或支链C1至C10烷基、C3至C12烯基、C3至C12炔基、C4至C10环烷基和C6至C10芳基，并且其中R2、R3、R5和R6独立地选自氢、直链或支链C1至C10烷基、C2至C12烯基、C2至C12炔基、C4至C10环烷基、C6至C10芳基以及直链或支链C1至C10烷氧基。本文还描述了使用至少一种具有本文所述的式A和／或B的前体的沉积工艺。
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公开(公告)号：CN103397307B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201310291966.0
申请日：2011-02-09
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
CPC classification number: H01L21/02216 , B01J19/00 , C07F7/02 , C09D183/04 , C23C16/30 , C23C16/44 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/316 , H01L29/00
Abstract: 本发明提供了制备含硅膜的方法。本文描述了形成介电膜的方法，该膜包含硅、氧及任选的氮、碳、氢和硼。本文还公开了在待加工的物体，如半导体晶片，上形成介电膜或涂层的方法。
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公开(公告)号：CN119956337A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510126335.6
申请日：2017-08-25
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/50 , C23C16/04 , C23C16/34 , C23C16/40 , C01B33/12 , C23C16/32 , C23C16/56 , C23C16/30 , C01B33/113 , H01L21/02 , C07F7/18
Abstract: 一种用于沉积含硅膜的方法，所述方法包括：将包含至少一个表面特征的衬底放入温度为约‑20℃至约400℃的可流动CVD反应器中；向所述反应器中引入至少一种具有至少一个乙酰氧基的含硅化合物，以至少部分地使所述至少一种含硅化合物反应而形成可流动液体低聚物，其中所述可流动液体低聚物在所述衬底上形成氧化硅涂层并至少部分地填充所述至少一个表面特征的至少一部分。一旦固化，所述氧化硅涂层具有低k和优异的机械性能。
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公开(公告)号：CN113403604B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202110661732.5
申请日：2016-07-28
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/515 , C23C16/02
Abstract: 本文描述了组合物、氮化硅膜和使用至少一种环二硅氮烷前体形成氮化硅膜的方法。在一个方面中，提供了一种形成氮化硅膜的方法，所述方法包括以下步骤：在反应器中提供衬底；向所述反应器内引入至少一种包含烃离去基团和两个Si‑H基团的环二硅氮烷，其中该至少一种环二硅氮烷在至少一部分所述衬底的表面上反应以提供化学吸附层；采用吹扫气体吹扫所述反应器；向所述反应器内引入包含氮和惰性气体的等离子体以与所述化学吸附层的至少一部分反应并提供至少一个反应性位点，其中所述等离子体以约0.01至约1.5W/cm2范围的功率密度生成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112585146B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201980055159.4
申请日：2019-08-22
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 一种制备含烯基或炔基的有机硅前体组合物的方法，该方法包括以下步骤：蒸馏包含具有式RnSiR14‑n的含烯基或炔基的有机硅化合物的组合物至少一次，其中R选自直链或支链的C2至C6烯基、直链或支链的C2至C6炔基；R1选自氢、直链或支链的C1‑C10烷基和C3‑C10环烷基；且n为选自1至4的数，其中在蒸馏后产生蒸馏的含烯基或炔基的有机硅前体组合物；和将蒸馏的含烯基或炔基的有机硅前体组合物包装在容器中，其中该容器允许不超过10％的波长在290纳米至450纳米之间的紫外和可见光透射到容器中。
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公开(公告)号：CN117050106A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311033176.2
申请日：2018-05-23
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C07F7/21 , H01L21/316 , H01L21/318 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/56 , C07F7/10
Abstract: 本文描述了官能化环硅氮烷前体化合物以及通过热原子层沉积(ALD)或等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺或其组合来沉积含硅膜的包含该前体化合物的组合物和方法，该含硅膜例如，但不限于，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅或碳掺杂氧化硅。
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公开(公告)号：CN110891956B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201880047342.5
申请日：2018-05-23
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C07F7/21 , C23C16/40 , C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 本文描述了官能化环硅氮烷前体化合物以及通过热原子层沉积(ALD)或等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺或其组合来沉积含硅膜的包含该前体化合物的组合物和方法，该含硅膜例如，但不限于，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅或碳掺杂氧化硅。
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公开(公告)号：CN116288249A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310271730.4
申请日：2019-08-09
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 提供了一种用于制备介电膜的组合物和化学气相沉积方法。包含所述组合物的气体试剂引入到其中提供有衬底的反应室中。该气体试剂包含硅前体，所述硅前体包括根据本文定义的式I的硅化合物。在所述反应室中向所述气体试剂施加能量以诱导所述气体试剂的反应且由此在所述衬底上沉积膜。如此沉积的膜适合其预期用途，而无需对如此沉积的膜施加任选的额外固化步骤。还公开了制备所述组合物的方法。
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公开(公告)号：CN114231947A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111363990.1
申请日：2017-02-22
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/40 , C23C16/34 , C23C16/32 , C23C16/36 , C23C16/30 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/56 , H01L21/02
Abstract: 本文描述了组合物和使用其在具有表面特征的衬底的至少一个表面上形成含硅膜的方法，所述含硅膜例如但不限于碳化硅、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅，碳掺杂氮化硅、碳掺杂氧化硅或碳掺杂氮氧化硅膜。在一个方面中，使用包含碳‑碳双键或碳‑碳三键的第一化合物和包含至少一个Si‑H键的第二化合物的共沉积来沉积含硅膜。
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