公开(公告)号：CN103864837B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201310698533.7

申请日：2013-12-11

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 萧满超 ,  R·M·皮尔斯泰恩 ,  R·霍 ,  D·P·斯彭斯 ,  雷新建

IPC: C07F7/18 ,  C07F7/10

CPC classification number: B65D25/14 ,  C07F7/10 ,  C07F7/1804 ,  C23C16/00

Abstract: 本发明描述了具有下述式A或式B的烷氧基甲硅烷基胺前体：其中R1和R4独立地选自直链或支链C1至C10烷基、C3至C12烯基、C3至C12炔基、C4至C10环烷基和C6至C10芳基，并且其中R2、R3、R5和R6独立地选自氢、直链或支链C1至C10烷基、C2至C12烯基、C2至C12炔基、C4至C10环烷基、C6至C10芳基以及直链或支链C1至C10烷氧基。本文还描述了使用至少一种具有本文所述的式A和／或B的前体的沉积工艺。

公开(公告)号：CN103203250B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201310032372.8

申请日：2013-01-17

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 萧满超 ,  R·M·皮尔斯泰恩 ,  R·霍 ,  雷新建 ,  S·G·玛约加 ,  D·P·斯潘斯

IPC: B01J31/02 ,  C23C16/40

CPC classification number: C09D1/00 ,  B65B1/04 ,  C08G77/04 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282

Abstract: 本发明涉及包含选自烷氧基硅烷、芳氧基硅烷或烷基烷氧基硅烷的含硅前体和包括卤代烷氧基烷基硅烷或卤代芳氧基烷基硅烷的催化剂化合物的稳定制剂，其中含硅前体和催化剂化合物中的取代基如本文所述的是相同的。更具体地，该制剂包含包括具有式Si(OR1)nR24‑n的烷氧基烷基硅烷或芳氧基硅烷的含硅前体和包括具有式XSi(OR1)nR23‑n的卤代烷氧基烷基硅烷的催化剂，或者包含包括具有式R23‑p(R1O)pSi‑R3‑Si(OR1)pR23‑p的烷氧基硅烷或芳氧基硅烷的含硅前体和包括具有式(R1O)mR22‑m(X)Si‑R3‑Si(OR4)2R5的卤代烷氧基烷基硅烷或卤代芳氧基烷基硅烷的催化剂，其中至少一个或所有的R1和R2取代基在含硅前体和催化剂化合物中如本文所述的是相同的。制剂可以用于半导体沉积工艺，例如，流动式氧化硅工艺。

公开(公告)号：CN104672265B

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201410486674.7

申请日：2014-09-22

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： M·L·奥尼尔 ,  萧满超 ,  雷新建 ,  R·霍 ,  H·钱德拉 ,  M·R·麦克唐纳德 ,  王美良

IPC: C07F7/10 ,  C23C16/44 ,  C23C16/513

Abstract: 本文描述了形成含硅膜的前体和方法。一方面，所述前体包含由下式A‑E之一表示的化合物：在一个特定的实施方式中，所述有机氨基硅烷前体对低温(例如，350℃或更低)下的氧化硅或碳掺杂的氧化硅膜的原子层沉积(ALD)或等离子体增强原子层沉积(PEALD)有效。此外，本文描述了包含本文所述的有机氨基硅烷的组合物，其中所述有机氨基硅烷基本上不含选自胺、卤化物(例如Cl、F、I、Br)、较高分子量物质和痕量金属中的至少一种。

公开(公告)号：CN104876957B

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201510091650.6

申请日：2015-02-28

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 萧满超 ,  M·R·麦克唐纳德 ,  R·霍 ,  雷新建

IPC: C07F7/10

Abstract: 有机氨基硅烷，例如但不限于二异丙基氨基硅烷(DIPAS)，是用于沉积含硅薄膜例如二氧化硅和氮化硅薄膜的前体。本文描述了通过包含氢化硅烷的硅源经由亚胺的催化氢化硅烷化制备有机氨基硅烷化合物或其他化合物例如有机氨基乙硅烷和有机氨基碳硅烷的方法。