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公开(公告)号：CN101243018B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200680029757.7
申请日：2006-07-28
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: C03C3/095
CPC classification number: C03C3/095
Abstract: 一类源自硅铝酸稀土金属盐(RE2O3-Al2O3-SiO2)三元体系的玻璃，所述玻璃具有高的应变点和低的液相线温度。优选为La2O3-Al2O3-SiO2三元体系。该玻璃是电子应用，特别是平板显示器的极佳侯选物。以玻璃批料中氧化物的摩尔量为基准计，该玻璃的组成如下：60-88摩尔％SiO2，5-25摩尔％Al2O3和2-15摩尔％RE2O3。
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公开(公告)号：CN102138233A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200980134692.6
申请日：2009-08-28
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: G11B7/2433 , G11B7/253 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/12493 , Y10T428/12674 , Y10T428/12681 , Y10T428/21 , Y10T428/31678
Abstract: 本文描述了相变记忆材料，更具体描述了适用于相变记忆应用，如光学和电子数据存储的碲化GeAs材料。
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公开(公告)号：CN101542771B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200780043651.7
申请日：2007-11-26
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: H01L51/52
CPC classification number: C23C14/5806 , C03C3/122 , C03C3/14 , C03C3/247 , C23C14/10 , H01L51/5253 , H01L2251/5338 , H01L2251/566 , Y10T428/13 , Y10T428/239 , Y10T428/24777 , Y10T428/24802 , Y10T428/263 , Y10T428/264 , Y10T428/265
Abstract: 用于将无机阻隔层施加于至少一部分挠性基板的方法和设备，所述阻隔层成形于低液线温度材料(LLT)；和在保持所述挠性基板低于临界温度时烧结所述无机阻隔层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101091251B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200580028047.8
申请日：2005-08-17
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: H01L27/1203 , C03C3/06 , C03C3/085 , C03C3/095 , C03C3/097 , C03C3/11 , C03C10/00 , C03C10/0009 , C03C10/0018 , C03C10/0027 , C03C10/0036 , C03C10/0045 , H01L21/76254 , H01L21/84 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L29/7842 , H01L29/78603
Abstract: 本发明涉及具有应变的半导体层的绝缘体上半导体结构。根据本发明的一个实施方式，绝缘体上半导体结构具有包含半导体材料的第一层，该第一层与包含玻璃或玻璃陶瓷的第二层相结合，所述玻璃或玻璃陶瓷的应变点等于或高于大约800℃。
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公开(公告)号：CN101522585A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780037392.7
申请日：2007-10-02
Applicant: 康宁股份有限公司
Abstract: 描述一种钨掺杂氟磷酸锡玻璃，该玻璃具有优异的防潮性、耐热性，并具有低玻璃转变温度，因而适合于低温密封应用，例如用于包封电子元件。在一个实施方式中，所述玻璃按照元素基准的重量百分数，包含以下组分：55－75％Sn，4－14％P，6－24％O，4－22％F和0.15－15％W。
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公开(公告)号：CN101243562A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200680030038.7
申请日：2006-08-09
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: B05D5/00 , C03C3/122 , C03C3/14 , C03C3/247 , H01L51/5253
Abstract: 本文描述了一种抑制器件氧降解和湿气降解的方法以及由此获得的器件。要抑制器件的氧降解和湿气降解，使用一般具有低液相线温度(或者在具体实施方式中为低玻璃化转变温度)的低液相线温度(LLT)材料在器件上形成阻挡层。所述LLT材料可以是例如氟磷酸锡玻璃，硫属玻璃，亚碲酸盐玻璃和硼酸盐玻璃。可以通过例如以下方法将LLT材料沉积在器件上：溅射，蒸发，激光烧蚀，喷涂，倾注，玻璃料－沉积，气相沉积，浸涂，涂抹或辊涂，旋涂或它们的任意组合。可以通过固结步骤(热处理)消除LLT材料中来自沉积步骤的缺陷，从而在器件上制得无孔、气体和湿气不能渗透的保护涂层。虽然可以对普通玻璃(即，硼酸硅酸盐、石英之类的高熔点玻璃)采用多种沉积方法，但是，固结步骤只对LLT材料是实用的，因为固结温度足够低，不会损坏器件的内层。
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公开(公告)号：CN1902139A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200480039165.4
申请日：2004-12-29
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: C03C3/097 , C03C3/062 , C03C3/064 , C03C3/083 , Y10T428/12597
Abstract: 一种用于平板显示器玻璃的基材，该基材包含P2O5－SiO2－Al2O3三元体系，由该体系可制得具有高应变点温度，抗失透性，良好的化学稳定性，优良的介电性质，适合与硅相匹配的热膨胀系数，其液相线粘度使其能够以常规方法成形的稳定的玻璃。以氧化物的重量百分数计算，所述玻璃包含以下组分：P2O533－75重量％，SiO22－52重量％，Al2O38－35重量％。
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