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公开(公告)号：CN1738920A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200480002225.5
申请日：2004-01-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
Abstract: 根据本发明，在使得由处理容器内的铝合金构成的被处理体的温度处于预定温度的状态下，从处理气体供给源向处理容器内导入氧气和氪气的混合气体，通过微波在处理容器内产生等离子体。通过由此而产生的氧自由基在被处理体的表面进行自由基氧化处理，可在被处理体的表面形成致密且耐腐蚀性强的氧化物覆膜。
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公开(公告)号：CN1242480C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN02807542.0
申请日：2002-12-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L27/092
CPC classification number: H01L29/045 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L27/092 , H01L27/0922 , H01L29/66795 , H01L29/7851
Abstract: 一种CMOS器件，包括在硅基片的(100)面上形成并具有其他结晶面的结构，以及由在所述结构上通过微波等离子体处理形成的高质量的栅极绝缘膜和在其上形成的栅电极构成的p通道MOS晶体管和n通道MOS晶体管，其中，设定所述结构的尺寸和形状，使得所述p通道MOS晶体管和n通道MOS晶体管之间的载流子迁移率平衡。
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公开(公告)号：CN1235272C
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN02802155.X
申请日：2002-06-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L21/31 , C23C16/511 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3222 , H01J37/32192
Abstract: 在处理容器(22)的内部，设有装载台(24)，用来装载半导体晶片(W)。微波发生器(76)产生微波，通过平面天线部件(66)导入到处理容器(22)内。平面天线部件(66)具有沿若干圆周排列的若干贯通孔(84)，所述若干圆是非同心圆。平面天线部件径向的等离子体密度分布均匀。
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公开(公告)号：CN1229855C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN02800919.3
申请日：2002-03-28
Applicant: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32238 , H01J37/32192 , H01J37/32357 , H01J37/3244
Abstract: 一种等离子体处理装置，由：通过外壁围成、并具备保持被处理基板的保持台的处理容器；与上述处理容器连接的排气系统；向上述处理容器中供给等离子体气体的等离子体气体供给部；对应于上述被处理基板而设置于上述处理容器上的微波天线；以及面对上述被处理基板设置在上述保持台上的被处理基板与上述等离子体气体供给部之间的处理气体供给部；构成。上述处理气体供给部由：形成于上述处理容器中内、使等离子体通过的多个第1开口部；可连接于处理气体源的处理气体通路；与上述处理气体通路连通的多个第2开口部；以及相对上述第2开口部设置、使由上述第2开口部排放出的处理气体扩散的扩散部；构成。
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公开(公告)号：CN1227572C
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN99800859.1
申请日：1999-05-27
Applicant: 株式会社富士金 , 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G05D7/0635 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761
Abstract: 一种具备压力式流量控制装置的气体供给设备更其在将节流孔的上游侧压力保持成为节流孔的下游侧压力的约2倍以上的状态下，一边进行气体的流量控制，一边通过节流孔对应阀向加工过程供给气体。该压力式流量控制装置包括：从气体供给源接受气体的控制阀，设置在控制阀下游侧的节流孔对应阀，设置于前述控制阀与节流孔对应阀之间的压力检测器，设置于节流孔对应阀的阀动机构部下游侧的节流孔，在根据前述压力检测器的检测压力P1将流量作为Qc＝KP1(式中K为常数)进行运算、同时将流量指令信号Qs与运算流量Qc的差作为控制信号Qy向控制阀的驱动部输出的运算控制装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1613279A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN02826884.9
申请日：2002-10-11
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32238 , H01J37/32192
Abstract: 通过提高微波的传播效率，得到能扩宽可形成等离子体加工条件范围的等离子体加工装置和处理装置。等离子体加工装置是具有用等离子体进行处理的处理室(1，2)和将微波导入处理室的微波导入单元(3a～6a，3b～6b，19a，19b)的等离子体加工装置，微波导入单元(3a～6a，3b～6b，19a，19b)包括使微波透过的电介质构件(5a，5b，19a，19b)。与微波透过的电介质构件的透过方向大致垂直方向上的电介质构件的断面形状，是可使大致单一模式的微波透过的形状。在设透过电介质构件的单一模式的微波的波长为λ，任意整数为m时，透过方向上的电介质构件的厚度T，满足(λ×(2m+0.7)/4)≤T≤(λ×(2m+1.3)/4)这样的条件。
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公开(公告)号：CN1533596A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN03800685.5
申请日：2003-07-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L21/31 , C23C16/511 , H05H1/46
CPC classification number: C23C16/45568 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01J37/3244
Abstract: 一种等离子体处理装置，其具有：处理容器，由外壁围成，具有支承被处理衬底的支承台；排气系统，与所述处理容器相结合；微波透过窗，作为所述外壁的一部分设置在所述处理容器上面，并与所述支承台上的被处理衬底相对；等离子体气体供给部分，向所述处理容器中供给等离子体气体；以及微波天线，对应于所述微波设置在所述处理容器上面；其中，所述等离子体气体供给部分包括多孔介质，并通过所述多孔介质向所述处理容器供给所述等离子体气体。
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公开(公告)号：CN1509496A
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN02807490.4
申请日：2002-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L21/31 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32192 , H01J37/32238
Abstract: 在微波等离子体处理装置中，通过使正对被处理基片的喷盘或等离子体透过窗的、正对所述被处理基片的一侧成凹面状，来补偿被处理基片周围部分中的等离子体密度的降低。其结果，即使在进行蚀刻等低压下的等离子体处理时，也能在被处理基片表面附近维持稳定均匀的等离子体。此外，通过所述结构，还可以促进等离子体的点火。
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公开(公告)号：CN1500370A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN02807326.6
申请日：2002-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
CPC classification number: H01J37/32266 , H01J37/32192 , H01J37/32954 , H01J37/3299
Abstract: 通过等离子体处理装置中的导波管(26)向处理室中导入微波，产生等离子体。通过反射监测器(40)和功率监测器(42)监测被在处理室内产生的等离子体反射的反射波的功率。此外，通过入射监测器(36)和频率监测器(48)监测由磁控管(24)产生的微波的频率。根据监测的反射波功率和频率控制供给到磁控管的功率。通过这种方法来控制等离子体密度使其恒定。
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公开(公告)号：CN1500291A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN02807542.0
申请日：2002-12-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L27/092
CPC classification number: H01L29/045 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L27/092 , H01L27/0922 , H01L29/66795 , H01L29/7851
Abstract: 一种CMOS器件，包括在硅基片的(100)面上形成并具有其他结晶面的结构，以及由在所述结构上通过微波等离子体处理形成的高质量的栅极绝缘膜和在其上形成的栅电极构成的p通道MOS晶体管和n通道MOS晶体管，其中，设定所述结构的尺寸和形状，使得所述p通道MOS晶体管和n通道MOS晶体管之间的载流子迁移率平衡。
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