公开(公告)号：CN101260507A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810036561.1

申请日：2008-04-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张群 ,  施展 ,  杨铭 ,  王颖华

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明属于半导体氧化物材料领域，具体为一种P型半导体掺镍氧化铜(Cu1－xNixO)靶材及其制备方法。本发明将氧化铜粉末和氧化镍粉末均匀混合，采用粉末压片机干压成型，用氮气作为保护气体，在管式电阻炉中烧结成致密的块体靶材。所制备的靶材具有p型导电的特征。该发明制作工艺简单、经济，制成的靶材成分均匀，性能稳定。本发明方法获得的靶材在磁控溅射技术和脉冲等离子体沉积技术等制备光电性能优良的p型导电透明掺镍氧化铜薄膜领域具有应用价值。

公开(公告)号：CN100415930C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200510025957.2

申请日：2005-05-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张群 ,  李喜峰 ,  缪维娜 ,  黄丽 ,  章壮健

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明是一种基板温度为0-30℃下利用反应直流磁控溅射法制备非晶掺钼氧化铟(IMO)透明导电氧化物薄膜的方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺钼铟金属镶嵌靶，在0-30℃基板温度下通过反应直流磁控溅射技术，在适当的工作压强和氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备具有非晶结构的IMO薄膜。所制备的薄膜具有低电阻率、高透射率和高载流子迁移率等优良的光电特性。本发明方法获得的薄膜在新型光电器件领域具有良好应用前景。

公开(公告)号：CN215025284U

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202120046618.7

申请日：2021-01-08

Applicant: 复旦大学附属华山医院

Inventor： 张群 ,  刘莉 ,  吴毅

IPC: A61N2/04

Abstract: 本实用新型涉及用于实现局灶性TMS干预的磁场屏蔽装置，包括上层硅钢板层、中层坡莫合金板层和下层隔热层，中间设有上下贯通的中孔。与现有技术相比，本实用新型构建外层不易饱和高导磁材料(硅钢)，联合内层易饱和高导磁材料(坡莫合金)所制作的复合磁屏蔽材料，可实现TMS磁场的屏蔽，而通过该复合磁屏蔽材料中心打孔，也可在不改变中心区域磁场强度及感应电场强度的情况下，进一步实现打孔区域的局部TMS刺激。

公开(公告)号：CN2789273Y

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200520041650.7

申请日：2005-05-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张群 ,  章壮健 ,  李喜峰 ,  缪维娜 ,  黄丽

IPC: C23C14/35

Abstract: 本实用新型是一种用于反应直流磁控溅射法制备掺钼氧化铟(IMO)透明导电氧化物薄膜的铟钼金属镶嵌靶。它由在纯度为99.99％的纯金属铟圆靶上均匀对称镶嵌纯金属钼丝构成，具体结构是，铟靶上有直径为2.5－3.5mm的小孔，小孔内镶嵌钼丝。本实用新型的镶嵌靶在制备新型透明导电氧化物薄膜以及新型光电器件领域具有良好的实用性。

公开(公告)号：CN2908530Y

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200520043480.6

申请日：2005-07-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张群 ,  章壮健 ,  李喜峰 ,  缪维娜 ,  黄丽

IPC: C23C14/35

Abstract: 本实用新型是一种用于反应直流磁控溅射法制备掺钨氧化铟(IWO)透明导电氧化物薄膜的铟钨金属镶嵌靶。它由在纯度为99.99％的纯金属铟圆靶上均匀对称镶嵌纯金属钨丝构成，具体结构是，铟靶上有直径为1.0－3.5mm的小孔，小孔内镶嵌钨丝。本实用新型的镶嵌靶在制备新型透明导电氧化物薄膜以及新型光电器件领域具有良好的实用性。