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公开(公告)号：CN115557511A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211215604.9
申请日：2022-09-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高纯纳米结构双硅酸镱粉体及其制备方法，所述方法以纳米Yb2O3粉体、纳米SiO2粉体为原料，纳米SiC作为纳米改性剂，经过机械混合、球磨制浆、喷雾造粒和固相烧结过程来制得纳米结构Yb2Si2O7球形或非球形粉体。本发明的方法所需设备简易、工艺简单可调控，采用的固相烧结工艺的保温温度和时间较现有存在固相烧结方法大幅度降低，制备周期大大缩短，制备的Yb2Si2O7粉体为纳米结构，纯度高，纳米结构保留完好，可降低粉体合成能源消耗利于产业化，可用于作为航空发动机及燃气轮机高性能纳米结构环境障涂层材料。
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公开(公告)号：CN107425191A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710814092.0
申请日：2017-09-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/052 , B82Y30/00
Abstract: 用于锂硫电池正极的介孔氧化硅/硫碳复合物及其制备方法，它涉及一种纳米复合材料及其制备方法。本发明是为了解决现有方法弱导电性的金属氧化物会提高整体电极的阻抗，不利于快速充放电的技术问题。用于锂硫电池正极的介孔氧化硅/硫碳复合物由介孔氧化硅、单质硫和碳材料组成，方法：制备氧化硅硫复合物，将氧化硅硫复合物分散于水中，磁力搅拌分散后，加入到浓度为1mg/mL的碳材料的水溶液中，继续搅拌12～48小时，沉淀，离心，洗涤，干燥，即得用于锂硫电池正极的介孔氧化硅/硫碳复合物。在0.1C放电，放电容量最高达到1625mA h g-1，经过500圈的循环后容量仍能保持在1000mA h g-1左右。
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公开(公告)号：CN104495850B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410834823.4
申请日：2014-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 威海云山科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种SiC/石墨烯核壳结构纳米材料的制备方法，包括以下步骤：Al、将SiC(粉体、纤维或纳米线等)置于加热炉中加热至400～650℃进行除碳处理，然后将加热后的SiC材料浸泡到HF溶液中20～26小时，得到预处理后的SiC；A2、使用去离子水反复冲洗预处理后的SiC，过滤后放入干燥箱里干燥，得到实验所需的SiC；A3、准备实验所需的金属粉或其化合物；A4、在石墨纸上扎孔，得到扎孔后的石墨纸，依次在石墨坩埚的底部铺放金属粉或其化合物、扎孔后的石墨纸、SiC和石墨纸，盖上坩埚盖，然后将石墨坩埚放入到气氛压力烧结炉中，在1200℃～1500℃的温度下保温1～4小时，得到SiC/石墨烯核壳结构纳米材料。
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公开(公告)号：CN104591735A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510020455.4
申请日：2015-01-15
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 威海云山科技有限公司
IPC: C04B35/52 , C04B35/622
Abstract: 一种抗氧化氮化硼石墨块体材料的制备方法。本发明涉及一种抗氧化氮化硼石墨块体材料的制备方法。本发明是为解决现有的氮化硼/石墨复合材料力学性能和抗氧化性较差的问题。方法：一、向氨硼烷溶液中加入石墨，边搅拌边加热，反应结束后进行蒸馏，得到原料粉末；二、将步骤一得到的原料粉末装入模具中，进行预压，得到预压后原料；三、将步骤二得到的预压后原料以加热并施加机械压力，保温保压结束后，随炉冷却至室温并卸压，得到抗氧化氮化硼石墨块体材料。本发明方法氮化硼相的生成与烧结一次完成，避免了物相预先合成后再混合而引起的团聚与组成偏聚，同时也简化了复合材料的制造工艺，提高了复合材料的综合性能。
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公开(公告)号：CN101928915B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201010200513.9
申请日：2010-06-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/06
Abstract: 一维纳米材料表面镀氮化硼膜的方法，它涉及一种在纳米材料表面镀氮化硼膜的方法。本发明解决了由于一维纳米材料间的接触，导致一维纳米材料易被氧化、寿命短、稳定性差的问题。本方法如下：将氨硼烷加入到石墨坩埚或氧化铝坩埚中，将待包覆的一维纳米材料固定于坩埚内部，再将坩埚置于气压炉中，然后在700℃～1600℃的条件下保温0.5h～4h，然后冷却至室温，即得表面镀氮化硼膜的一维纳米材料。本发明在一维纳米材料表面镀上了厚度为3nm～50nm的氮化硼膜，防止一维纳米材料间互相接触，从而避免了一维纳米材料在使用的过程中被氧化、寿命短、稳定性差的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101723675B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200910308549.6
申请日：2009-10-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C07F5/05 , C04B35/583
Abstract: 氮化硼陶瓷有机先驱体及其制备方法，它涉及陶瓷有机先驱体及其制备方法。本发明解决了目前氮化硼陶瓷聚合物先驱体热稳定性差、陶瓷产率低，制备方法条件苛刻、生产周期长的问题。本发明的氮化硼陶瓷有机先驱体的结构式为：其中n＝1、2或3。本发明方法如下：将三氯硼吖嗪和苯胺加入到甲苯中，搅拌，过滤除去深沉物质，然后将滤液加热并保温，最后再减压蒸馏脱除甲苯得到氮化硼陶瓷有机先驱体。本发明氮化硼陶瓷有机先驱体可以用于制备氮化硼陶瓷纤维、薄膜、泡沫、异形体和粉体。
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公开(公告)号：CN101870800B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010184682.8
申请日：2010-05-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 中空碳纤维布环氧树脂复合材料及其制备方法，它涉及碳纤维环氧树脂复合材料及其制备方法。本发明解决了现有的碳纤维环氧树脂复合材料密度大及碳纤维环氧树脂复合材料的过程中需要首先要对碳纤维进行复杂的改性的问题。本发明中空碳纤维布环氧树脂复合材料是由中空碳纤维布和环氧树脂胶制成的；方法：将尿素和乙二醇放入石墨坩埚中，然后在气氛烧结炉中制成中空碳纤维布；然后将中空碳纤维布浸渍在由双酚A型环氧树脂、丙酮和二乙烯三胺组成的环氧树脂胶中，取出后经压制和真空干燥后，得到中空碳纤维布环氧树脂复合材料。中空碳纤维布无需表面处理，复合材料密度为1.00～1.05g/cm3，可于宇宙飞船、人造卫星、航天飞机和导弹上。
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公开(公告)号：CN101224877B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810063928.9
申请日：2008-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/068 , C04B35/584
Abstract: 一种氮化硅纳米线的制备方法，它涉及一种氮化硅纳米线的制备方法。它解决了现有技术中氮化硅纳米线的制备工艺复杂、成本较高、污染环境的问题。制备方法：将含碳质量为20～60％的碳/二氧化硅纳米复合粉体装入坩埚后，在氮气氛下烧结，随炉冷却至室温，得氮化硅纳米线。本发明一种氮化硅纳米线的制备方法，工艺简单、成本较低、不产生污染环境的有害气体。
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公开(公告)号：CN101870800A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010184682.8
申请日：2010-05-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 中空碳纤维布环氧树脂复合材料及其制备方法，它涉及碳纤维环氧树脂复合材料及其制备方法。本发明解决了现有的碳纤维环氧树脂复合材料密度大及碳纤维环氧树脂复合材料的过程中需要首先要对碳纤维进行复杂的改性的问题。本发明中空碳纤维布环氧树脂复合材料是由中空碳纤维布和环氧树脂胶制成的；方法：将尿素和乙二醇放入石墨坩埚中，然后在气氛烧结炉中制成中空碳纤维布；然后将中空碳纤维布浸渍在由双酚A型环氧树脂、丙酮和二乙烯三胺组成的环氧树脂胶中，取出后经压制和真空干燥后，得到中空碳纤维布环氧树脂复合材料。中空碳纤维布无需表面处理，复合材料密度为1.00～1.05g/cm3，可于宇宙飞船、人造卫星、航天飞机和导弹上。
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公开(公告)号：CN101723675A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910308549.6
申请日：2009-10-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/583 , C07F5/05
Abstract: 氮化硼陶瓷有机先驱体及其制备方法，它涉及陶瓷有机先驱体及其制备方法。本发明解决了目前氮化硼陶瓷聚合物先驱体热稳定性差、陶瓷产率低，制备方法条件苛刻、生产周期长的问题。本发明的氮化硼陶瓷有机先驱体的结构式为：其中n＝1、2或3。本发明方法如下：将三氯硼吖嗪和苯胺加入到甲苯中，搅拌，过滤除去深沉物质，然后将滤液加热并保温，最后再减压蒸馏脱除甲苯得到氮化硼陶瓷有机先驱体。本发明氮化硼陶瓷有机先驱体可以用于制备氮化硼陶瓷纤维、薄膜、泡沫、异形体和粉体。
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