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公开(公告)号：CN109888025B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201910219155.7
申请日：2019-03-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/868 , H01L21/04 , H01L21/336
Abstract: 本发明一种基于深层离子注入方式的PIN二极管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件领域，目的是为了克服PIN二极管受空间辐照效应，导致本征区的载流子被辐射缺陷俘获造成正向特性的退化的问题，具体方法为：步骤一、通过PIN二极管的结构参数和需注入PIN二极管的离子类型，计算离子注入所述PIN二极管的离子注入深度D和与离子注入深度D所对应的离子能量E；步骤二、计算离子注入量Ф；步骤三、通过所述离子能量E计算离子源电压值V；步骤四、通过所述离子注入量Ф确定离子注入时间t，并计算离子束电流值I；步骤五、根据所述离子注入深度D、离子源电压值V、离子束电流值I和离子注入时间t，向PIN二极管的本征区注入离子。
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公开(公告)号：CN109860033B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201910110228.9
申请日：2019-02-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/265 , H01L29/06 , H01L29/872 , H01L29/32
Abstract: 本发明的基于深层离子注入方式的肖特基二极管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件的制造或处理领域，目的是为了克服肖特基二极管受到位移辐射造成的缺陷导致正向特性退化的问题，具体步骤为计算离子源电压值V、离子束电流值I、离子注入深度D和离子注入时间t，对肖特基二极管的有源区进行离子注入。本发明的有益效果是：本发明通过深层离子注入的方式，在肖特基二极管内部的一定深度范围内通过离子注入的方式人为地引入缺陷陷阱，可以对由位移辐射造成的缺陷产生复合作用，使器件内部的位移辐射缺陷保持稳定，不因辐射注量的增大而明显变化，从而提高肖特基二极管的抗辐照能力。
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公开(公告)号：CN110459649B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910774690.9
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 一种基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法，属于太阳电池微电子技术领域。本发明针对现有太阳电池由于空间带电粒子的辐照会产生辐照缺陷，进而造成太阳电池I‑V特性退化的问题。它根据原单晶Si太阳电池的结构参数，确定离子的欲注入位置，并根据欲注入位置模拟确定离子的能量和射程；然后模拟离子注入过程中的目标I‑V变化曲线，当目标I‑V变化曲线的变化量小于原单晶Si太阳电池I‑V变化曲线的10％时，记录离子注入量；再计算离子注入机的离子源电压、离子束电流和离子注入时间；设置离子注入机，对原单晶Si太阳电池进行离子注入并进行退火处理，实现对原单晶Si太阳电池的抗位移辐照加固。本发明用于单晶Si太阳电池的加固。
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公开(公告)号：CN109712873B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201910110168.0
申请日：2019-02-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/04 , H01L23/552
Abstract: 本发明的基于深层离子注入方式的MOS场效应管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件领域，目的是为了克服MOS型器件易受总剂量辐射损伤导致MOS型器件抗辐照能力低下的问题，具体步骤为计算离子源电压值V、离子束电流值I、离子注入深度D和离子注入时间t，并向MOS场效应管的栅极氧化层注入离子。本发明通过离子注入的方式，在MOS场效应管的栅极氧化层内人为地引入缺陷陷阱，可以对由总剂量辐射效应造成的电子空穴对产生复合作用，并对器件内部由于总剂量辐射缺陷所产生的电场产生补偿作用，从而提高MOS场效应管的抗辐照能力。能大幅度降低总剂量辐照诱导的氧化物俘获正电荷和界面态影响，可以增强MOS器件的抗辐照性能。
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公开(公告)号：CN111651337A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010378931.0
申请日：2020-05-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出一种SRAM存储器空间服役故障分类失效检测方法，本发明采用故障特征检测诊断空间服役失效故障，通过分析特定核心器件在太空环境或异常环境中的特征参数电源电流的变化，依托神经网络进行故障状态的判断和分类。本发明可用于监控空间服役状态SRAM存储器的特征参数，并在地面计算出SRAM存储器故障失效概率。本发明可结合SRAM存储器空间服役环境，确定故障失效的薄弱环境，可为空间SRAM存储器长寿命服役提供技术支持。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110491970A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910775586.1
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/265
Abstract: 基于深层离子注入方式的倒置四结太阳电池抗位移辐照加固方法，属于微电子技术领域，本发明为解决现有倒置四结太阳电池在空间带电粒子的辐照下抗位移辐照能力差，易产生位移辐射损伤，从而严重地影响太阳电池的性能参数的问题。本发明向倒置四结太阳电池的第四结有源区和第三结有源区模拟注入离子，获得离子能量和射程信息，模拟I-V特性，记录与未注入离子时的I-V特性变化量小于10％时的注入离子量，计算注入离子电压和离子束电流，设置注入离子时间，采用设置后的注入离子机进行离子注入，对完成离子注入的倒置四结太阳电池进行退火处理。本发明用于对倒置四结太阳电池进行抗位移辐照加固。
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公开(公告)号：CN109712873A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910110168.0
申请日：2019-02-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/04 , H01L23/552
Abstract: 本发明的基于深层离子注入方式的MOS场效应管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件领域，目的是为了克服MOS型器件易受总剂量辐射损伤导致MOS型器件抗辐照能力低下的问题，具体步骤为计算离子源电压值V、离子束电流值I、离子注入深度D和离子注入时间t，并向MOS场效应管的栅极氧化层注入离子。本发明通过离子注入的方式，在MOS场效应管的栅极氧化层内人为地引入缺陷陷阱，可以对由总剂量辐射效应造成的电子空穴对产生复合作用，并对器件内部由于总剂量辐射缺陷所产生的电场产生补偿作用，从而提高MOS场效应管的抗辐照能力。能大幅度降低总剂量辐照诱导的氧化物俘获正电荷和界面态影响，可以增强MOS器件的抗辐照性能。
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公开(公告)号：CN108460196A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810135807.4
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 双极器件异种辐照源电离损伤等效评价试验方法，涉及材料和器件的辐照试验，属于核科学与技术领域，为了实现对不同类型粒子辐照条件下双极晶体管的性能退化特征的预测。本发明基于一种辐照源建立性能退化模型等效模拟其他辐照源辐射损伤的地面等效模拟试验方法，其应用对象包括双极晶体管及其他类型的双极工艺器件；仅通过选择某一特定种能量和种类的带电粒子，在合适的辐照通量条件下进行辐照试验，就可建立双极器件性能退化模型；结合Monte Carlo方法计算分析其他类型辐照源的损伤能力，即可将不同类型辐照源的辐射损伤进行归一化，达到预测在轨性能退化的目的。有益效果为准确地预测双极晶体管在轨电离损伤性能退化规律，步骤简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN108459338A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810136600.9
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01T1/02
CPC classification number: G01T1/02
Abstract: 本发明提供基于吸收剂量深度分布计算辐射敏感部位位移吸收剂量的方法，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明首先选取一种已知一维位移吸收剂量深度分布的材料，并将其移吸收剂量深度分布转化为吸收剂量随等效厚度的分布；对辐射敏感部位所处的结构进行区域划分，确定各个区域中的材料种类和每种材料的厚度；然后将各个区域的材料的厚度转化为等效厚度，确定各个等效厚度的吸收剂量和单向吸收剂量，最终计算得到结构中敏感部位的位移吸收剂量。本发明解决了现有技术辐射敏感部位位移吸收剂量计算复杂、耗时长的问题。本发明可用于快速评估航天器等复杂结构的位移吸收剂量。
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公开(公告)号：CN108363864A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810134768.6
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种研究电离缺陷和位移缺陷直接交互作用的试验方法，它涉及电离/位移协同效应，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明的目的是为了制备一种结构，基于该结构利用不同类型的辐射粒子，从而实现电离和位移缺陷直接交互作用的研究。方法：制备MIM结构或者MSM结构，绝缘体或半导体的厚度为a1，导体的厚度为a2，其中，a2≥10a1；计算入射粒子的入射深度、电离吸收剂量(Id)和位移吸收剂量(Dd)，3 5，产生稳定的电离缺陷；本发明的试验方法，步骤简单，易于操作。本发明所提出的技术途径能够大幅度降低试验的费用，对材料和器件空间环境效应地面模拟试验和研究具有重大的意义。
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