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公开(公告)号：CN117448967A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311436907.8
申请日：2023-10-31
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种钼酸碲双折射晶体材料及其制备和应用，该材料的化学式为Mo(H2O)Te2O7，属于四方晶系，其空间群为I‑4，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝8，晶胞体积为 本发明的Mo(H2O)Te2O7晶体在546nm处双折射值达到了0.53，显著大于现有商用双折射晶体的双折射效率。在1064nm激光照射下，Mo(H2O)Te2O7晶体粉末倍频效应为KH2PO4(KDP)的5.4倍，并能实现相位匹配。Mo(H2O)Te2O7晶体在激光频率转换、光电调制、激光信号全息储存等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN117127259A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311005443.5
申请日：2023-08-10
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种二氯二氧化钼二阶非线性光学晶体及其制备与应用，该晶体材料的化学式为MoO2Cl2，分子量为198.84，属于正交晶系，其空间群为Fmm2，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝4，晶胞体积为 与现有技术相比，本发明的二氯二氧化钼晶体材料具有优良的二阶非线性光学性能，在2100nm激光辐照下，粉末倍频强度约为KTiOPO4(KTP)的2.1倍，且能实现相位匹配。
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公开(公告)号：CN115058776A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210714115.1
申请日：2022-06-22
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种宽带隙氟钨酸氟碘酸盐中红外非线性光学晶体材料及其制备和应用，该晶体材料的化学式为A2WO2F3(IO2F2)，其中，A＝Rb或Cs。与现有技术相比，本发明的晶体Rb2WO2F3(IO2F2)和Cs2WO2F3(IO2F2)在1064nm激光照射下其粉末SHG系数为KH2PO4(KDP)的3.8和3.5倍，且在1064nm激光照射下都能实现相位匹配。此外，该晶体材料在紫外‑可见光‑中红外光区(0.28～5.28和0.289～5.33μm)有很宽的透过范围，光学带隙分别达到了4.42和4.29eV，在中红外激光领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113481599B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110631443.0
申请日：2021-06-07
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种钼氟亚碲酸铷二阶非线性光学晶体材料及其制备与在激光频率转换中的应用，该晶体材料的化学式为RbTeMo2O8F，分子量为551.95，属于单斜晶系，其空间群为Pn，晶胞参数为α＝γ＝90°，β＝95.13～95.32，Z＝2，晶胞体积为本发明的钼氟亚碲酸铷晶体材料具有优良的光学性能，在1064nm激光辐照下，粉末倍频强度约为磷酸二氢钾晶体的27倍，在波长2100nm的激光下测得其粉末倍频强度为磷酸钛氧钾晶体的2.2倍。此外，该晶体材料在可见光‑红外光区(0.34～5.4μm)有很宽的透过范围，在激光频率转换、光电调制、激光信号全息储存等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113417008B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202110367563.4
申请日：2021-04-06
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种碘酸硫酸铈二阶非线性光学晶体及其制备与应用，该晶体材料的化学式为Ce(IO3)2(SO4)，分子量为585.98，属于正交晶系，其空间群为P212121，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝4，晶胞体积为本发明的碘酸硫酸铈晶体材料具有优良的光学性能，在1064nm激光辐照下，粉末倍频强度约为磷酸二氢钾晶体的3.5倍，且在1064nm激光照射下能实现相位匹配。此外，该晶体材料具有大的双折射(546nm处0.259)，在激光频率转换、光电调制、激光信号全息储存等领域具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113265707B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202110389438.3
申请日：2021-04-12
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种硫酸铵镧非线性光学晶体材料及其制备和应用，该晶体材料的化学式为(NH4)La(SO4)2，属于正交晶系，空间群为Pmn21，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝2。本发明的无机化合物晶体在1064nm激光照射下，其粉末倍频强度约为KH2PO4(KDP)晶体的1.8倍，且在该频率的激光照射下可以实现相位匹配。在激光频率转换、光电调制、激光信号全息储存等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113215657B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202110389987.0
申请日：2021-04-12
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种碘酸钪二阶非线性光学晶体材料及其制备与应用，该晶体材料的化学式为α‑Sc(IO3)3，分子量为569.66，属于六方晶系，空间群为P63，晶胞参数为α＝β＝90°，γ＝120°，Z＝2，晶胞体积为本发明的碘酸钪晶体材料具有优良的光学性能，该晶体具有极强的倍频响应，在1064nm激光照射下其粉末SHG系数为KH2PO4(KDP)的16倍，在2100nm激光照射下其粉末SHG系数为AgGaS2(AGS)的1.5倍，且均能实现相位匹配。该晶体还具有宽的光学带隙(4.20eV)，大的双折射(Δn＝0.219@546nm)及极强的物理化学稳定性。
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公开(公告)号：CN112981537B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110188949.9
申请日：2021-02-19
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种氟硫酸铈二阶非线性光学晶体材料及其制备方法与应用。该晶体材料的化学式为CeF2(SO4)，分子量为274.18，属于正交晶系，其空间群为Pca21，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝4，晶胞体积为与现有技术相比，本发明的晶体CeF2(SO4)在1064nm激光照射下其粉末SHG系数为KH2PO4(KDP)的8.0倍，且在1064nm激光照射下能实现相位匹配。此外，该晶体的双折射(546nm处0.361)突破了氧化物的双折射极限。
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公开(公告)号：CN113481600A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110631456.8
申请日：2021-06-07
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种碘酸磷酸铈二阶非线性光学晶体材料及其制备与在激光频率转化中的应用，该晶体材料的化学式为Ce(IO3)2(H2PO4)2，分子量为683.89，属于正交晶系，其空间群为Pna21，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝4，晶胞体积为本发明的碘酸磷酸铈晶体材料具有优良的光学性能，在1064nm激光辐照下，粉末倍频强度约为磷酸二氢钾晶体的4倍，可实现相位匹配。此外，该晶体材料在可见光‑红外光区(0.4～8μm)有很宽的透过范围，在激光频率转换、光电调制、激光信号全息储存等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113481599A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110631443.0
申请日：2021-06-07
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种钼氟亚碲酸铷二阶非线性光学晶体材料及其制备与在激光频率转换中的应用，该晶体材料的化学式为RbTeMo2O8F，分子量为551.95，属于单斜晶系，其空间群为Pn，晶胞参数为α＝γ＝90°，β＝95.13～95.32，Z＝2，晶胞体积为本发明的钼氟亚碲酸铷晶体材料具有优良的光学性能，在1064nm激光辐照下，粉末倍频强度约为磷酸二氢钾晶体的27倍，在波长2100nm的激光下测得其粉末倍频强度为磷酸钛氧钾晶体的2.2倍。此外，该晶体材料在可见光‑红外光区(0.34～5.4μm)有很宽的透过范围，在激光频率转换、光电调制、激光信号全息储存等领域具有广泛的应用前景。
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