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公开(公告)号：CN113451464A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110692043.0
申请日：2021-06-22
Applicant: 厦门大学 , 福建中晶科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法，氮化镓基谐振腔发光二极管包括依序层叠设置的支撑基板、高对比度光栅、有源区、N型层，N型层远离有源区的端面上还设置有第一反射镜和N电极；其中，高对比度光栅由P型层和透明导电层组成，P型层的一端面与有源区贴合，P型层的另一端面上经刻蚀形成非平整的光栅结构，透明导电层设置在P型层的光栅结构间隙和表面；本方案直接使用部分P型层及透明导电层作为高对比度光栅结构以替代传统的底部反射镜结构，不仅减小了器件串联电阻，降低吸收损耗，还提高了输出光质量，且制备工艺简单，所有制备工艺与标准半导体制备工艺兼容，满足大规模光电集成的需要。
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公开(公告)号：CN113363805A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110604143.3
申请日：2021-05-31
Applicant: 厦门大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开了基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器及制作方法，激光器结构方法包括激光器A、激光器B和激光器C三种结构形式，本方案使用具有导电性的氧化物材料制作分布式布拉格反射镜，不仅具有优良的导电性能，能够同时作为激光器电极使用。另外地，使用p型层+隧道结+n型层代替传统激光器中的p型层，结合隧道结的使用，可以有效提高器件的性能。这些方案的应用，使得本发明所提出的激光器结构中不需要使用透明电流扩展层以及腔内接触电极结构，从而显著地简化了激光器结构以及制备工艺；本方案制作方法与标准半导体制备工艺兼容，可以满足大规模光电器件制备与集成的需要，有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN110808508A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911029296.9
申请日：2019-10-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种单体全球充转换器，包括外壳、自适应插头、USB接口电源。所述自适应插头，分为固定插销和自适应伸缩插销，所述固定插销用于定位插头插座对接，自适应伸缩插销用于弹性的配各种插座的尺寸大小；所述外壳顶盖设有通用型插座口，可以兼容各国插头标准。该产品的插接方式操作简单方便，结构紧密，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN107123928B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201710326448.6
申请日：2017-05-10
Applicant: 厦门大学
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器，涉及发射激光器。采用垂直内腔接触结构，结构从下到上包括了衬底、金属层、下分布布拉格反射镜、电流限制层、GaN基外延层、上电极、上分布布拉格反射镜，所述电流限制层中包含用于电流扩展的ITO透明导电孔，所述GaN基外延层包含n型层和p型层以及有源区，其中有源区为量子阱内嵌量子点结构。利用垂直谐振腔及量子阱内嵌量子点的有源结构，获得了双波长同时发射的半导体激光器。本发明具有结构简单、集成度高、光束方向集中、发射波长易于控制等特点，在实现多色半导体激光器光源和双波长合成干涉测量等领域中有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN110212078A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910514858.2
申请日：2019-06-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及光电子、半导体激光技术领域，特别地涉及一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法。本发明公开了一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法，其中电注入微盘谐振腔发光器件包括半导体微盘、金属支撑柱和金属支撑衬底，半导体微盘通过金属支撑柱支撑在金属支撑衬底上，半导体微盘的边缘突出于金属支撑柱的侧壁而形成悬空结构。本发明很好地解决了具有边缘悬空结构微盘谐振腔的电流注入难题，且相比于传统微盘谐振腔发光器件中的Si等其他半导体支撑材料，金属支撑柱能更好地改善器件的散热特性；金属支撑柱与金属支撑衬底可以通过电镀的方式制备，工艺简单，所有制备工艺与标准半导体制备工艺兼容，满足大规模光电集成的需要。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107404066B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201710609195.3
申请日：2017-07-25
Applicant: 厦门大学
Abstract: 全介质膜DBR结构氮化镓面发射激光器的制备方法，涉及激光器。在蓝宝石衬底上外延具有p‑down结构的激光器外延层；在外延片上制作图形化的介质膜DBR，然后磁控溅射n型电极；电镀铜作为替代支撑衬底并激光剥离去除蓝宝石衬底；生长SiO2电流限制层及ITO电流扩展层；溅射p型电极、制作图形化的介质膜上DBR并分离器件完成器件的制备。实现了具有铜衬底、SiO2电流限制层位于器件上表面的全介质膜GaN基面发射激光器。SiO2电流限制层位于有源区上侧避免了位于有源区下侧与衬底之间所造成的有源区热量拥堵，散热差的问题，可以改善器件的散热性能并提高光功率。
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公开(公告)号：CN108521075A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810315250.2
申请日：2018-04-10
Applicant: 厦门大学
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333
Abstract: 一种基于蓝光InGaN量子阱的绿光发射激光器，涉及绿光发射激光器。从下至上包括铜衬底、下分布布拉格反射镜、p型Cr/Au电极、ITO透明导电层、SiO2电流限制层、GaN基外延层、n型Cr/Au电极和上分布布拉格反射镜；所述GaN基外延层包括P型GaN、N型GaN和蓝光InGaN/GaN量子阱；所述上分布布拉格反射镜和下分布布拉格反射镜高反带需覆盖整个增益谱范围，反射率达到99％及以上，材料组合采用TiO2/SiO2、Ta2O5/SiO2或Ti3O5/SiO2。所述蓝光InGaN/GaN量子阱中，势阱InXGa1-XN层InN含量x在0.16～0.22之间，势垒为GaN层。
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公开(公告)号：CN104465907B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510018419.4
申请日：2015-01-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种改善P型氮化镓薄膜电学特性的方法，涉及发光二极管。在p‑GaN上制作ITO薄膜；用等离子体轰击ITO薄膜；利用缓冲氧化刻蚀剂除去表面因感应耦合等离子体轰击产生的氧化物。通过在传统结构的LED外延层P‑GaN薄膜上方沉积一层氧化铟锡，再通过感应耦合等离子体等轰击ITO薄膜，使得轰击后的p‑GaN薄膜空穴浓度得到提高，降低电阻率，从而改善了薄膜的电学特性。从根本上避免了传统的提高p‑GaN薄膜空穴浓度、降低薄膜电阻率的方法，即高温退火对InGaN多量子阱的结构和光学特性产生的影响，而且工艺步骤简单。
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公开(公告)号：CN106785909A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710064594.6
申请日：2017-02-04
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H01S5/18397 , H01S5/187
Abstract: 用于全色显示照明的垂直腔面发射激光器阵列，涉及半导体激光器。从下至上设有散热铜衬底、键合层、电流扩展与P型电极、电流限制层、P型GaN层、量子点有源区、N型GaN层和N型电极；所述N型GaN层、量子点有源区和P型GaN层依次生长在散热铜衬底上，电流限制层沉积在P型GaN层上，在电流限制层中开设P型电流注入孔，电流扩展与P型电极生长在注入孔中，在电流扩展与P型电极中沉积有P型电极和底部分布布拉格反射镜，键合层键合于底部分布布拉格反射镜与散热铜衬底之间，在N型GaN层上沉积N型电极和顶部分布布拉格反射镜，底部分布布拉格反射镜与顶部分布布拉格反射镜之间构成谐振腔。
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公开(公告)号：CN104634767B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510094227.1
申请日：2015-03-03
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N21/63
Abstract: 一种氮化镓基谐振腔气体传感器的制备方法，涉及气体传感器。在蓝宝石衬底GaN基外延片上制作图形化分布布拉格反射镜，然后在表面蒸发或溅射第一含金属层；在衬底表面蒸发或溅射第二含金属层；将第一含金属层和第二含金属层贴合，在真空或氮气氛围下键合，再通过激光剥离技术去除蓝宝石衬底；对去除蓝宝石衬底后的GaN基外延片进行器件分离，形成二维阵列结构，接着蒸发或溅射金属电极、分布布拉格反射镜，最后沉积聚合物涂层，完成器件制作。探测灵敏度高，易于制作成二维阵列结构，达到同时检测多种气体的目的，成本低，效率高。基于氮化镓基谐振腔结构，利用器件谐振发光波长的移动确定
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