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公开(公告)号：CN219473448U
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202320113985.3
申请日：2023-01-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种无荧光粉多基色LED侧发光灯具，该侧发光灯具包括多基色LED光源、光源电路板、热传导材料、驱动模块、灯具框架、背板、缓冲层、反光层、导光板、出光面盖板，多基色LED光源通过至少四颗不同基色的LED芯片直接合成白光，并固定在光源电路板上，反光层包括第一反光层、第二反光层、第三反光层，背板、缓冲层、第一反光层、导光板、第二反光层、出光面盖板依次叠设，第三反光层覆盖在光源电路板表面，灯具框架设有散热翅片，背板边缘设有镂空结构，使散热翅片暴露于空气中。本实用新型实现了结构紧凑的多基色LED侧发光灯具，具有高光提取、高亮度和颜色均匀性、低眩光、散热效果好的优势，结合驱动模块设计实现光谱可调和按需照明。
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公开(公告)号：CN216627028U
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202122616818.4
申请日：2021-10-28
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本实用新型公开了一种用作细胞和斑马鱼多组间多档调节光照实验的灯箱，该灯箱体被分割成六个相同大小的独立空间为不同实验组提供放置实验细胞(或斑马鱼)的空间，不同的LED灯芯置于灯箱盖内面。盖上灯盖就能对六个区域进行光照并且不同组的细胞或者斑马鱼相互之间不会受灯光影响。打开电源，LED光源强度控制器能够在一定范围内调节LED灯芯的光强度以满足不同实验的要求。因此，通过本发明的系统可同时进行不同LED、不同光强度、不同实验样品的光照实验，大大减少了光照实验的次数和时间，也在很大程度上控制了变量，方便不同实验组之间的比对。
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公开(公告)号：CN214672667U
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202120808548.4
申请日：2021-04-20
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L33/48 , H01L25/075 , F21V9/40
Abstract: 本实用新型公开了一种无荧光粉多基色LED教室照明灯具，包括多基色LED光源、基板、电源模块、控制模块、灯具外壳、出光面盖板，多基色LED光源中不包含荧光粉，若干颗LED芯片直接合成白光，所用LED芯片为高光效黄光LED芯片、高光效绿光LED芯片、高光效青光LED芯片、高光效蓝光LED芯片、高光效红光LED芯片、高光效橙光LED芯片。本实用新型能够通过控制电路实现多基色LED光源亮度和色温的调节，实现按需照明。本实用新型采用了无荧光粉型LED照明技术，避免荧光粉老化带来的问题，同时还可兼顾低色温、高光效、高显指的照明要求。
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公开(公告)号：CN214672603U
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202120031141.5
申请日：2021-01-07
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/50
Abstract: 本实用新型公开了一种采用LED光源进行照明的黄光室工作灯，包括外壳、基板、固晶层、金线、电路、配光元件、LED光源和一次光学透镜，LED光源由若干颗LED芯片组成，若干颗LED芯片由1~2颗红光LED芯片和1~4颗黄光LED芯片组成。本实用新型直接采用LED芯片光源，LED芯片为AlGaInP材料体系制备的红光LED芯片和AlInGaN材料体系制备的黄光LED芯片。通过本实用新型，从源头上完全解决了500nm以下波段蓝紫光对曝光过程的影响，同时避免了传统黄灯采用荧光灯加黄色荧光粉而给人带来的蓝光危害、人眼不适等问题，实现了低色温、高显色指数、高光效、安全的黄光室用灯。
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公开(公告)号：CN211980614U
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202020688377.1
申请日：2020-04-29
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/64 , H01L33/58
Abstract: 本实用新型公开了一种用于太阳能电池光处理的LED光源，包括LED芯片、第一热界面层、第一基板层、第二热界面层、第二基板层、第三热界面层、热沉、一次光学透镜和二次光学系统。本实用新型采用无荧光粉技术，直接采用高光效垂直结构单色LED芯片作为光源直接出光，解决了传统白炽灯/荧光灯光源能耗高的问题，同时，单色光源出光提高了有效的光子辐射强度，解决了白光LED光源宽光谱光能有效利用率低问题。通过高密度封装，实现了高能量密度，同时，通过一次光学透镜和二次光学系统，实现了出光的均匀分布，因此可以实现更好的太阳能电池效率提升效果。本实用新型具有高光效、能耗低、光分布均匀、封装工艺简单、可靠性高和辐照温度低的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN211238243U
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201922327694.0
申请日：2019-12-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/54 , H01L33/58
Abstract: 本实用新型公开了一种实现多基色LED光源的混光及光提取目的的模组结构，包括若干颗LED灯珠、第二热界面层、二次光学透镜、第二基板层和密封圈，其中LED灯珠包括若干颗主波长不同的LED芯片、引线、一次光学透镜、第一热界面层、第一基板层，不同主波长芯片之间交错排布，一次光学透镜将若干颗LED芯片密封在第一基板层上；若干颗LED灯珠分别通过第二热界面层材料层固定在第二基板层上，二次光学透镜安装在第二基板层上；若干颗LED灯珠在第二基板层上的贴片角度是不完全相同的；在一次光学透镜和二次光学透镜之间包含第三层封装胶体层。本实用新型通过该模组结构解决了多基色LED光源出光空间颜色均匀性差的问题，同时提高其光提取效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209169167U
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201821718205.3
申请日：2018-10-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种垂直结构LED芯片，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、第一电极、发光层、粗化层、第二电极接触层、第二电极。本实用新型还公开了该LED芯片的反射电极，反射电极由第一电极和第二电极共同构成，第一电极依次包括第一电极接触层、低折射率介质层和高光反射金属层，低折射率介质层和高光反射金属层之间具有二者复合的特定排列的导电小孔，第一电极还包括可减少第二电极对其正下方区域发光遮挡的区域。本实用新型有效减少了第二电极正下方区域的电流注入，减少第二电极对正下方区域发光的遮挡，且该反射电极结构可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，最终提高了AlGaInP薄膜LED芯片的光提取效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206401317U
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201621441475.5
申请日：2016-12-26
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/48
Abstract: 本实用新型公开了一种无荧光粉的全光谱LED封装结构，该LED封装结构不使用荧光粉，通过多基色LED芯片直接合成白光。LED芯片包含AlInGaN材料体系制备的高光效垂直结构黄光LED芯片、高光效垂直结构绿光LED芯片、高光效垂直结构青光LED芯片和高光效垂直结构蓝光LED芯片，AlGaInP材料体系制备的高光效垂直结构红光LED芯片和高光效垂直结构橙光LED芯片。全光谱出光具有更理想的光色品质，避免了荧光粉的使用，简化封装工艺，同时提高封装模块的可靠性，同时解决传统封装方法出光蓝光过多、青光缺失和红光不足的缺陷。
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公开(公告)号：CN208986011U
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201821715757.9
申请日：2018-10-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种垂直结构LED芯片，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、第一电极、发光层、粗化层、第二电极接触层、第二电极，第二电极与第一电极共同构成反射电极。本实用新型还公开了该LED芯片的反射电极。本实用新型有效减少了第二电极正下方区域的电流注入，减少第二电极对正下方区域发光的遮挡，且该反射电极结构可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，最终提高了AlGaInP薄膜LED芯片的光提取效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208538898U
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201821327985.9
申请日：2018-08-16
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种具有掩膜层的反极性LED芯片，包括基板层、键合层、粘结保护层、复合结构层、外延层、掩膜层、N电极和钝化层；基板层的上面依次从下至上为键合层、粘结保护层、复合结构层；外延层在复合结构层的上面，外延层依次从下至上为p型层、发光层、n型层、粗化层、欧姆接触层；在外延层上面设有掩膜层、N电极和钝化层，掩膜层在欧姆接触层之上，且与N电极图形对应，环绕在N电极周围。本实用新型可以解决粗化工艺中，欧姆接触层湿法腐蚀过程侧钻导致的N电极脱落问题，有效地提高了LED芯片的制备良率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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