一种基于电场作用的液滴成型法微纳复合结构制备方法

    公开(公告)号:CN115043374B

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202210547989.2

    申请日:2022-05-18

    Abstract: 本发明公开了一种基于电场作用的液滴成型法微纳复合结构制备方法,首先通过电场作用诱导电晕放电的离子风作用得到第一聚合物微液滴阵列,然后通过电荷注入复合作用的主动制冷蒸气凝结法在第一聚合物微液滴阵列表面上凝结自组装得到第二纳液滴阵列,接着引入第二聚合物,最后固化第一或第二聚合物,得到第一微结构阵列,由于第二纳液滴阵列压印作用,在第一微结构阵列表面得到与第二纳液滴阵列对应的曲面第二纳结构阵列,从而获得微纳复合结构阵列。本发明采用电场作用的微纳复合液滴成型实现微纳复合结构阵列,通过微纳复合液滴成型工艺参数调节实现微纳复合结构形貌参数的灵活调控,本发明技术方案具有工艺简单、成本低和形貌参数灵活可控的优点。

    一种可见光通信用的TO型封装阵列式光电探测器

    公开(公告)号:CN118782592A

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202410108848.X

    申请日:2024-01-26

    Abstract: 本发明公开了一种可见光通信用的TO型封装阵列式光电探测器,阵列式光电探测器的芯片是由所有的单元芯片通过预设的电极线以并联的方式汇聚在公共的N型触点上,单元芯片以阵列形式分布在阵列式光电探测器的基底上,单元芯片的外延层为N‑GaN、InGaN/GaN量子阱、P‑GaN、互补电极、金属反射镜、钝化层、N电极和硅衬底;所述阵列式光电探测器为TO型封装结构,该结构包括TO管座、2个与TO管座径向相平行的圆孔形状的接地引脚和导通引脚以及玻璃镜片光窗尺寸可调的TO管帽,接地引脚和N型触点之间通过金丝键合线相连接。阵列式光电探测器芯片结合TO型封装能够有效提高光电探测器的性能,并且保障信号在进行光电转换时尽可能减小干扰,提高可见光通信的通信速率。

    一种具有掩膜层的反极性LED芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN109037412B

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN201810937533.0

    申请日:2018-08-16

    Abstract: 本发明涉及一种具有掩膜层的反极性LED芯片,所述芯片包括基板层、键合层、粘结保护层、复合结构层、外延层、掩膜层、N电极和钝化层;基板层的上面依次从下至上为键合层、粘结保护层、复合结构层;外延层在复合结构层的上面,外延层依次从下至上为p型层、发光层、n型层、粗化层、欧姆接触层;在外延层上面设有掩膜层、N电极和钝化层,掩膜层在欧姆接触层之上,且与N电极图形对应,环绕在N电极周围。本发明还提出一种具有掩膜层的反极性LED芯片的制备方法。本发明可以解决粗化工艺中,欧姆接触层湿法腐蚀过程侧钻导致的N电极脱落问题,有效地提高了LED芯片的制备良率。

    一种无荧光粉多基色LED封装结构及其封装方法

    公开(公告)号:CN112234134A

    公开(公告)日:2021-01-15

    申请号:CN202011050672.5

    申请日:2020-09-29

    Abstract: 本发明公开了一种无荧光粉多基色LED封装结构及其封装方法,该封装结构包括封装基板、若干颗间隔放置的LED芯片、固晶层、引线和复合封装胶结构;封装基板上有通过固晶层键合的若干LED芯片,LED芯片通过引线和基板电路连接,多基色LED芯片上有复合封装胶结构,复合封装胶结构由纯封装胶的第一封装胶层和掺有微纳米散射颗粒掺杂的第二封装胶层组成,并且第二封装胶层位于第一封装胶层周围。如此保证大部分光线直接从第一封装胶层出射,而大角度的光线在微米纳米颗粒掺杂的第二封装胶层内与微米纳米颗粒发生散射作用,从而改善不同LED芯片出光的各向均匀性,实现大视角的混光,同时保证高光提取效率。

    一种具有掩膜层的反极性LED芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN109037412A

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201810937533.0

    申请日:2018-08-16

    CPC classification number: H01L33/36 H01L33/005 H01L33/02

    Abstract: 本发明涉及一种具有掩膜层的反极性LED芯片,所述芯片包括基板层、键合层、粘结保护层、复合结构层、外延层、掩膜层、N电极和钝化层;基板层的上面依次从下至上为键合层、粘结保护层、复合结构层;外延层在复合结构层的上面,外延层依次从下至上为p型层、发光层、n型层、粗化层、欧姆接触层;在外延层上面设有掩膜层、N电极和钝化层,掩膜层在欧姆接触层之上,且与N电极图形对应,环绕在N电极周围。本发明还提出一种具有掩膜层的反极性LED芯片的制备方法。本发明可以解决粗化工艺中,欧姆接触层湿法腐蚀过程侧钻导致的N电极脱落问题,有效地提高了LED芯片的制备良率。

    一种多基色LED无粉光源的配光装置及配光方法

    公开(公告)号:CN118042672B

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202410437484.X

    申请日:2024-04-12

    Abstract: 本发明公开了一种多基色LED无粉光源的配光装置及配光方法,该装置包括系统控制单元、混光单元、光谱采集单元、温度控制单元、驱动单元,混光单元中布置了光谱探头、热沉以及置于热沉上的多基色LED无粉光源;其中,温度控制单元接收到系统控制单元发送的温度设置指令改变热沉的温度,从而改变多基色LED无粉光源基板的温度,驱动单元在接收到系统控制单元发送的各路电流设置指令改变多基色LED无粉光源的每路电流大小,光谱采集单元与光谱探头电信连接,以在某个温度和电流组合下点亮多基色LED无粉光源后,获取光谱探头采集到的多基色LED无粉光源发出的光色数据。本发明中解决了现有技术中配光不准确的问题。

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