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公开(公告)号：CN108912329B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201810620108.9
申请日：2018-06-15
Applicant: 南京工业大学
IPC: C08G73/06
Abstract: 本发明公开了一种图案化二维共轭微孔聚合物的制备方法和应用，属于聚合物半导体材料领域。该类二维共轭微孔聚合物是以咔唑为骨架，制备方法是先将咔唑衍生物旋涂或滴膜在平整的衬底上，然后在单体薄膜上添加掩膜版，并将其置于光源下开展光聚合反应。光照的单体发生交联反应，被掩膜版遮掩的单体没有发生反应。将光照后的单体薄膜在有机溶剂中浸泡，这样发生交联反应的薄膜生成聚合物，没有反应的单体被溶解，进而制备出大面积、图案化超薄二维共轭微孔聚合物薄膜。这是一种直接图案化的方法，避免了传统图案化方法中的刻蚀等步骤；图案化的薄膜不需要转移即可应用于器件中。
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公开(公告)号：CN112103389A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011081743.8
申请日：2020-10-10
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种低功耗非易失性阻变存储器系列及其制备方法，属于阻变存储器件领域。该存储器件系列包括一系列存储器，其包括导电性能可调的底电极、表面含纳米孔洞的阻变功能层与顶电极。具体采用高温热还原法制备的导电性能可调的还原氧化石墨烯导电薄膜作为底电极；通过混合溶剂旋涂法在底电极上制备表面含纳米孔洞且孔洞尺寸可调的阻变功能层薄膜；蒸镀金属铝作为顶电极。本发明的存储器件具有非易失性存储特性，该器件结构简单、易于制备、成本低廉，且具低功耗、高稳定性等优势，在新型存储器件与集成电路领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN106328809B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201610862100.4
申请日：2016-09-28
Applicant: 南京工业大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种易失性与非易失性混合存储器及其制备方法，多功能存储器包括基底、底电极、存储活性层和顶电极；所述底电极位于基底表面，所述存储活性层位于交叉的底电极与顶电极之间；制备方法包括：(1)湿法制备底电极，(2)在底电极上湿法制备存储活性层，(3)在中间层上湿法制备顶电极。本发明的存储器件具有独特的易失性与非易失性混合存储性能、较高的透明度、优良的耐久性与可靠性以及可全湿法制备特性，为后摩尔时代半导体科学技术的发展开拓了新领域。
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公开(公告)号：CN111341910A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010143403.7
申请日：2020-03-04
Applicant: 南京工业大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种柔性全碳阻变存储器及其制备方法，属于柔性可穿戴电子和信息存储领域。该存储器件包括柔性衬底；下电极，设置在柔性衬底上；阻变功能层，设置在所述下电极上；上电极，设置在所述阻变功能层上。具体采用导电还原氧化石墨烯(rGO)薄膜作为下电极；所述的中间阻变功能层是将有机聚合物材料旋涂在下电极表面；转移rGO薄膜到中间阻变功能层上作上电极。该阻变存储器件具有全溶液加工制备、结构简单、器件各层都为碳基材料、柔性可弯曲、开关比高、开启电压低、稳定性好等特点，在可穿戴电子器件领域具有广阔应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105957639B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201610311539.8
申请日：2016-05-12
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于一维纳米材料柔性超延展导电薄膜的高效制备方法，属于纳米光电材料技术领域。该制备方法包括：首先将一维纳米导电材料溶液均匀地喷涂在硬质衬底上，制备导电薄膜；其次将未固化的PDMS胶体均匀地旋涂在导电薄膜表面，然后将已拉伸的固化PDMS膜放置在未固化PDMS膜表面，最后通过重压并放置在真空干燥箱中固化。本发明提供了一种操作简单、低成本、适用范围广的柔性可延展导电薄膜制备方法，本方法具有转移过程高效、大面积制备的特点，所制备的导电薄膜呈现出柔性超延展与电性能稳定的突出优点。
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公开(公告)号：CN108183180B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201711498205.7
申请日：2017-12-29
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种发光器件的制备方法，属于可溶解柔性电子器件技术领域。发光器件包括：可溶解下电极、可溶解发光功能层与可溶解下电极。具体采用银纳米线‑聚乙烯醇为下电极，在所述下电极上层为荧光粉发光功能层以及银纳米线‑聚乙烯吡咯烷酮上电极。本发明通过在上下两电极中加一层发光层的三明治发光器件结构，采用全溶液法的方式制备器件，不需要高真空蒸镀磁控溅射等大型设备，制备流程简单、成本低廉，同时本可溶性器件具有发光稳定、能耗低、可回收、绿色环保等优点。
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公开(公告)号：CN109360887A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811091705.3
申请日：2018-09-18
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种转变电压可控阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储领域。本发明包括衬底，衬底之上依次为底电极、界面修饰层、存储介质层、顶电极，所述的存储介质层是绝缘聚合物或半导体聚合物或无机介电材料；所述的界面修饰层为量子点或金属纳米粒子。本发明采用的原料易得，成本低廉，实现了阻变存储器转变电压可控的要求。为未来低功耗、多功能存储器的实现提供了一条崭新的道路。
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公开(公告)号：CN106893083A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710080901.X
申请日：2017-02-15
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了二维共轭聚合物及其制备方法和应用，属于聚合物半导体材料领域。该类二维共轭聚合物是以咔唑为骨架，具有选自通式(Ⅰ)或通式(Ⅱ)的化学式的结构：制备方法是先将咔唑衍生物旋涂在平整的衬底上，然后将旋涂有单体的聚合物浸入含有无水三氯化铁的有机溶剂中，通过衬底辅助的氧化聚合反应，制备大面积超薄二维共轭聚合物纳米片。本发明提供的二维共轭聚合物尺寸达到厘米级，厚度为几个纳米。这类聚合物在酸、碱和水中都能稳定存在。它们在紫外区有吸收峰，表现为蓝光发射等特点，在有机光电探测器件、有机发光器件、有机电存储、有机场效应晶体管、有机传感器、有机纳米器件和分离过滤膜等领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN106024923A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610597654.6
申请日：2016-07-26
Applicant: 南京工业大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/028 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光探测器领域，涉及一种全溶液法制备全碳柔性光探测器及其制备方法，该探测器包括柔性电极和中间活性层两部分。具体的，所述的电极是在柔性PET衬底上喷涂聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)‑聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)电极；所述的中间活性层是将单壁碳纳米管(SWCNT)溶液和C60溶液分层喷涂在电极的沟道部分形成的中间活性层。最终制备一种全溶液法制备全碳柔性光探测器。该器件具有结构简单，性能优异等特点，且制备工艺简单，成本较低，具有广阔的应用前景。
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