-
公开(公告)号：CN108912329B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201810620108.9
申请日：2018-06-15
Applicant: 南京工业大学
IPC: C08G73/06
Abstract: 本发明公开了一种图案化二维共轭微孔聚合物的制备方法和应用，属于聚合物半导体材料领域。该类二维共轭微孔聚合物是以咔唑为骨架，制备方法是先将咔唑衍生物旋涂或滴膜在平整的衬底上，然后在单体薄膜上添加掩膜版，并将其置于光源下开展光聚合反应。光照的单体发生交联反应，被掩膜版遮掩的单体没有发生反应。将光照后的单体薄膜在有机溶剂中浸泡，这样发生交联反应的薄膜生成聚合物，没有反应的单体被溶解，进而制备出大面积、图案化超薄二维共轭微孔聚合物薄膜。这是一种直接图案化的方法，避免了传统图案化方法中的刻蚀等步骤；图案化的薄膜不需要转移即可应用于器件中。
-
公开(公告)号：CN112259685B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202011200011.6
申请日：2020-10-30
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明涉及有机电子器件与信息存储技术领域，特别涉及一种高稳定快擦写图案化的聚合物存储器及其制备方法。本发明的存储器包括导电基底、存储介质层、顶电极，所述的存储介质层包括表面具有孔洞的图案化的共轭微孔聚合物，采用特定方法制备得到。采用本发明的制备简单经济，原料易得，且可直接形成任意图案化，具有良好的紫外辐射、环境稳定性，而且存储器擦写速度快，达到纳秒级别。
-
公开(公告)号：CN112259685A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011200011.6
申请日：2020-10-30
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明涉及有机电子器件与信息存储技术领域，特别涉及一种高稳定快擦写图案化的聚合物存储器及其制备方法。本发明的存储器包括导电基底、存储介质层、顶电极，所述的存储介质层包括表面具有孔洞的图案化的共轭微孔聚合物，采用特定方法制备得到。采用本发明的制备简单经济，原料易得，且可直接形成任意图案化，具有良好的紫外辐射、环境稳定性，而且存储器擦写速度快，达到纳秒级别。
-
公开(公告)号：CN108912329A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810620108.9
申请日：2018-06-15
Applicant: 南京工业大学
IPC: C08G73/06
CPC classification number: C08G73/0688
Abstract: 本发明公开了一种图案化二维共轭微孔聚合物的制备方法和应用，属于聚合物半导体材料领域。该类二维共轭微孔聚合物是以咔唑为骨架，制备方法是先将咔唑衍生物旋涂或滴膜在平整的衬底上，然后在单体薄膜上添加掩膜版，并将其置于光源下开展光聚合反应。光照的单体发生交联反应，被掩膜版遮掩的单体没有发生反应。将光照后的单体薄膜在有机溶剂中浸泡，这样发生交联反应的薄膜生成聚合物，没有反应的单体被溶解，进而制备出大面积、图案化超薄二维共轭微孔聚合物薄膜。这是一种直接图案化的方法，避免了传统图案化方法中的刻蚀等步骤；图案化的薄膜不需要转移即可应用于器件中。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.015 seconds)
