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公开(公告)号：CN111487515A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010315877.5
申请日：2020-04-21
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种压接式功率器件静态特性测量系统，包括由水平方向的构件和设置于竖直方向的立柱组成的框架，压力施加装置，温度施加装置。本静态特性测量装置在测试夹具中引入开尔文测试方法，排除引线的测量误差，压力施加装置与框架点接触，能够降低压力施加装置的加工需求，利用箱体进行被测器件的温度控制，在加热或降温过程中可以实现被测器件的均匀温度控制，且可以实时准确测量被测器件的温度，非常适用于不同温度和不同压力下的压接型器件静态特性的准确测量。
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公开(公告)号：CN109752638B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910084809.X
申请日：2019-01-29
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种连续测量IGBT芯片输出曲线的装置及方法。所述装置包括电容，电感，被测IGBT，辅助IGBT，续流二极管，负载电阻，直流电压源，驱动脉冲生成器，电流测量装置和电压测量装置。所述方法基于电感充放电电路，通过一次充放电过程为被测IGBT提供连续变化的电流，同时测量IGBT的电流和电压，即可以得到被测IGBT芯片的整条输出曲线，达到简单、快速测量IGBT芯片输出曲线的效果。
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公开(公告)号：CN109557437A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811529410.X
申请日：2018-12-14
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明公开一种暂态电击的模拟测量系统，该系统包括：导体模型，配置有支架；电击受体模型，其底部设置有绝缘板；所述电击受体模型与所述导体模型发生暂态电击的触发电击部位设置有放电间隙测控系统，用于监测及控制所述触发电击部位与所述导体模型之间的放电间隙的距离变化；高速数据采集系统，用于控制并测量采样时间内的所述电击受体模型的瞬态电压和瞬态电流，获取暂态电击过程中所述电击受体模型的能量与电荷量的动态特性。通过实施本发明，可获取暂态电击过程中，移动速度对瞬态电流电压的影响，发生暂态电击的精确距离进而确定曝露限值。
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公开(公告)号：CN109406961A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811255092.2
申请日：2018-10-26
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开一种电力电子器件绝缘试验装置，所述电力电子器件包括单芯片、子模组和集成模块，所述试验装置包括：腔体密封外壳、控制器底座和内部夹具；所述腔体密封外壳为所述电力电子器件提供一个密封的工作环境；所述内部夹具夹置所述电力电子器件，所述内部夹具设置在所述腔体密封外壳内部，所述内部夹具用于为所述电力电子器件提供电压、温度、压力；所述控制器底座分别与所述腔体密封外壳和所述内部夹具连接，所述控制器底座用于控制所述腔体密封外壳内的工作环境和所述内部夹具为所述电力电子器件提供的电压、温度、压力。能够测量在高温高压的工作环境下的电力电子器件的光信号、电信号。
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公开(公告)号：CN119050076B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411519126.X
申请日：2024-10-29
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，半导体封装结构包括：封装壳，具有第一腔体，封装壳包括基板；半导体芯片，连接在基板上；端子部，与半导体芯片的电极电连接；其中，封装壳上设置有第一进口和第一出口，第一进口和第一出口均与第一腔体连通以使得绝缘散热介质能够通过第一进口进入至第一腔体内并通过第一出口流出至第一腔体的外部，半导体芯片浸没于绝缘散热介质。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件的散热效果不理想的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119028936B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411509870.1
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/488 , H01L23/367 , H01L23/52
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及具有其的功率器件，该功率模块包括衬板和多个芯片，衬板上设置有第一导电结构和第二导电结构，第一导电结构和第二导电结构均为轴对称结构，第一导电结构和第二导电结构的对称轴均沿第一方向延伸，第一导电结构和第二导电结构上均设置有多个芯片，第一导电结构上的多个芯片和第二导电结构上的多个芯片均在对称轴的两侧对称排布。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率模块的芯片布局位置较为集中的问题。
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公开(公告)号：CN119050110A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411540451.4
申请日：2024-10-31
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率器件，包括：功率单元、第一功率端子以及第二功率端子；功率单元包括：底板上具有沿第一预设方向间隔设置第一导电层和第二导电层，第一导电层与第二导电层导电连接；芯片设置在第一导电层上，芯片的第一侧与第一导电层连接，芯片的第二侧与第三导电层连接；绝缘层设置在第一导电层上；控制部与芯片连接，控制部设置在绝缘层远离第一导电层的表面上，芯片和第二导电层位于控制部的两侧；第一二极管设置在第二导电层上。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率器件散热效果差的问题。
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公开(公告)号：CN119050090A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411509866.5
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/52 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供了一种互连构件及具有其的功率器件，互连构件包括：主体段，主体段的下表面为导电连接面；界面互连段，与主体段连接，界面互连段的下表面为互连面；拱形连接段，包括相连接的第一弧形段和第二弧形段，第一弧形段与主体段连接，第二弧形段与界面互连段连接，第一弧形段在预设纵向截面内具有第一弧形中心线，第一弧形中心线与预设曲线满足确定系数R2，预设曲线满足以下公式：#imgabs0#；x和y为预设曲线在预设坐标系内的横坐标值和纵坐标值；h为预设曲线的最高点至X轴的距离，a为预设曲线至Y轴的最大距离，#imgabs1#为预设常数；在预设曲线的最高点处，预设曲线满足#imgabs2#；R2≥0.8。通过本方案，能够缓解互连构件的互连界面处的应力大的问题。
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公开(公告)号：CN119050076A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411519126.X
申请日：2024-10-29
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，半导体封装结构包括：封装壳，具有第一腔体，封装壳包括基板；半导体芯片，连接在基板上；端子部，与半导体芯片的电极电连接；其中，封装壳上设置有第一进口和第一出口，第一进口和第一出口均与第一腔体连通以使得绝缘散热介质能够通过第一进口进入至第一腔体内并通过第一出口流出至第一腔体的外部，半导体芯片浸没于绝缘散热介质。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件的散热效果不理想的问题。
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公开(公告)号：CN114865801B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210544205.0
申请日：2022-05-18
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明涉及一种用于三芯电缆的高能量密度磁场能量收集装置及系统，属于空间电磁场能量收集领域，六段铁芯构成一个完整的圆环环绕三芯电缆，在三芯电缆的切向磁感应强度沿着圆周方向的3个极值点对应位置的三段铁芯上沿三芯电缆的轴向方向分别缠绕感应线圈，在三芯电缆的径向磁感应强度沿着圆周方向的3个极值点对应位置的三段铁芯上沿三芯电缆的半径方向分别缠绕感应线圈，通过分析电缆周围磁场分布的基础上，设计取能线圈的布置，最大程度上利用了电缆周围的磁场能量，实现在三芯电缆宽工作范围内的有效能量收集，并满足供给电缆的各种传感器的能量供给。
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