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公开(公告)号：CN107464881A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201610387877.X
申请日：2016-06-02
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02E60/366 , Y02E70/10 , Y02P70/521 , H01L51/4226 , C25B1/003 , C25B1/04
Abstract: 本发明属于太阳能利用相关领域，其公开了一种面向光解水制氢的集成器件及其制作方法，所述集成器件包括光阳极、钙钛矿太阳能电池及光阴极，其特征在于：所述光阳极与所述钙钛矿太阳能电池的透明导电基底绝缘贴合，并与所述钙钛矿太阳能电池的对电极电性连接；所述光阳极吸收紫外光及一部分可见光，另一部分可见光穿过所述光阳极激发所述钙钛矿太阳能电池产生偏压；所述对电极形成在所述钙钛矿太阳能电池的钙钛矿层或空穴传输层上，并与所述光阴极绝缘贴合，所述光阴极与所述钙钛矿太阳能电池的透明导电基底电性连接。本发明的集成器件的光阳极及太阳能电池利用太阳光光谱中的不同部分，提高了光转化效率，且无需外界辅助即可独立实现光解水制氢。
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公开(公告)号：CN107294865A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710641738.X
申请日：2017-07-31
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04L12/801 , H04L12/803 , H04L12/853
Abstract: 本发明公开了一种软件交换机的负载均衡方法，包括如下步骤：(1)设置网络端口绑定；(2)获取网络绑定中网络端口速率；(3)根据网络端口速率以及在一定周期内数据发送量计算排序参数；(4)按照排序参数对可用网络端口进行排序；(5)处理排序结果，判断是否触发负载迁移；(6)若触发负载迁移，则根据负载的类型，选取需要迁移的负载；(7)迁移负载，更改被迁移负载所使用的网络端口。本发明还公开了一种执行上述方法的软件交换机，利用上述方法，将网络端口速率纳入到负载均衡过程中，获取网络端口速率信息并判断负载类型，同时具备迁移前负载选择机制，能够合理地进行负载均衡。
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公开(公告)号：CN104795498B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201510162849.3
申请日：2015-04-08
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种柔性钙钛矿太阳能电池的制备工艺，包括以下步骤：1)刻蚀；2)光阳极的制备；3)碳对电极的印刷成膜：采用烘干温度在150℃以下的导电碳浆，利用丝网印刷法在柔性导电基底上制备成膜，即得到太阳能电池的碳对电极；碳对电极的一端与ITO导电层接触，另一端与ITO之间存在间隙，生长的ZnO纳米线在该间隙处；4)钙钛矿的添加。本发明采用一种低温的制备工艺在柔性导电基底上制备电池的光阳极。接着采用有机溶剂烘干温度在150℃以下低温导电碳浆料来制备电池的对电极，采用丝网印刷的方式制备成膜，极大的降低了电池对电极的制备成本。并且其烘干快、导电性好，加热温度也不超过柔性导电基底所能承受的温度极限。
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公开(公告)号：CN104900809B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510293584.0
申请日：2015-06-02
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种碳对电极钙钛矿太阳能电池，该电池包括光阳极、对电极和空穴传输层，对电极为碳布，该碳布依次经过NiO前驱体混合溶液浸渍处理以及反应处理，从而使该碳布上均匀浓密的附着由NiO纳米片构成的空穴传输层；所述碳布嵌入在光阳极中的TiO2多孔层内。还提供了制备碳对电极钙钛矿太阳能电池的方法，包括空穴传输层制备步骤，在前驱体混合溶液中对碳布执行浸渍处理，接着执行反应处理，将粘附有所述前驱体混合溶液的碳布置入高压反应釜中反应；然后取出碳布进行清洗和干燥；最后执行退火处理，获得附着有空穴传输层的碳布。本发明有效提高了电池中层与层之间的接触面积，最终提高了光电转化效率。
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公开(公告)号：CN106024775A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610559181.0
申请日：2016-07-15
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L25/167 , H01L21/50 , H01L35/28 , H01L51/4213
Abstract: 本发明公开了一种具有温差发电片的集成器件，其包括钙钛矿太阳能电池，所述钙钛矿太阳能电池包括导电基底、设置在所述导电基底上的光阳极、设在所述光阳极上的钙钛矿光敏层及设置在所述钙钛矿光敏层上的碳对电极。所述集成器件还包括设置在所述碳对电极上的温差发电片，所述温差发电片与所述钙钛矿太阳能电池通过串联的方式电性连接。本发明还涉及一种具有温差发电片的集成器件的制作方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104900809A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510293584.0
申请日：2015-06-02
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/441 , H01L51/42
Abstract: 本发明公开了一种碳对电极钙钛矿太阳能电池，该电池包括光阳极、对电极和空穴传输层，对电极为碳布，该碳布依次经过NiO前驱体混合溶液浸渍处理以及反应处理，从而使该碳布上均匀浓密的附着由NiO纳米片构成的空穴传输层；所述碳布嵌入在光阳极中的TiO2多孔层内。还提供了制备碳对电极钙钛矿太阳能电池的方法，包括空穴传输层制备步骤，在前驱体混合溶液中对碳布执行浸渍处理，接着执行反应处理，将粘附有所述前驱体混合溶液的碳布置入高压反应釜中反应；然后取出碳布进行清洗和干燥；最后执行退火处理，获得附着有空穴传输层的碳布。本发明有效提高了电池中层与层之间的接触面积，最终提高了光电转化效率。
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公开(公告)号：CN102602146B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201210053493.6
申请日：2012-03-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种压电式三维打印成型系统及其成型方法，该系统包括箱体及其支撑框架、X向运动机构(11)、联接在X向运动机构上的承载结构(21)、位于承载结构之下的储粉腔(13)和成型腔(17)、三维图像分层离散机构，以及装载在承载结构(21)上的铺粉机构(20)和压电式喷头(10)。本发明通过压电式喷头喷射无需加热溶液，可以喷射更多种类的溶液并应用在生物、制药等新兴领域。该系统将粘结成分混合粉末中，可以添加充足的粘结成分并达到满意的粘结强度。此外，本发明结构紧凑，易于操作，设备费用低，并具备成型精度高的优点。
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公开(公告)号：CN103771335A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410017421.5
申请日：2014-01-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于仿壁虎脚微纳分级结构的制造工艺，包括：S1、使用LPCVD设备在洁净的硅片上热生长一层SiO2薄膜；S2、在有SiO2层的硅片表面旋涂光刻胶并进行光刻，制备出圆孔阵列图形；S3、使用缓冲氢氟酸溶液对暴露出的SiO2进行刻蚀，将光刻胶上的图形转移到SiO2层；S4、在样品表面镀一层Cu膜；S5、在丙酮或乙醇中进行超声，通过溶脱剥离工艺去除表面的光刻胶及光刻胶表面的Cu；S6、利用CVD-VLS生长工艺，以上述工艺制备的Cu为催化剂，以SiCl4为硅源，以H2为载气，生长Si微米线阵列；S7、在硅线表面镀一层Cu膜；S8、利用CVD-VLS生长工艺，以S7制备的Cu膜为催化剂，以SiCl4为硅源，以H2为载气，在Si微米线表面生长Si纳米线。本发明提供的微纳分级结构中Si微米线的表面分布有Si纳米线，即一种仿壁虎脚微纳分级结构，为干性黏附材料的设计与制造提供了一种解决方案。
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公开(公告)号：CN103219418A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310099378.7
申请日：2013-03-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/0336
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于TiO2/ZnO纳米异质复合结构的紫外光探测器结构，其最底层为基底材料，其上为叉指电极，并覆盖一层ZnO薄膜，薄膜之上为ZnO纳米棒，纳米棒表面为TiO2纳米结构。本发明还公开了所述紫外光探测器的制备方法：（1）在基底薄片上镀上金属电极形成叉指电极；（2）镀上ZnO薄膜；（3）合成ZnO纳米棒阵列；（5）在ZnO纳米棒表面形成TiO2纳米结构。本发明的紫外光探测器在保持ZnO紫外探测器超高光电流增益的同时引入TiO2纳米结构，形成异质结能够消除ZnO表面氧空穴陷阱态的影响，同时加快载流子分离减少复合，必然显著提高探测器的灵敏度和光电流增益，此外TiO2的包裹将显著提高探测器的化学稳定性。
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公开(公告)号：CN102956548A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210445356.7
申请日：2012-11-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76898
Abstract: 本发明公开了一种电场辅助的硅通孔刻蚀工艺，包括步骤：（1）在单晶硅片上旋涂光刻胶并通过光学光刻或电子束光刻得到光刻胶图形；（2）镀上银膜或金膜；（3）在电场之中，采用HF、H2O2和去离子水的混合溶液作为刻蚀剂进行金属催化刻蚀；（4）去除光刻胶；（5）去除单晶硅片上残留的金属膜并进行清洗处理。本发明通过在刻蚀过程中控制电场强度，由此形成从数十纳米至数百微米尺度的各种微纳米尺度通孔结构。
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