一种掺杂改性的铌酸铋钙基陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114507070A

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202210161261.6

    申请日:2022-02-22

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种掺杂改性的铌酸铋钙基陶瓷材料及其制备方法,所述铌酸铋钙基陶瓷材料,其化学通式为:Ca1‑2xSmxNaxBi2Nb2O9,其中,0.005≤x<0.05,所述制备方法,按设计比例配取CaCO3粉体、Bi2O3粉体、Nb2O5粉体、Sm2O3粉体和NaCO3粉体,第一次球磨、预烧结、第二次球磨获得混合粉料,然后将混合粉料经造粒获得粒料、粒料压制成型获得生坯片、再将生坯片排塑、烧结得到铌酸铋钙陶瓷材料。本发明提供的一种铌酸铋钙基陶瓷材料,采用Sm和Na的等摩尔掺杂A位,不仅可以使铌酸铋钙陶瓷材料不仅具有950℃左右的居里温度,而且压电性能也得到显著提高。

    一种羟基磷灰石仿骨材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113476649A

    公开(公告)日:2021-10-08

    申请号:CN202010188582.6

    申请日:2020-03-17

    Abstract: 本发明公开一种羟基磷灰石仿骨材料及其制备方法。本发明的仿骨材料,包括羟基磷灰石陶瓷颗粒,溶剂,分散剂;所述的羟基磷灰石颗粒粒径范围为0.1‑10µm,其固相含量范围为30‑66vol%;所述的分散剂为柠檬酸盐,聚丙烯酸,聚丙烯酸铵或聚乙酰亚胺;所述的分散剂含量为羟基磷灰石颗粒干粉质量的0.1‑3%,还包括微量元素物质或药物原料药的加入。本发明可制备复杂精细的微尺度三维结构,成型过程中不会发生坍塌或断裂现象,所得材料可用于制备各种陶瓷的异形件及结构件和定制产品,包括医用植入体及组织工程支架,所得载药仿骨材料可发挥修复骨缺损和药物载体的双重作用。

    一种基于先驱体转化法制备多孔陶瓷的高通量直写装置和方法

    公开(公告)号:CN113043422A

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN202110366155.7

    申请日:2021-04-06

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于先驱体转化法制备多孔陶瓷的高通量直写装置和方法,所述装置包括储料装置、流量控制装置、计算机控制装置、连接装置、混合装置,其中:所述储料装置为用于储存先驱体溶液;所述连接装置一端连接储料装置,另一端连接混合装置,将先驱体溶液由储料装置送入所述混合装置,所述混合装置的一端通过连接装置连接储料装置,另一端为出料口;所述流量控制装置用于分别控制输入所述储料装置中的各先驱体溶液的流量;所述计算机控制装置控制出料的位置和时间以及出料口的移动轨迹。基于该高通量直写设备的直写方法,实现了不同成分先驱体溶液的高通量方法制备,可以快速地进行先驱体、填料等对多孔陶瓷性能影响的研究。

    一种HfO2基铁电薄膜材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111312898A

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN202010134132.9

    申请日:2020-03-02

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种HfO2基铁电薄膜材料及其制备方法和应用,所述HfO2基铁电薄膜材料:从下至上,依次由薄膜衬底、TiN底电极、Al2O3薄膜、Hf0.5Zr0.5O2薄膜,TiN顶电极、Au电极组成;其制备方法为:于薄膜衬底之上采用磁控溅射沉积TiN底电极,然后于TiN底电极之上通过原子层沉积Al2O3薄膜,再于Al2O3薄膜之上通过原子层沉积Hf0.5Zr0.5O2薄膜,然后再于Hf0.5Zr0.5O2薄膜之上通过磁控溅射依次沉积TiN顶电极、Au电极,沉积完成后,退火即获得HfO2基铁电薄膜材料;本发明通过在TiN底电极以及HZO铁电薄膜之间引入Al2O3薄膜,通过界面极化,来提高薄膜的铁电性能;并降低薄膜内部的漏电流,提高可靠性。

    一种钛酸铋钠-钽酸钠固溶陶瓷材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110436920B

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:CN201910790561.9

    申请日:2019-08-26

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种宽温度稳定性的钛酸铋钠‑钽酸钠固溶陶瓷材料,其化学通式为(1‑x)Bi0.5Na0.5TiO3‑xNaTaO3,x=0.10~0.30。本发明还公开了所述的陶瓷材料的制备和在介电电容器中的应用。研究发现,该陶瓷材料在38kV/mm的外加电场下可以实现放电能量密度高达4.21J/cm3,储能密度高达5.41J/cm3,储能效率高达77.8%;此外,其介电和储能性能的温度稳定性也十分优异:在‑50℃~350℃的温度范围内,介电常数浮动低于10%;在‑50℃~300℃的温度范围内,放电能量密度浮动低于10%。本发明所述陶瓷十分适于高电场和高低温介电储能电容器应用。

    一种NN基压电陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN110511025A

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201910917918.5

    申请日:2019-09-26

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明一种NN基压电陶瓷的制备方法,其制备方法为在浆料体系中(以提前制备好的0.8625NaNbO3-0.1BaTiO3-0.0375SrZrO3(0.8625NN-0.1BT-0.0375SZ,NN-BT-SZ)作为原料,二甲苯及乙醇作为溶剂,磷酸三乙酯作为分散剂,聚乙二醇,邻苯二甲酸二丁酯作为增塑剂,聚乙烯醇缩丁醛作为粘结剂)中加入一定量的NaNbO3(NN)模板,经由流延法制备出压电厚膜,约为60-70μm,叠层,压制成型。在烧结保温不同时间,得到织构化压电陶瓷样品,得到的织构化陶瓷压电性能优异,压电常数d33可达315pC/N,高于未织构的样品以及固相烧结所得样品,温度稳定性能好。

    一种铌酸银基陶瓷及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN109650884A

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201811047417.8

    申请日:2018-09-09

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种铌酸银基陶瓷及其制备方法,通过高温固相反应法在氧气气氛中制得了铌酸银基陶瓷粉末,然后得用传统固相法进行烧结,制得了铌酸银基陶瓷,该陶瓷材料的储能密度可达4.6J/cm3,储能效率高达57.5%,击穿电场强度可达220kV/cm,具有高抗击穿电场、高储能密度与高储能效率的优点,可应用于制备绝缘电介质。所述绝缘电介质还可应用于制备储能电容器。因此该陶瓷材料在脉冲电源领域有良好的应用前景。

    一种制备宏观与微观结构皆可控的材料的方法

    公开(公告)号:CN109400179A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201811448491.0

    申请日:2018-11-30

    Applicant: 中南大学

    Inventor: 张斗 廖晶晶 苏波

    Abstract: 本发明公开了一种制备宏观与微观结构皆可控的材料的方法,所述方法通过将3D直写成型技术与冷冻浇注法相结合实现,具体的将原料A加入含分散剂的溶剂中第一次混合获得悬浮液,然后再将悬浮液中加入凝胶剂第二次混合获得浆料;将浆料通过3D直写设备,并控制浆料通过直写设备时处于凝胶状态,打印、冷冻处理获得具有三维结构的坯体,坯体经冷冻干燥,烧结即获得宏观与微观结构皆可控的材料;本发明首创的实现了直写成型及冷冻浇注技术的高效结合;克服了传统制备技术在同时实现微观孔洞结构及复杂三维结构方面的限制。

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